ГОСТ 28976-91 Фотоэлектрические приборы из кристаллического кремния. Методика коррекции по температуре и облученности результатов измерения вольт-амперной характеристики (МЭК 891-87).
ГОСТ 28976-91
(МЭК 891-87)
Группа Е52
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ ИЗ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
Методика коррекции по температуре и облученности результатов измерения
вольт-амперной характеристики
Photovoltaic devices of crystalline silicon. Procedures for temperature and irradiance
corrections to measured current voltage characteristics
MКC 27.160
ОКСТУ 3480
Дата введения 1992-01-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. ПОДГОТОВЛЕН И ВНЕСЕН Межотраслевым государственным объединением "КВАНТЭМП"
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по управлению качеством продукции и стандартам от 19.04.91 N 530
3. Стандарт подготовлен методом прямого применения международного стандарта МЭК 891-87 "Фотоэлектрические приборы из кристаллического кремния. Методика коррекции по температуре и облученности результатов измерения вольт-амперной характеристики" и полностью ему соответствует
4. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
5. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
|
|
|
Раздел, в котором приведена ссылка | Обозначение соответствующего международного стандарта | Обозначение отечественного нормативно-технического документа, на который дана ссылка |
2 | МЭК 27 (серия стандартов) | Требования указаны в разд.2 настоящего стандарта |
6. ПЕРЕИЗДАНИЕ. Сентябрь 2004 г.
В настоящем стандарте представлены методики, по которым должна проводиться коррекция по температуре и облученности результатов измерения вольт-амперной характеристики фотоэлектрических приборов, изготовленных из кристаллического кремния.
1. ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ
В настоящем стандарте приведены методики коррекции по температуре и облученности результатов измерения вольт-амперных характеристик фотоэлектрических приборов из кристаллического кремния.
Стандарт включает в себя методики для определения температурных коэффициентов, внутреннего последовательного сопротивления и коэффициента корреляции кривой. Эти методики применимы в диапазоне облученности ±30% уровня, при котором выполнены измерения.
Примечания:
1. Настоящие методики применимы только для приборов с линейной характеристикой преобразования.
2. Фотоэлектрическими приборами называют как одиночные солнечные элементы, так и сборочные узлы и плоские модули.
Для оценки приборов каждого типа используют разные параметры. Температурные коэффициенты модуля или сборочного узла вычисляют по результатам их измерения для одиночного солнечного элемента. Внутреннее последовательное сопротивление и коэффициент корреляции кривой должны измеряться отдельно для модуля и сборочного узла.
3. Термин испытуемый образец используют для обозначения любого из этих приборов.
2. МЕТОДИКА КОРРЕКЦИИ
Измеренная вольт-амперная характеристика должна быть приведена к виду, который она будет иметь при стандартных условиях испытаний или при других выбранных значениях температуры и облученности. Для этой цели должны использоваться следующие формулы:
Прим
ечания:
1. В приведенных уравнениях должна использоваться единая система единиц для всех величин.
2. Обозначения физических величин взяты в соответствии с общими рекомендациями (Публикация МЭК 27 "Обозначения буквенные, применяемые в электротехнике").
3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ КОЭФФИЦИЕНТОВ
Коэффициенты предпочтительнее измерять на имитаторах солнечного излучения, используя не менее двух солнечных элементов того же типа, площади и размеров, из которых изготовлен модуль.
Примечания:
1. Любое несоответствие между измеренными солнечными элементами и теми, из которых изготовлен модуль, может неблагоприятно влиять на точность коррекции вольт-амперной характеристики модуля.
2. Предпочтительнее использовать импульсный имитатор, т.к. он создает меньший добавочный нагрев солнечного элемента во время измерений.
Методика измерений
3.1. Установить на испытуемом солнечном элементе датчик температуры таким образом, чтобы обеспечить измерение температуры с погрешностью не более ±0,5 °С.
3.2. Испытуемый солнечный элемент установить на термостатируемый столик, обеспечив хороший тепловой контакт с поверхностью. Присоединить выводы датчика к управляющему блоку для передачи контрольного сигнала.
3.3. Испытуемый и эталонный солнечные элементы установить возможно ближе таким образом, чтобы их активные поверхности находились в рабочей плоскости имитатора.
Отклонение нормали испытуемого и эталонного солнечных элементов от оси пучка излучения не должно превышать ±5 °С.
3.4. Отрегулировать облученность в рабочей плоскости имитатора таким образом, чтобы ток короткого замыкания эталонного солнечного элемента при температуре (25±5) °С соответствовал его градуировочному значению.
Примечание. Если измерения проводят при температуре ниже температуры воздуха, то необходимо учесть возможность конденсации влаги на активных поверхностях испытуемого и эталонного элементов. Предупредить конденсацию влаги можно использованием потока сухого азота или помещением солнечных элементов в вакуумную камеру.
Повторять эту процедуру, каждый раз увеличивая температуру приблизительно на 10 °С до максимального заданного значения температурного диапазона.
3.7. Повторить операции по пп.3.1-3.6 со всеми испытуемыми солнечными элементами.
4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ
4.1. Измерить вольт-амперную характеристику испытуемого образца при двух значениях облученности (знать точное значение облученности обязательно). Измерения следует проводить при комнатной температуре, причем температура образца в двух измерениях может отличаться не более чем на 2 °С.
5. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА КОРРЕЛЯЦИИ КРИВОЙ
Коэффициент может быть определен на имитаторе солнечного излучения по следующей методике.
Примечание. Когда измеряют характеристики модуля, необходимо при установке герметизированного модуля в температурно-контролируемой камере с пропускающим окном обеспечить однородность температуры солнечного элемента в пределах ±2 °С предполагаемого уровня.