ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения.

ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения.

ГОСТ 21934-83

Группа Э00

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА

Термины и определения

Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices.

Terms and definitions

МКС 01.040.31

31.080

ОКСТУ 6250

Дата введения 1984-07-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25 апреля 1983 г. N 2043 дата введения установлена 01.07.84

ВЗАМЕН ГОСТ 21934-76, ГОСТ 22899-78

ИЗДАНИЕ с Изменением N 1, утвержденным в августе 1984 г. (ИУС 12-84).

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.

Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767-80 в части фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (см. приложение 2) и СТ СЭВ 3787-82 в части раздела 2.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте имеется приложение 1, содержащее общие понятия, используемые в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым.


Термин	Буквенное обозначение					Определение
	русское		междуна- родное
1. Фоточувствительный полупроводниковый прибор D. Photoempfindliches Halbleiterbauelement Е. Photosensitive semiconductor device F. Dispositif semiconducteur photosensible	-		-			Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра
2. Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения ФЭПП D. Halbleiterphotoelement Е. Photoelectric semiconductor detector F.	-		-			Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике
3. Фотоприемное устройство ФПУ	-		-			Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию
ВИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ
4. Многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Многоспектральный ФЭПП D. Е. Multi-band photodetector F. plusieurs gammes	-		-			Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий два и более фоточувствительных элементов с различными диапазонами спектральной чувствительности
5. Одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Одноэлементный ФЭПП D. Е. Single-element detector F.	-		-			Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент
6. Многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Многоэлементный ФЭПП D. Е. Multi-element detector F. multiple	-		-			Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения с числом фоточувствительных элементов больше одного. Примечание. Допускается применять термин "двух-, трех-, четырехэлементный" фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
7. Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Координатный ФЭПП D. Ortsempfindlicher Е. Position-sensitive detector	-		-			Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности
8. Гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Гетеродинный ФЭПП D. Е. Heterodyne detector F.	-		-			Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения
9. Иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Иммерсионный ФЭПП D. Е. Immersed detector F. immersion	-		-			Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий иммерсионный сигнал
10. Фоторезистор D. Photowiderstand Е. Photoconductive cell F. Cellule photoinductive	-		-			Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости
11. Фотодиод D. Photodiode E. Photodiode F. Photodiode	-		-			Полупроводниковый диод с переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
12. фотодиод D. Pin-Photodiode E. Pin-Photodiode F. Pin-Photodiode	-		-			Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной
13. Фотодиод с барьером Шоттки D. Schottky-Photodiode E. Schottky-Barrier-Photodiode	-		-			Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом
14. Фотодиод с гетеропереходом D. Photodiode mit E. Heterojunction photodiode	-		-			Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Примечание. Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны
15. Лавинный фотодиод D. Lawinenphotodiode E. Avalanche photodiode F. Photodiode avalanche	-		-			Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле
16. Инжекционный фотодиод D. Injektionsphotodiode E. Injection photodiode F. Photodiode d’injection	-		-			Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда
17. Фототранзистор D. Phototransistor E. Phototransistor F. Phototransistor	-		-			Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект
18. Полевой фототранзистор D. Photofeldeffekttransistor E. Field effect phototransistor F. Phototransistor effet de champ	-		-			Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора
19. Биполярный фототранзистор D. Bipolarphototransistor E. Bipolar phototransistor F. Phototransistor bipolaire	-		-			Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора
20. Охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Охлаждаемый ФЭПП D. E. Cooled detector F. refroidi	-		-			Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента
ВИДЫ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
21. Одноэлементное фотоприемное устройство Одноэлементное ФПУ	-			-		Фотоприемное устройство, в котором используется одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
22. Многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами Многоэлементное ФПУ с разделенными каналами	-			-		Фотоприемное устройство, имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных элементов
23. Многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней коммутацией Многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией	-			-		Фотоприемное устройство с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов фотоприемного устройства меньше, чем число фоточувствительных элементов
24. Многоспектральное фотоприемное устройство Многоспектральное ФПУ	-			-		Фотоприемное устройство, содержащее многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
25. Фоточувствительный полупроводниковый сканистор						Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки
26. Охлаждаемое фотоприемное устройство Охлаждаемое ФПУ	-			-		Фотоприемное устройство, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используется охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
27. Монолитное фотоприемное устройство Монолитное ФПУ	-			-		Фотоприемное устройство, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке
28. Гибридное фотоприемное устройство Гибридное ФПУ	-			-		Фотоприемное устройство, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов
РЕЖИМЫ РАБОТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И (ИЛИ) ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА
29. Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим ОФ D. Durch Hintergrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des E. Background limited F. photodetecteur infrarouge limite par Ie rayonnement ambiant		-		-			Условия, при которых обнаружительная способность фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона
30. Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим ОГ		-		-			Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей
31. Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим ТГ		-		-			Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда в отсутствии полезного сигнала определяется только термической генерацией
32. Фотодиодный режим D. Sperrvorspannunsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle Е. Back-biased mode of photovoltaic detector operation F. de fonctionnement du photovoltaique au contretension de polarisation		-		-			Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении
33. Лавинный режим работы фотодиода D. der Photodiode Е. Avalanche mode of photodiode operation		-		-			Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода
34. Фотогальванический режим D. Nullvorspannungsbetriebsweiese der Halbleiterphotovoltzelle Е. Zero-bias mode of photovoltaic detector operation F. de fonctionnement du photovoltaique		-		-			Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения
35. Режим работы фототранзистора с плавающей базой D. Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis Е. Floating-base phototransistor operation F. du phototransistor de basis flottante		-		-			Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе
36. Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим короткого замыкания ФЭПП D. Kurzschlussbetrieb des Е. Short-circuit mode of detector operation F. Fonctionnement du court-circuit		-		-			Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором внешнее нагрузочном сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП
37. Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим холостого хода ФЭПП D. Leerlaufbetrieb des Е. Open-circuit mode of detector operation F. Fonctionnement du circuit ouvert		-		-			Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором выходное динамическое сопротивление ФЭПП пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки
38. Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой D. bei Anpassung E. Matched impedance mode of detector operation F. de fonctionnement du du resistance de charge		-		-			Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению ФЭПП
39. Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП D. bei E. Heterodyne reception mode of detector operation F. de fonctionnement du operation		-		-			Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором происходит смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление полезного сигнала
КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА
40. Фоточувствительный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Фоточувствительный элемент D. Lichtempfindliches Element eines E. Detector sensitive element F. sensible du		-		-			Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры и предназначенная для приема оптического излучения
41. Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Вывод ФЭПП D. E. Detector terminal F. Branchement du		-		-			Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью
42. Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Контакт фоточувствительного элемента		-		-			Участок фоточувствительного элемента, обеспечивающий электрическую связь вывода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с фоточувствительным элементом
43. Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Корпус ФЭПП D. E. Photodetector package F. Boitier du		-		-			Часть конструкции фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов
44. Иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Иммерсионный элемент ФЭПП D. E. Detector optical immersion element F. immersion du		-		-			Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения
45. Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Подложка ФЭПП D. Schichttrager des Е. Detector-film base		-		-			Конструктивный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, на который наносится фоточувствительный слой
46. Входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Входное окно ФЭПП D. Е. Detector window F.		-		-			Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и пропускающий излучение к фоточувствительному элементу
47. Апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Апертурная диафрагма ФЭПП D. Aperturblende des Е. Detector aperture stop F. Diaphragme d’ouverture du		-		-			Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
48. Выход фотоприемного устройства		-		-			Часть фотоприемного устройства, обеспечивающая связь фотоприемного устройства с внешней электрической цепью
ПАРАМЕТРЫ НАПРЯЖЕНИЙ, СОПРОТИВЛЕНИЙ, ТОКОВ ФЭПП
49. Рабочее напряжение ФЭПП D. Betriebsspannung Е. Operating voltage F. Tension de Tension de service							Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе
50. Пробивное напряжение фотодиода D. Durchbruchspannung einer Photodiode Е. Breakdown voltage of a photodiode F. Tension de claquage de photodiode							Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения
51. Максимально допустимое напряжение ФЭПП D. Maximal Spannung Е. Maximum admissible voltage F. Tension maximale admissible							Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе
52. Электрическая прочность изоляции ФЭПП D. Isolationsfestigkeit Е. Insulating strength F. d’isolement							Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции
53. Дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП D. Differentieller electrischer Widerstand Е. Differential electrical resistance F. differentielle							Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП
54. Статическое сопротивление ФЭПП D. Statischer Widerstand Е. Static resistance F. statique							Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току
55. Темновое сопротивление ФЭПП D. Dunkelwiderstand Е. Dark resistance F. Resistance							Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности*
56. Сопротивление фотодиода при нулевом смещении D. Nullpunktwiderstand einer Photodiode Е. Zero bias resistance of a photodiode F. du point de photodiode							Сопротивление фотодиода по постоянному току вблизи нулевой точки вольт-амперной характеристики при малых напряжениях смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной чувствительности*
57. Световое сопротивление ФЭПП D. Hellwiderstand Е. Resistance under illumination F. sous							Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности
58. Темповой ток ФЭПП D. Dunkelstrom Е. Dark current F. Courant							Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
59. Фототок ФЭПП D. Photostrom Е. Photocurrent F. Photocourant							Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением. Примечание. Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП
60. Общий ток ФЭПП D. Gesamtstrom Е. Total current F. Courant total							Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока
61. Напряжение фотосигнала ФЭПП D. Photosignalspannung Е. Photoelectric signal voltage F. Tension de signal							Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала. Примечание. Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке
62. Ток фотосигнала ФЭПП D. Photosignalstrom Е. Photoelectric signal current F. Courant de signal							Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала
ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФЭПП**
63. Чувствительность ФЭПП D. Ansprechempfindlichkeit Е. Responsivity F.							Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной
64. Чувствительность ФЭПП к потоку излучения D. Е. Radiant flux responsivity F. au flux							-
65. Чувствительность ФЭПП к световому потоку D. Lichtstromempfindlichkeit Е. Luminous flux responsivity F. au flux lumineux							-
66. Чувствительность ФЭПП к облученности D. Е. Irradiance responsivity F.							-
67. Чувствительность ФЭПП к освещенности D. Е. Illumination responsivity F. lumineux							-
68. Токовая чувствительность ФЭПП D. Stromempfindlichkeit Е. Current responsivity F. en courant							-
69. Вольтовая чувствительность ФЭПП D. Spannungsempfindlichkeit Е. Voltage responsivity F. en tension							-
70. Интегральная чувствительность ФЭПП D. Gesamtempfindlichkeit Е. Total responsivity F. globale							Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава
71. Монохроматическая чувствительность ФЭПП D. Monochromatische Empfindlichkeit Е. Monochromatic responsivity F. monochromatique							Чувствительность ФЭПП к монохроматическому излучению
72. Статическая чувствительность ФЭПП D. Statische Empfindlichkeit Е. Static responsivity F. statique							Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения
73. Дифференциальная чувствительность ФЭПП D. Differentielle Empfindlichkeit Е. Differential responsivity F.							Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения
74. Импульсная чувствительность ФЭПП D. Impulsempfindlichkeit Е. Pulse responsivity F. d’impulsions							Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции
75. Наклон люксомической характеристики фоторезистора D. Steilheit der Lux-Ohm-Kennlinie Е. Illuminance-resistance characteristique slope F. Pente de							Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе
ПАРАМЕТРЫ ПОРОГА И ШУМА ФЭПП
76. Ток шума ФЭПП D. Rauschstrom Е. Noise current F. Courant de bruit							Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот
77. Напряжение шума ФЭПП D. Rauschspannung Е. Noise voltage F. Tension de bruit							Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот
78. Порог чувствительности ФЭПП Порог D. Rauschleistung Е. Noise equivalent power F. Puissance au bruit				,			Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения. Примечание. Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь
79. Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот Порог в единичной полосе частот D. Rauschleistung im Einheitsfrequenzband Е. Unit frequency bandwidth noise equivalent power F. Puissance au bruit dans une bande passante des unitaire							Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения
80. Удельный порог чувствительности ФЭПП Удельный порог D. Spezifische Rauschleistung Е. Specific noise equivalent power F. Puissance au bruit		*		*			Порог чувствительности ФЭПП, приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади фоточувствительному элементу
81. Обнаружительная способность ФЭПП D. R. Detectivity F.							Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП
82. Удельная обнаружительная способность ФЭПП D. Spezifische Е. Specific detectivity F.		*		*			Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП
83. Радиационный порог чувствительности ФЭПП Е. Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP) F. Puissance au bruit du philra							Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры
ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ
84. Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП D. der maximalen Spektralempfindlichkeit Е. Peak spectral response wavelength F. Longueur d’onde de la spectrale maximale							Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности
85. Коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП D. Kurzwellengrenze Е. Short wavelength limit							Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения
86. Длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП D. Langwellengrenze Е. Long wavelength limit							Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения
87. Область спектральной чувствительности ФЭПП D. Spektraler Empfindlichkeitsbereich Е. Spectral sensitivity range F. Part sensible spectral							Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10% своего максимального значения
ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП
88. Эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП D. des Fuhlelements Е. Effective area of the responsive element F. Aire efficace de							Площадь фоточувствительного элемента эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно распределена по фоточувстительному элементу и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП. Примечание. Определяется соотношением , где - чувствительность к потоку при облучении фоточувствительного элемента точечным пятном с координатами ; - площадь этого фоточувствительного элемента. В качестве номинального значения локальной чувствительности , как правило, выбирается максимальная чувствительность точки в центре ФЭПП (в точке, ). Для ФЭПП с резкими неоднородностями чувствительности (микроплазмами, выбросами чувствительности на краях) методика выбора оговаривается дополнительно
89. Плоский угол зрения ФЭПП D. Gesichtsfeldwinkel Е. Angular field of view F. Angle d’ouverture							Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня
90. Эффективное поле зрения ФЭПП D. Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel Е. Effective weighted solid angle F. Angle solide efficace							Телесный угол, определяемый соотношением где - напряжение фотосигнала ФЭПП; допускается замена параметра на , ; - угол между направлением падающего излучения и нормалью к фоточувствительному элементу; - азимутальный угол
ПАРАМЕТРЫ ИНЕРЦИОННОСТИ ФЭПП
91. Время нарастания ФЭПП Время нарастания D. Anstiegszeit der normierten Е. Rise time of the normalized transfer characteristic F. Temps de de transmission							Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно
92. Время спада ФЭПП Время спада D. Abfallzeit der normierter Е. Decay time of the normalized inverse transfer characteristic F. Temps de descente de de transmission inverse							Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно
93. Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню Время установления D. Einstellzeit der normierten Е. Set-up time of the normalized transfer characteristic F. Temps de transmission				-			Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики от установившегося значения не превышает : при
