ГОСТ Р 59605-2021 Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения.
ГОСТ Р 59605-2021
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Оптика и фотоника
ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
Термины и определения
Optics and photonics. Semiconducting photoelectric detectors. Photoelectric and photoreceiving devices. Terms and definitions
ОКС 31.080.01
Дата введения 2022-03-01
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Федеральным государственным унитарным предприятием "Научно-исследовательский институт физической оптики, оптики лазеров и информационных оптических систем Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им.С.И.Вавилова" (ФГУП "НИИФООЛИОС ВНЦ "ГОИ им.С.И.Вавилова") и Акционерным обществом "Научно-производственное объединение "Орион" (АО "НПО "Орион")
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 296 "Оптика и фотоника"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 12 октября 2021 г. N 1136-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)
Введение
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Термины-синонимы без пометы "Нрк" приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.
Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина в документах по стандартизации.
Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два или более термина, имеющие общие терминоэлементы.
В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи.
Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.
В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.
Термины и определения общетехнических понятий, необходимых для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, - светлым.
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств, а также буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.
Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств, входящих в сферу действия работ по стандартизации и использующих результаты этих работ.
2 Термины и определения
Основные термины и определения
|
|
1 фоточувствительный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра.
| photosensitive semiconductor device |
2 фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; ФЭПП: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике.
| photoelectric semiconducting detector; photodetector |
3 фотоприемное устройство; ФПУ: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления и обработки фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию.
| photoreceiving device |
Примечание - Гибридные ФПУ подразделяют на поколения:
- к ФПУ первого поколения относят ФПУ, не включающие в состав большой интегральной схемы (БИС) считывания; также этим термином обозначают и негибридные ФПУ, не включающие в состав БИС считывания;
- к ФПУ второго поколения относят ФПУ с БИС считывания, имеющие формат до 1280  1024, каждый пиксель которого передает только информацию об уровне собственной облученности в одном спектральном диапазоне; - к ФПУ третьего поколения относят ФПУ с БИС считывания, обладающие одним из следующих свойств: формат более 1280 1024, но менее 1920 1080; возможность раздельного приема пикселем излучения в двух и более спектральных диапазонах; возможность измерения временной задержки прихода сигнала в каждом пикселе, аналого-цифровое преобразование непосредственно в элементе БИС считывания и т.д.; - к ФПУ четвертого поколения относят ФПУ с БИС считывания, имеющие формат более 1920 1080 или обладающие двумя или более свойствами, присущими ФПУ третьего поколения (кроме формата). |
|
Типы фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения
|
|
4 многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; многоспектральный ФЭПП: ФЭПП, содержащий два и более фоточувствительных элемента с различными диапазонами спектральной чувствительности.
| multi-band photodetector |
5 одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; одноэлементный ФЭПП: ФЭПП, содержащий один фоточувствительный элемент.
| single-element photodetector |
6 многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; многоэлементный ФЭПП: ФЭПП с числом фоточувствительных элементов более одного.
| multi-element photodetector |
Примечание - Допускается применять термин "двух-, трех-, четырехэлементный" ФЭПП.
|
|
7 координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; координатный ФЭПП: ФЭПП, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности.
| position-sensitive photodetector |
8 гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; гетеродинный ФЭПП: ФЭПП, предназначенный для гетеродинного приема излучения.
| heterodyne photodetector |
9 иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; иммерсионный ФЭПП: ФЭПП, содержащий иммерсионный сигнал.
| immersed photodetector |
10 фоторезистор: ФЭПП, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости.
| photoresistor; photoconductive cell |
11 фотодиод: Полупроводниковый диод с  переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект. | photodiode |
12 pin-фотодиод: Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной.
| pin-photodiode |
13 фотодиод с барьером Шоттки: Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом.
| Schottky-barrier photodiode |
14 фотодиод с гетеропереходом: Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
| heterojunction photodiode |
Примечание - Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны.
|
|
15 лавинный фотодиод: Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле.
| avalanche photodiode |
16 инжекционный фотодиод: Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда.
| injection photodiode |
17 фототранзистор: Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект.
| phototransistor |
18 полевой фототранзистор: Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора.
| field effect phototransistor |
19 биполярный фототранзистор: Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора.
| bipolar phototransistor |
20 охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; охлаждаемый ФЭПП: ФЭПП, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента. | cooled photodetector |
Типы фотоприемных устройств
|
|
21 одноэлементное фотоприемное устройство; одноэлементное ФПУ: ФПУ, в котором используется одноэлементный ФЭПП.
| single-element photoreceiving device |
22 многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами; многоэлементное ФПУ с разделенными каналами: ФПУ, имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных элементов.
