ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты.

ГОСТ 19656.14-79

Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

 ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ

 Метод измерения критической частоты

 Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency

     Дата введения 1981-01-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 сентября 1979 г. N 3457 срок действия установлен с 01.01 1981 г. до 01.01 1986 г.*

Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты

.

Общие условия должны соответствовать ГОСТ 19656.0-74 и ГОСТ 18986.0-74.

 1. ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЙ

1.1. Метод основан на измерении полного входного сопротивления измерительной диодной камеры с включенным в нее измеряемым диодом.

1.2. Режим измерения (уровень СВЧ мощности, частота, напряжение и ток смещения) устанавливается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

 2. АППАРАТУРА

2.1. Измерения следует производить на установке, структурная схема и требования к элементам которой должны соответствовать ГОСТ 19656.11-75.

2.2. Допускается применять эквиваленты диодов в режимах короткого замыкания и холостого хода, обеспечивающие те же фазы стоячей волны, что и измеряемые диоды в режимах прямого и обратного смещения с погрешностью, установленной в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

 3. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ

3.1. Подготовку и проведение измерений следует производить в соответствии с ГОСТ 19656.11-75.

3.2. Для диодов с общей емкостью более 1,0 пФ допускается плоскость отсчета определять при короткозамкнутом центральном проводнике измерительной диодной камеры.

 4. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

4.1. Критическую частоту

в ГГц следует определять по формуле

,             (1)

где

;

;

;

;

;

;

;

;

;

;

- значения, определяемые по ГОСТ 19656.11-75, мм;

- длина волны в измерительной линии, мм;

- скорость света 3 -10

мм/с.

4.1.1. При выполнении условий:

;

критическую частоту

в ГГц определяют по формуле

.                            (2)

4.1.2. При применении эквивалентов диодов, соответствующих требованиям п.2.2, критическую частоту определяют по формуле

.                         (3)

4.1.3. При известных значениях прямого сопротивления потерь, обратного сопротивления потерь и емкости структуры диода критическую частоту определяют по формуле

,                                    (4)

где

- общая емкость диода, измеренная по ГОСТ 18986.4-73, Ф;

- конструктивная емкость диода, устанавливаемая в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Ф;

- прямое сопротивление потерь, измеренное по ГОСТ 19656.11-75, Ом;

- обратное сопротивление потерь, измеренное по ГОСТ 19656.11-75, Ом.

 5. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЙ

5.1. Погрешность измерения критической частоты должна быть в пределах ±35% с вероятностью

0,997 для значений

менее 400 ГГц, и в пределах ±50% с вероятностью

0,997 для значений

свыше 400 ГГц, при измерении в диапазоне частот 0,5-5 ГГц.

При измерениях на других частотах погрешность измерения критической частоты устанавливается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

Расчет погрешности измерений приведен в справочном приложении.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

1. Расчет погрешности измерения критической частоты  

Погрешность измерения

определяется по формуле

,            (1)

где

- погрешность измерения общей емкости диода (ГОСТ 18986.4-73);

- погрешность измерения конструктивной емкости диода (ГОСТ 18986.4-73);

- погрешность измерения прямого сопротивления потерь (ГОСТ 19656.11-75);

- погрешность измерения обратного сопротивления потерь (ГОСТ 19656.11-75);

,

- значения, определяемые по формулам.

;                                                   (2)

;                                                (3)

 

0,5;                                                          (4)

0,5;                                                       (5)

2. Пример расчета погрешности  

Данные для расчета:

5 ГГц;

0,191 мм;

0,191 мм;

0,57 мм;

0,3 мм;

1,8 мм;

13,6 мм;

11,5 мм;

0,26 пФ;

0,1 пФ;

50 Ом.

В результате вычислений по формулам ГОСТ 19656.11-75, ГОСТ 18986.4-73 и формулам (1)-(5) настоящего приложения получаем:

1,04 Ом;

6,8 Ом;

22,6%;

18%;

13%;

25%;

1,710;

0,715.

Значение погрешности измерения

равно

%;

, рассчитанная для данного случая по формуле (4) настоящего стандарта, равна 400 ГГц.

Погрешность измерения критической частоты при расчете по упрощенным формулам (2), (3) настоящего стандарта не превышает значений, указанных в разд.5.