94. Предельная частота ФЭПП D. Grenzfrequenz Е. Cut-off frequency F. de coupure							Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении
95. Емкость ФЭПП D. Е. Capacitance F.							-
96. Последовательное сопротивление фотодиода D. Reihenwiderstand einer Photodiode Е. Series resistance F.							Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода
ПАРАМЕТРЫ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФЭПП
97. Число элементов ФЭПП D. Е. Element number F. Nombre des				-			-
98. Шаг элементов ФЭПП D. Rastermass Е. Pitch F. Ecartement							Расстояние между центрами двух соседних фоточувствительных элементов ФЭПП
99. Межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП D. Е. Element spacing F. Espacement des							Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП
100. Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП D. Photoelektrischer Kopplungsfaktor Е. Photoelectric coupling coefficient F. Coefficient de couplage							Отношение напряжения сигнала с необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики
101. Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП D. Parameterstreuung Е. Figure ol merit straggling F. Dispersion de figure de							Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра. Примечание. В буквенном обозначении вместо "X" следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра
ПАРАМЕТРЫ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ***
102. Напряжение на коллекторе фототранзистора D. Kollektorspannung Е. Collector voltage F. Tension du collecteur								Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора
103. Напряжение на эмиттере фототранзистора D. Emitterspannung Е. Emitter voltage F. Tension								Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора
104. Напряжение на базе фототранзистора D. Basisspannung Е. Base voltage F. Tension de base								Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors Е. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage de phototransistor								Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors Е. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage collecteur-base de phototransistor								Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors Е. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage de pbototransistor								Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors Е. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage de phototransistor								Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
109. Темновой ток коллектора фототранзистора D. Kollektordunkelstrom Е. Collector dark current F. Courant du collecteur		, ,		, ,				-
110. Темновой ток эмиттера фототранзистора D. Emitterdunkelstrom Е. Emitter dark current F. Courant		, ,		, ,				-
111. Темновой ток базы фототранзистора D. Basisdunkelstrom Е. Base dark current F. Courant de base		, ,		, ,				-
112. Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора D. Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors Е. Collector-emitter dark current of a phototransistor F. Courant de phototransistor								Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors E. Collector-base dark current of a phototransistor F. Courant collecteur-base de phototransistor								Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
114. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors E. Emitter-base dark current of a phototransistor F. Courant de phototransistor								Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
115. Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора D. Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors E. Emitter-collector dark current of a phototransistor F. Courant de phototransistor								Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
116. Фототок коллектора фототранзистора D. Kollektorfotostrom eines Phototransistors E. Collector photocurrent of a phototransistor F. Photocourant du collecteur de phototransistor		, ,		, ,				-
117. Фототок эмиттера фототранзистора D. Emitterphotostrom eines Phototransistors E. Emitter photocurrent of a phototransistor F. Photocourant d’emetteur de phototransistor		, ,		, ,				-
118. Фототок базы фототранзистора D. Basisfotostrom eines Phototransistors E. Base photocurrent of a phototransistor F. Photocourant de base de phototransistor		, ,		, ,				-
119. Общий ток коллектора фототранзистора D. Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors E. Collector total current of a phototransistor F. Courant total du collecteur de phototransistor		, ,		, ,				-
120. Общий ток эмиттера фототранзистора D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors E. Emitter total current of a phototransistor F. Courant total de phototransistor		, ,		, ,				-
121. Общий ток базы фототранзистора D. Basisgesamtstrom eines Phototransistors E. Base total current of a phototransistor F. Courant total de base de phototransistor		, ,		, ,				-
122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors E. Collector-emitter total current of a phototransistor F. Courant total de phototransistor								Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
123. Общий ток коллектор-база фототранзистора D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors E. Collector-base total current of a phototransistor F. Courant total collecteur-base de phototransistor								Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
124. Токовая чувствительность фототранзистора D. Stromempfindlichkeit eines Phototransistors E. Current responsivity of the phototransistor F. en courant du phototransistor		, ,		-				Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току
125. Вольтовая чувствительность фототранзистора D. Spannungsempfindlichkeit eines Phototransistors E. Voltage responsivity of the phototransistor F. en tension du phototransistor		, ,		-				Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току
126. Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора D. E. Photocurrent gain factor F. Gain de photocourant				-				Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме
ПАРАМЕТРЫ КООРДИНАТНЫХ ФОТОДИОДОВ
127. Линейная зона координатной характеристики координатного фотодиода				-			Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения
128. Дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного фотодиода				-			Отношение малого приращения фотосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения
129. Статическая крутизна координатной характеристики координатного фотодиода				-			Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения
130. Нулевая точка координатного фотодиода							Координата энергетического центра светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю
131. Выходное сопротивление координатного фотодиода							Отношение напряжения фотосигнала холостого хода координатного фотодиода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения
ПАРАМЕТРЫ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ
132. Коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода D. der Lawinenphotodiode Е. Dark current multiplication factor of the avalanche photodiode F. Facteur de multiplication de courant de photodiode avalanche							Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току - к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях
133. Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода D. Photostromvervielfachungsfaktor Е. Photocurrent multiplication factor F. Facteur de multiplication de photocourant							Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях. Примечание. Если фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения
134. Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода D. Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung Е. Operating voltage constant keeping accuracy							Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока изменяется в заданных пределах
135. Температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода D. Temperaturkoeffizient der Betribsspannung Е. Operating voltage temperature coefficient F. Coefficient de temprature de tension de							Отношение изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре. Примечание. При малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения; если диапазон изменения температур большой - статический температурный коэффициент рабочего напряжения
ПАРАМЕТРЫ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОДИОДОВ
136. Коэффициент усиления инжекционного фотодиода D. der Injectionsphotodiode E. Injection photodiode gain F. Gain de photodiode injection					-		Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме
137. Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода D. Relativer E. Relative gain F. Gain relatif					-		Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне. Примечание. Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений
ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП
138. Рассеиваемая мощность ФЭПП D. Gesamtverlustleistung E. Total power dissipation F. Dissipation totale de puissance								Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения
139. Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП D. Maximal Verlustleistung E. Maximum admissible power dissipation F. Puissance maximale admissible								Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе
140. Критическая мощность излучения для ФЭПП					-			Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня
141. Динамический диапазон ФЭПП D. Dynamischer Bereich E. Dynamic range F. Gamme dynamique					-			Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот. Примечание. Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня
142. Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу D. der Empfindlichkeit E. Spacing response non-uniformity F.					-			Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП , измеренной при перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности
143. Нестабильность сопротивления ФЭПП D. des Widerstandes E. Resistance unstability coefficient F. Coefficient de de					-			Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению
144. Нестабильность темнового тока ФЭПП D. des Dunkelstromes E. Dark current unstability coefficient F. Coefficient de du courant					-			Отношение максимального отклонения темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания приемника к среднему значению:
145. Нестабильность чувствительности ФЭПП D. der Empfindlichkeit E. Response unstability coefficient F. Coefficient de de la					-			Отношение максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению
146. Температурный коэффициент фототока ФЭПП D. Temperaturkoeffizient des Photostromes E. Photocurrent-temperature coefficient F. Coefficient de du photocourant					-			Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности)
147. Световая нестабильность ФЭПП D. E. Light unstability F. lumineuse					-			Изменение светового сопротивления ФЭПП, происшедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении
148. Температура выхода на режим оптической генерации								-
149. Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП E. Cooldown time								Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП достигают заданного уровня
150. Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП D. Betriebszeit E. Independent operating time F. autonome								Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня
СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП
151. Спектральная характеристика чувствительности ФЭПП D. Spektrale Empfindlichkeit E. Spectral sensitivity F. spectrale								Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения
152. Абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП D. Absolute spektrale Empfindlichkeitskennlinie E. Absolute spectral-response characteristic F. spectrale absolue								Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения
153. Относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП D. Relative spektrale Empfindlichkeitskennlinie								Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения
ВОЛЬТОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП
154. Вольт-амперная характеристика ФЭПП D. Strom-Spannungs-Kennlinie E. Current-voltage characteristic F. couranttension									Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения
155. Входная вольт-амперная характеристика фототранзистора D. Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie E. Input current-voltage characteristic F. couranttension									Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения
156. Выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора D. Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie E. Output current-voltage characteristic F. couranttension de sortie									Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения
157. Вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП D. der Empfindlichkeit E. Bias voltage response characteristic									Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения
158. Вольтовая характеристика тока шума ФЭПП D. des Rauschstromes E. Bias noise current characteristic									Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП
159. Вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП D. der Rauschspannung E. Bias noise voltage characteristic									Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП
160. Вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП D. der E. Bias detectivity characteristic									Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему
161. Вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода D. des Vervielfachungsfaktors der Lawinenphotodiode E. Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode		,			,				Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему
ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗАВИСИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ ФЭПП ОТ ПОТОКА ИЗЛУЧЕНИЯ
162. Энергетическая характеристика фототока ФЭПП D. des Photostroms von dem Strahlungsfluss E. Photocurrent-radiant flux characteristic								Зависимость фототока ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП
163. Энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП D. der Photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss E. Photoelectric signal voltage-radiant flux characteristic								Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП
164. Энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора D. des statischen Widerstands E. Radiant power-static resistance characteristic								Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторезистор
165. Люксомическая характеристика фоторезистора D. des inneren Widerstands von der E. Resistance-Illuminance characteristic					,			Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор
166. Люкс-амперная характеристика ФЭПП D. des Photostroms von der E. Photocurrent-Illuminance characteristic								Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП
167. Входная энергетическая характеристика фототранзистора		,			-			Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе
168. Выходная энергетическая характеристика фототранзистора					-			Зависимость электрического тока на выходе фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе
ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП
169. Частотная характеристика чувствительности ФЭПП D. Frequenzgang der Empfindlichkeit E. Frequency response characteristic F. de la								Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения
170. Спектр тока шума ФЭПП D. Rauschstromspektrum Е. Noise current spectrum F. Spectre du courant de bruit								Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам
171. Спектр напряжения шума ФЭПП D. Rauschspannungsspektrum Е. Noise voltage spectrum F. Spectre de la tension de bruit								Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам
172. Частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП Е. Specific detectivity frequency dependence								Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения
ФОНОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП
173. Фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП D. des Hellwiderstands von dem Hintergrundstrahlungsfluss Е. Resistance under illumination-background radiant flux characteristic					,			Зависимость сопротивления ФЭПП от немодулированного потока излучения фона
174. Фоновая характеристика чувствительности ФЭПП D. der Empfindlichkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss Е. Responsivity-background radiant flux characteristic								Зависимость чувствительности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона
175. Фоновая характеристика тока шума ФЭПП D. des Rauschstroms von dem Hintergrundstrahlungsfluss Е. Noise current-background radiant flux characteristic								Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона
176. Фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП D. der Rauschspannung von dem Hintergrundstrahlungsfluss Е. Noise voltage-background radiant flux characteristic								Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона
177. Фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот D. der equivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungsleistung Е. NEP-background radiant flux characteristic					-			Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона
178. Фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП D. der spezifischen von dem Hintergrundstrahlungsfluss Е. Specific detectivity-background radiant flux characteristic								Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП
179. Температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП D. Temperaturverlauf des Hellwiderstands Е. Resistance under illumination-temperature characteristic					,			-
180. Температурная характеристика темнового сопротивления ФЭПП D. Temperaturverlauf des Dunkelwider-stands Е. Dark resistance-temperature characteristic					-			-
181. Температурная характеристика темнового тока ФЭПП D. Temperaturverlauf des Dunkelstroms Е. Dark current-temperature characteristic								-
182. Температурная характеристика чувствительности ФЭПП D. Temperaturverlauf der Empfindlichkeit Е. Responsivity-temperature characteristic								-
183. Температурная характеристика тока шума ФЭПП D. Temperaturverlauf des Rauschstroms Е. Noise current-temperature characteristic								-
184. Температурная характеристика напряжения шума ФЭПП D. Temperaturverlauf der Rauschspannung Е. Noise voltage-temperature characteristic								-
185. Температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот D. Temperaturverlauf der Rauschleistung im Einheitsfrequenzhand Е. NEP-temperature characteristic					-			-
186. Температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП D. Temperaturverlauf der spezifischen Е. Specific detectivity-temperature characteristic								-
187. Температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода D. Temperaturverlauf der Nullpunktdrift Е. Zero drift-temperature characteristic								Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры
ВРЕМЕННЫЕ И ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП
188. Переходная нормированная характеристика ФЭПП D. Normierte Е. Normalized transfer charakteristic F. de transmission					-			Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени. Примечание. Импульс излучения в форме единичной степени описывается выражением В общем случае переходная нормированная характеристика может иметь вид:
189. Обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП D. Normierte Е. Normalized inverse transfer characteristic F. de transmission inverse					-			Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения. Примечание. Поток излучения при резком прекращении воздействия описывается выражением
190. Координатная характеристика координатного фотодиода					-			Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода
191. Временной дрейф нулевой точки координатного фотодиода Дрейф нуля D. Nullpunktdrift Е. Zero drift								Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени
192. Распределение чувствительности по элементу ФЭПП D. Е. Responsivity surface distribution F. Distribution superficielle de la								Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда на светочувствительном элементе
193. Угловая характеристика чувствительности ФЭПП D. Empfindlichkeitswinkelverteilung Е. Responsivity directional distribution F. Distribution directionnelle de la								Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости фоточувствительного элемента

________________

* На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.

** Термины 64-74 могут употребляться в различных комбинациях. Например, вольтовая интегральная чувствительность

(комбинация терминов 69 и 70), вольтовая монохроматическая чувствительность

(комбинация терминов 69 и 71), токовая чувствительность к освещенности

и токовая чувствительность к световому потоку

(комбинация терминов 68 с 65 и 67).

Буквенные обозначения при этом формируются из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации.

В случаях, когда в тексте указана размерность чувствительности, допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.

*** Верхний индекс "

", "

" в пп.102-125 указывает на схему включения фототранзистора соответственно с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором.

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП	150
Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП	149
Время нарастания	91
Время нарастания ФЭПП	91
Время спада	92
Время спада ФЭПП	92
Время установления	93
Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню	93
Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	41
Вывод ФЭПП	41
Выход фотоприемного устройства	48
Диапазон ФЭПП динамический	141
Диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения апертурная	47
Диафрагма ФЭПП апертурная	47
Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП	84
Граница спектральной чувствительности ФЭПП длинноволновая	86
Граница спектральной чувствительности ФЭПП коротковолновая	85
Дрейф нулевой точки координатного фотодиода временной	191
Дрейф нуля	191
Емкость ФЭПП	95
Зазор многоэлемеитного ФЭПП межэлементный	99
Зона координатной характеристики координатного фотодиода линейная	127
Контакт фоточувствительного элемента	42
Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	42
Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	43
Корпус ФЭПП	43
Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода	137
Коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода температурный	135
Коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода	132
Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода	133
Коэффициент усиления инжекционного фотодиода	136
Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора	126
Коэффициент фототока ФЭПП температурный	146
Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП	100
Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода дифференциальная	128
Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода статическая	129
Мощность излучения для ФЭПП критическая	140
Мощность ФЭПП рассеиваемая	138
Мощность ФЭПП рассеиваемая максимально допустимая	139
Наклон люксомической характеристики фоторезистора	75
Напряжение коллектор-база фототранзистора пробивное	106
Напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора пробивное	105
Напряжение на базе фототранзистора	104
Напряжение на коллекторе фототранзистора	102
Напряжение на эмиттере фототранзистора	103
Напряжение фотодиода пробивное	50
Напряжение фотосигнала ФЭПП	61
Напряжение ФЭПП максимально допустимое	51
Напряжение ФЭПП рабочее	49
Напряжение шума ФЭПП	87
Напряжение эмиттер-база фототранзистора пробивное	107
Напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора пробивное	108
Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу	142
Нестабильность сопротивления ФЭПП	143
Нестабильность темнового тока ФЭПП	144
Нестабильность ФЭПП световая	147
Нестабильность чувствительности ФЭПП	145
Область спектральной чувствительности ФЭПП	87
Окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения входное	46
Окно ФЭПП входное	46
Площадь ФЭПП фоточувствительная эффективная	88
Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	45
Подложка ФЭПП	45
Поле зрения ФЭПП эффективное	90
Порог	78
Порог в единичной полосе частот	79
Порог удельный	80
Порог чувствительности ФЭПП	78
Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот	79
Порог чувствительности ФЭПП радиационный	83
Порог чувствительности ФЭПП удельный	80
Прибор полупроводниковый фоточувствительный	1
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический	2
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический гетеродинный	8
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический иммерсионный	9
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический координатный	7
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоспектральный	4
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоэлементный	6
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический одноэлементный	5
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический охлаждаемый	20
Прочность изоляции ФЭПП электрическая	52
фотодиод	12
Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП	101
Распределение чувствительности по элементу ФЭПП	192
Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	36
Режим короткого замыкания ФЭПП	36
Режим ОГ	30
Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	29
Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	39
Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП	39
Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	30
Режим ОФ	29
Режим работы фотодиода лавинный	33
Режим работы фототранзистора с плавающей базой	35
Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой	38
Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой	38
Режим ТГ	31
Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	31
Режим фотогальванический	34
Режим фотодиодный	32
Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	37
Режим холостого хода ФЭПП	37
Сканистор полупроводниковый фотоэлектрический фоточувствительный	25
Сопротивление координатного фотодиода выходное	131
Сопротивление фотодиода последовательное	96
Сопротивление фотодиода при нулевом смещении	56
Сопротивление ФЭПП световое	57
Сопротивление ФЭПП статическое	54
Сопротивление ФЭПП темновое	55
Сопротивление ФЭПП электрическое дифференциальное	53
Спектр напряжения шума ФЭПП	171
Спектр тока шума ФЭПП	170
Способность ФЭПП обнаружительная	81
Способность ФЭПП обнаружительная удельная	82
Температура выхода на режим оптической генерации	148
Ток базы фототранзистора общий	121
Ток базы фототранзистора темновой	111
Ток коллектора фототранзистора общий	119
Ток коллектора фототранзистора темновой	109
Ток коллектор-база фототранзистора общий	123
Ток коллектор-база фототранзистора темновой	113
Ток коллектор-эмиттер фототранзистора общий	122
Ток коллектор-эмиттер фототранзистора темновой	112
Ток фотосигнала ФЭПП	62
Ток ФЭПП общий	60
Ток ФЭПП темновой	58
Ток шума ФЭПП	76
Ток эмиттер-база фототранзистора темновой	114
Ток эмиттер-коллектор фототранзистора темновой	115
Ток эмиттера фототранзистора общий	120
Ток эмиттера фототранзистора темновой	110
Точка координатного фотодиода нулевая	130
Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода	134
Угол зрения ФЭПП плоский	89
Устройство с внутренней коммутацией фотоприемное многоэлементное	23
Устройство с разделенными каналами фотоприемное многоэлементное	22
Устройство фотоприемное	3
Устройство фотоприемное гибридное	28
Устройство фотоприемное многоспектральное	24
Устройство фотоприемное монолитное	27
Устройство фотоприемное одноэлементное	21
Устройство фотоприемное охлаждаемое	26
Фотодиод	11
Фотодиод инжекционный	16
Фотодиод лавинный	15
Фотодиод с барьером Шоттки	13
Фотодиод с гетеропереходом	14
Фоторезистор	10
Фототок базы фототранзистора	118
Фототок коллектора фототранзистора	116
Фототок ФЭПП	59
Фототок эмиттера фототранзистора	117
Фототранзистор	17
Фототранзистор биполярный	19
Фототранзистор полевой	18
ФПУ	3
ФПУ гибридное	28
ФПУ многоспектральное	24
ФПУ монолитное	27
ФПУ одноэлементное	21
ФПУ охлаждаемое	26
ФПУ с внутренней коммутацией многоэлементное	23
ФПУ с разделенными каналами многоэлементное	22
ФЭПП	2
ФЭПП гетеродинный	8
ФЭПП иммерсионный	9
ФЭПП координатный	7
ФЭПП многоспектральный	4
ФЭПП многоэлементный	6
ФЭПП одноэлементный	5
ФЭПП охлаждаемый	20
Характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода температурная	187
Характеристика координатного фотодиода координатная	190
Характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода вольтовая	161
Характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетическая	163
Характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая	159
Характеристика напряжения шума ФЭПП температурная	184
Характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая	176
Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная	185
Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая	177
Характеристика светового сопротивления ФЭПП температурная	179
Характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая	173
Характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая	164
Характеристика темнового сопротивления ФЭПП температурная	180
Характеристика темнового тока ФЭПП температурная	181
Характеристика тока шума ФЭПП вольтовая	158
Характеристика тока шума ФЭПП температурная	183
Характеристика тока шума ФЭПП фоновая	175
Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая	160
Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП температурная	186
Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП фоновая	178
Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП частотная	172
Характеристика фоторезистора люксомическая	165
Характеристика фототока ФЭПП энергетическая	162
Характеристика фототранзистора вольт-амперная входная	155
Характеристика фототранзистора вольт-амперная выходная	156
Характеристика фототранзистора энергетическая входная	167
Характеристика фототранзистора энергетическая выходная	168
Характеристика ФЭПП вольт-амперная	154
Характеристика ФЭПП люксамперная	166
Характеристика ФЭПП нормированная переходная	188
Характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная	189
Характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая	157
Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная	151
Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсолютная	152
Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная относительная	153
Характеристика чувствительности ФЭПП температурная	182
Характеристика чувствительности ФЭПП угловая	193
Характеристика чувствительности ФЭПП фоновая	174
Характеристика чувствительности ФЭПП частотная	169
Частота ФЭПП предельная	94
Число элементов ФЭПП	97
Чувствительность фототранзистора вольтовая	125
Чувствительность фототранзистора токовая	124
Чувствительность ФЭПП	63
Чувствительность ФЭПП вольтовая	69
Чувствительность ФЭПП дифференциальная	73
Чувствительность ФЭПП импульсная	74
Чувствительность ФЭПП интегральная	70
Чувствительность ФЭПП к облученности	66
Чувствительность ФЭПП к освещенности	67
Чувствительность ФЭПП к потоку излучения	64
Чувствительность ФЭПП к световому потоку	65
Чувствительность ФЭПП монохроматическая	71
Чувствительность ФЭПП статическая	72
Чувствительность ФЭПП токовая	68
Шаг элементов ФЭПП	98
Элемент фоточувствительный	40
Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный	44
Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный	40
Элемент ФЭПП иммерсионный	44

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ


Abfallzeit der normierter	92
der Empfindlichkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss	174
der equivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungsleistung	177
der Photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss	163
der Rauschspannung von dem Hintergrundstrahlungsfluss	176
der spezifischen von dem Hintergrundstrahlungsfluss	178
des Hellwiderstands von dem Hintergrundstrahlungsfluss	173
des inneren Widerstands von der	165
des Photostroms von dem Strahlungsfluss	162
des Photostroms von der	166
des Rauschstroms von dem Hintergrundstrahlungsfluss	175
Absolute spektrale Empfindlichkeitskennlinie	152
Ansprechempfindlichkeit	63
Anstiegszeit der normierten	91
Aperturblende des	47
Rauschleistung	78
Rauschleistung im Einheitsfrequenzband	79
Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie	156
Basisdunkelstrom	111
Basisfotostrom eines Phototransistors	118
Basisgesamtstrom eines Phototransistors	121
Basisspannung	104
	67
	66
Betriebsspannung	49
der Empfindlichkeit	157
der Nachweisfahigkeit	160
der Rauschspannung	159
des Rauschstromes	158
des Vervielfachungsfaktors der Lawinenphotodiode	161
Bipolarphototransistor	19
Differentielle Empfindlichkeit	73
Differentieller elektrischer Widerstand	53
Dunkelstrom	58
der Lawinenphotodiode	132
Dunkelwiderstand	55
Durchbruchspannung einer Photodiode	50
Durch Hintergrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des	29
Dynamischer Bereich	141
Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel	90
	88
	5
Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie	155
Einstellzeit der normierten	93
Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors	114
Emitter-Basis- Durchbruchspannung eines Phototransistors	107
Emitterdunkelstrom	110
Emittergesamtstrom eines Phototransistors	120
Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors	115
Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung eines Phototransistors	108
Emitterphotostrom eines Phototransistors	117
Emitterspannung	103
	192
Empfindlichkeitswinkelverteilung	193
der Empfindlichkeit	142
Frequenzgang der Empfindlichkeit	169
Fuhlelementenabstand	99
	97
	20
Gesamtempfindlichkeit	70
Gesamtstrom	60
Gesamtverlustleistung	138
Gesichtsfeldwinkel	89
Grenzfrequenz	94
Halbleiterphotoelement	2
Hellwiderstand	57
	9
Impulsempfindlichkeit	74
Injektionsphotodiode	16
der Empfindlichkeit	145
des Dunkelstromes	144
des Widerstandes	143
Isolationsfestigkeit	52
	95
Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors	113
Kollektor-Basis-Durchbruchspannung eines Phototransistors	106
Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors	123
Kollektordunkelstrom	109
Kollektor-Emitter-Dunkelstrom eines Phototransistors	112
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung eines Phototransistors	105
Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors	122
Kollektorfotostrom eines Phototransistors	116
Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors	119
Kollektorspannung	102
Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung	134
Kurzschlussbetrieb des	36
Kurzwellengrenze	85
Langwellengrenze	86
Lawinenphotodiode	15
Leerlaufbetrieb des	37
Lichtempfindliches Element eines	40
	147
Lichtstromempfindlichkeit	65
Maximal Spannung	51
Maximal Verlustleistung	139
Monochromatische Empfindlichkeit	71
	4
	81
Normierte	188
Normierte	189
Nullpunktdrift	191
Nullpunktwiderstand einer Photodiode	56
Nullvorspannungsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle	34
Ortsempfindlicher Photoempfanger	7
Parameterstreuung	101
Photodiode	11
Photodiode mit	14
Photoelektrischer Kopplungsfaktor	100
	41
bei Anpassung	38
bei	39
	46
	43
	44
Phtoempfindliches Halbleiterbauelement	1
Photofeldeffekttransisfor	18
Photosignalstrom	62
Photostrom	59
	126
Photostromvervielfachungsfaktor	133
Phototransistor	17
Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis	35
Photowiderstand	10
Pin-Photodiode	12
Rastermass	98
Rauschspannung	77
Rauschspannungsspektrum	171
Rauschstrom	76
Rauschstromspektrum	170
Reihenwiderstand einer Photodiode	96
Relativer	137
Relative spectral Empfindlichkeitskennlinie	153
Schichttrager des	45
Schottky-Photodiode	13
Spannungsempfindlichkeit eines Phototransistors	125
Spektrale Empfindlichkeit	151
Spektraler Empfidlichkeitsbereich	87
Sperrvorspannungsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle	32
Spezifische Rauschleistung	80
Spezifische	82
Statische Empfindlichkeit	72
Statischer Widerstand	54
Steilheit der Lux-Ohm-Kennlinie	75
des statischen Widerstands	164
	64
Stromempfindlichkeit	68
Stromempfindlichkeit eines Phototransistors	124
Strom-Spannung-Kennlinie	154
Temperaturkoeffizient der Betriebsspannung	135
Temperaturkoeffizient des Photostromes	146
Temperaturverlauf der aquivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband	185
Temperaturverlauf der Empfindlichkeit	182
Temperaturverlauf der Nullpunktdrift	187
Temperaturverlauf der Rauschspannung	184
Temperaturverlauf der spezifischen	186
Temperaturverlauf des Dunkelstroms	181
Temperaturverlauf des Dunkelwiderstands	180
Temperaturverlauf des Hellwiderstands	179
Temperaturverlauf des Rauschstroms	183
der Photodiode	33
	8
Betriebszeit	150
der Injektionsphotodiode	136
	6
der maximalen Spektralempfindlichkeit	84

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ


Absolute spectral-response characteristic	152
Angular field of view	89
Avalanche mode of photodiode operation	33
Avalanche photodiode	15
Back-biased mode of photovoltaic detector operation	32
Background limited	29
Base dark current	111
Base photocurrent of a phototransistor	118
Base total current of a phototransistor	121
Base voltage	104
Bias detectivity characteristic	160
Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode	161
Bias noise current characteristic	158
Bias noise voltage characteristic	159
Bias voltage response characteristic	157
Bipolar phototransistor	19
BLIP	33
Breakdown voltage of a photodiode	50
Capacitance	95
Collector-base breakdown voltage of a phototransistor	106
Collector-base dark current of a phototransistor	113
Collector-base total current of a phototransistor	123
Collector dark current	109
Collector-emitter breakdown voltage of a phototransistor	105
Collector-emitter dark current of a phototransistor	112
Collector-emitter total current of a phototransistor	122
Collector photocurrent of a phototransistor	116
Collector total current of a phototransistor	119
Collector voltage	102
Cooldown time	149
Cooled detector	20
Current responsivity	68
Current responsivity of the phototransistor	124
Current-voltage characteristic	154
Cut-off frequency	94
Dapk current	58
Dark current multiplication factor of the avalanche photodiode	132
Dark current-temperature characteristic	181
Dark current unstability coefficient	144
Dark resistance	55
Dark resistance-temperature characteristic	180
Decay time of the normalized inverse transfer characteristic	92
Detectivity	81
Detector aperture stop	47
Detector-film base	45
Detector optical immersion element	44
Detector sensitive element	40
Detector terminal	41
Detector window	46
Differential electrical resistance	53
Differential responsivity	73
Dynamic range	141
Effective area of the responsive element	88
Effective weighted solid angle	90
Element number	97
Element spacing	99
Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor	107
Emitter-base dark current of a phototransistor	114
Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor	108
Emitter-collector dark current of a phototransistor	115
Emitter dark current	110
Emitter photocurrent of a phototransistor	117
Emitter total current of a phototransistor	120
Emitter voltage	103
Field effect phototransistor	18
Figure of merit straggling	101
Floating-base phototransistor operation	35
Frequency response characteristic	169
Heterodyne detector	8
Heterodyne reception mode of detector operation	39
Heterojunction photodiode	14
Illuminance-resistance characteristique slope	75
Illumination responsivity	67
Immersed detector	9
Independent operating time	150
Injection photodiode	16
Injection photodiode gain	136
Input current-voltage characteristic	155
Insulating strength	52
Irradiance responsivity	66
Light unstability	147
Long wavelength limit	86
Luminous flux responsivity	65
Matched impedance mode of detector operation	38
Maximum admissible power dissipation	139
Maximum admissible voltage	51
Monochromatic responsivity	71
Multi-band photodetector	4
Multi-element detector	6
NEP-background radiant flux characteristic	177
NEP-temperature characteristic	185
Noise current	76
Noise current-background radiant flux characteristic	175
Noise current spectrum	170
Noise current-temperature characteristic	183
Noise equivalent power	78
Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)	83
Noise voltage	77
Noise voltage-background radiant flux characteristic	176
Noise voltage spectrum	171
Noise voltage-temperature characteristic	184
Normalized inverse transfer characteristic	189
Normalized transfer characteristic	188
Open-circuit mode of detector operation	37
Operating voltage	49
Operating voltage constant keeping accuracy	134
Operating voltage temperature coefficient	135
Output current-voltage characteristic	156
Peak spectral response wavelength	84
Photoconductive cell	10
Photocurrent	59
Photocurrent gain factor	126
Photocurrent-illuminance characteristic	166
Photocurrent multiplication factor	133
Photocurrent-radiant flux characteristic	162
Photocurrent-temperature coefficient	146
Photodetector package	43
Photodiode	11
Photoelectric coupling coefficient	100
Photoelectric semiconductor detector	2
Photoelectric signal current	62
Photoelectric signal voltage	61
Photoelectric signal voltage-radiante flux characteristic	163
Photosensitive semiconductor device	1
Phototransistor	17
Pin-photodiode	12
Pitch	98
Position-sensitive detector	7
Pulse responsivity	74
Radiant flux responsivity	64
Radiant power-static resistance characteristic	164
Relative gain	137
Resistance-illuminance characteristic	165
Resistance under illumination	57
Resistance under illumination-background radiant flux characteristic	173
Resistance under illumination-temperature characteristic	179
Resistance unstability coefficient	143
Response unstability coefficient	145
Responsivity	63
Responsivity-background radiant flux characteristic	174
Responsivity directional distribution	193
Responsivity surface distribution	192
Responsivity-temperature characteristic	182
Rise time of the normalized transfer characteristic	91
Schottky-Barrier-Photodiode	13
Short-circuit mode of detector operation	36
Short-wavelength limit	85
Series resistance	96
Set-up time of the normalized transfer characteristic	93
Single-element detector	5
Spacing response non-uniformity	142
Specific detectivity	82
Specific detectivity-background radiant flux characteristic	178
Specific detectivity frequency dependence	172
Specific detectivity-temperature characteristic	186
Specific noise equivalent power	80
Spectral sensitivity	151
Spectral sensitivity range	87
Static resistance	54
Static responsivity	72
Total current	60
Total power dissipation	138
Total responsivity	70
Unit frequency bandwidth noise equivalent power	79
Voltage responsivity	69
Voltage responsivity of the phototransistor	125
Zero-bias mode of photovoltaic detector operation	34
Zero-bias resistance of a photodiode	56
Zero drift	191
Zero drift-temperature characteristic	187

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ


Aire efficace de	88
Angle d’ouverture	89
Angle solide efficace	90
	43
Branchement du	41
	95
courant-tension	154
courant-tension	155
courant-tension de sortie	156
	169
spectrale absolue	152
de transmission inverse	189
de transmission	188
Cellule photoinductive	10
Coefficient de couplage	100
Coefficient de	145
Coefficient de	143
Coefficient de du courant	144
Coefficient de de tension de	135
Coefficient de de photocourant	146
Courant de bruit	76
Courant de signal	62
Courant	58
Courant collecteur-base de phototransistor	113
Courant de phototransistor	112
Courant de base	111
Courant	110
Courant de collecteur	109
Courant de phototransistor	114
Courant de phototransistor	115
Courant total	60
Courant total collecteur-base de phototransistor	123
Courant total de phototransistor	122
Courant total de base de phototransistor	121
Courant total de phototransistor	120
Courant total du collecteur de phototransistor	119
unique	5
immersion	9
semi-conducteur	2
	8
multiple	6
	81
	82
Diaphragme d’ouverture du	47
Dispersion de figure de	101
Dispositif semiconducteur photosensible	1
Dissipation totale de puissance	138
Distribution directionnelle de la	193
Distribution superficielle de la	192
autonome	150
Ecartement	98
	44
sensible du	40
Espacement des	99
Facteur de multiplication de courant de photo-diode avalanche	132
Facteur de multiplication de photocourant	133
	46
Fonctionnement du circuit ouvert	37
Fonctionnement du court-circuit	36
de coupure	94
Gain de photocourant	126
Gain de photodiode injection	136
Gain relatif	137
Gamme dynamique	141
lumineuse	147
Longueur d’onde de la spectrale maximale	84
Nombre de	97
spatiale	142
Part sensible spectrale	87
Pente de	75
Photocourant	59
Photocourant de base de phototransistor	118
Photocourant de phototransistor	117
Photocourant du collecteur de phototransistor	116
plusieurs gammes	4
refroidi	20
Photodiode	11
Photodiode avalanche	15
Photodiode d’injection	16
Phototransistor	17
Phototransistor effet de champ	18
Phototransistor bipolaire	19
Pin-photodiode	12
Puissance maximale admissible	139
Puissance au bruit	78
Puissance au bruit dans une bande passante des unitaires	79
Puissance au bruit du philra	83
Puissance au bruit	80
de fonctionnement du	39
de fonctionnement du de charge	38
de fonctionnement du	34
de fonctionnement du au contretension de polarization	32
du phototransistor de basis flottante	35
infrarouge par le rayonnement ambiant	29
	63
	66
limineux	67
au flux	64
au flux lumineux	65
	73
d’impulsions	74
en courant	68
en courant du phototransistor	124
en tension	69
en tension du phototransistor	125
globale	70
monochromatique	71
statique	72
	53
	55
du point de photodiode	56
	96
sous	57
statique	54
d’isolement	52
spectrale	151
Spectre de la tension de bruit	171
Spectre du courant de bruit	170
Temps de descente de de transmission inverse	92
Temps de de transmission	91
Temps de transmission	93
Tension de base	104
Tension de bruit	77
Tension de claquage collecteur-base de phototransistor	106
Tension de claquage de phototransistor	105
Tension de claquage de photodiode	50
Tension de claquage de phototransistor	107
Tension de claquage de phototransistor	108
Tension	103
Tension de	49
Tension de service	49
Tension de signal	61
Tension du collecteur	102
Tension maximale admissible	51

(Измененная редакция, Изм. N 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

Справочное

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБЛАСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ

И ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ


Термин	Пояснение
1. Электромагнитное излучение	Процесс испускания электромагнитных волн. Примечание. Под термином "электромагнитное излучение" следует понимать также и уже излученные электромагнитные волны.
2. Оптическое излучение	Электромагнитное излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5 ·10 -10 м. Примечание. В указанном диапазоне электромагнитные волны наиболее эффективно изучаются оптическими методами, для которых характерно формирование направленных потоков электромагнитных волн с помощью оптических систем
3. Ультрафиолетовое излучение	Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5 ·10 -4 ·10 м
4. Видимое излучение	Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 4 ·10 -7,6 ·10 м
5. Инфракрасное излучение	Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 7,6 ·10 -10 м
6. Равновесное излучение	Электромагнитное излучение, испускаемое физической системой, находящейся в термодинамическом равновесии
7. Немодулированное излучение	Излучение, не изменяющееся во времени за период его измерения
8. Модулированное излучение	Излучение, изменяющееся во времени с помощью модуляторов
9. Фотоэлектрический эффект Фотоэффект	Процесс полного или частичного освобождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов
10. Внутренний фотоэлектрический эффект Внутренний эффект	Перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах в результате поглощения фотонов
11. Эффект проводимости	Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное внутренним фотоэлектрическим эффектом
12. Фотогальванический эффект	Возникновение ЭДС в электронно-дырочном переходе либо тока при включении перехода в электрическую цепь, происходящее в результате разделения фотоносителей электрическим полем, обусловленным неоднородностью проводника. Примечание. Под термином "фотоносители" следует понимать носители электрического заряда, генерированные в полупроводнике под действием оптического излучения
13. Фотопроводимость	Свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения
14. Собственная фотопроводимость	Фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения
15. Примесная фотопроводимость	Фотопроводимость полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной и (или) акцепторной примесей, возникающей под действием оптического излучения
16. Фотоэлектродвижущая сила Фото-ЭДС	Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на переходе под действием оптического излучения
17. Фотосигнал	Реакция приемника на оптическое излучение

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Справочное

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 21934-83 И СТ СЭВ 2767-80

Пп.10, 11, 17 ГОСТ 21934-83 соответствуют пп.1.5.8, 1.5.10, 1.5.11 СТ СЭВ 2767-80.