| multi-element photoreceiving device with separate channels |
23 многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней коммутацией; многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией: ФПУ с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов ФПУ меньше, чем число фоточувствительных элементов.
| multi-element photoreceiving device with internally commutation |
Примечание - Многоэлементные ФПУ с внутренней коммутацией разделяют на матричные и линейные:
- у матричного ФПУ фоточувствительные элементы сформированы в двухмерный массив, число элементов которого по одной из двух осей в плоскости матрицы не превышает линейный размер и число элементов по другой оси более чем в 10 раз;
- у линейного ФПУ фоточувствительные элементы сформированы в двухмерный массив, число элементов которого по одной из двух осей в плоскости матрицы превышает линейный размер и число элементов по другой оси более чем в 10 раз.
|
|
24 многоспектральное фотоприемное устройство; многоспектральное ФПУ: ФПУ, содержащее многоспектральный ФЭПП.
| multi-band photoreceiving device |
25 фоточувствительный полупроводниковый сканистор: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки.
| photosensitive semiconductor scanistor |
26 охлаждаемое фотоприемное устройство; охлаждаемое ФПУ: ФПУ, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используют охлаждаемый ФЭПП.
| cooled photoreceiving device |
27 монолитное фотоприемное устройство; монолитное ФПУ: ФПУ, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке.
| monolictical photoreceiving device |
28 гибридное фотоприемное устройство; гибридное ФПУ: ФПУ, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов.
| hybrid photoreceiving device |
29 фотоприемный модуль: Прибор, содержащий в составе ФПУ и блок электронной обработки изображения, осуществляющий обработку сигналов и их выдачу по промышленному или иному интерфейсу.
| camera module; camera |
Примечания
1 К фотоприемному модулю, работающему в качестве тепловизора, допускается применять термин "модуль формирования тепловизионного видеосигнала".
2 Допускается применять термин "фотоприемный модуль на основе ФПУ  поколения", что означает фотоприемный модуль, содержащий в составе ФПУ поколения. В буквенном обозначении вместо " " следует указывать буквенное обозначение или цифру, обозначающую соответствующее поколение ФПУ. |
|
30 режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона (ФЭПП); режим ОФ ФЭПП: Условия, при которых обнаружительная способность ФЭПП определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона.
| background limited mode (of a photodetector) |
31 режим оптической генерации (ФЭПП); режим ОГ ФЭПП: Режим работы ФЭПП, при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей.
| optical generation mode (of a photodetector) |
32 режим термической генерации (ФЭПП); режим ТГ ФЭПП: Режим работы ФЭПП, при котором число свободных носителей заряда в отсутствие полезного сигнала определяется только термической генерацией.
| thermal generation mode (of a photodetector) |
33 фотодиодный режим: Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении.
| back-biased operation mode |
34 лавинный режим работы фотодиода: Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода.
| avalanche mode of photodiode operation |
35 фотогальванический режим работы фотодиода: Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения. | zero-bias mode of photodiode operation; photovoltaic mode of photodiode operation |
36 режим работы фототранзистора с плавающей базой: Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе.
| floating-base mode of phototransistor operation |
37 режим короткого замыкания (ФЭПП): Режим работы ФЭПП, при котором внешнее нагрузочное сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП.
| short-circuit mode of photodetector operation |
38 режим холостого хода (ФЭПП): Режим работы ФЭПП, при котором его выходное динамическое сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки.
| open-circuit mode of photodetector operation |
39 режим работы (ФЭПП) с согласованной нагрузкой: Режим работы ФЭПП, при котором его сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению.
| matched impedance mode of photodetector operation |
40 режим оптического гетеродинного приема (ФЭПП): Режим работы ФЭПП, при котором происходит смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление полезного сигнала.
| heterodyne reception mode of photodetector operation |
41 режим временной задержки накопления (ФПУ); режим ВЗН ФПУ: Режим работы ФПУ, при котором происходит накопление сигнала от одного и того же участка изображения несколькими фоточувствительными элементами, их запоминание и последующее суммирование.
| time-delay integration photoreceiving device mode, TDI |
Примечание - Режим временной задержки накопления ФПУ достигается за счет расположения фоточувствительных элементов (ФЧЭ) вдоль направления сканирования (перемещения изображения) и временной задержки начала накопления, синхронизованной с движением изображения. |
|
Конструктивные элементы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и фотоприемного устройства
|
|
42 фоточувствительный элемент [пиксель] фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; ФЧЭ ФЭПП; пиксель ФЭПП: Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры, предназначенная для приема оптического излучения.
| photodetector sensitive element; photodetector pixel |
Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений наряду с термином "фоточувствительный элемент" используют термин "пиксель", имеющий аналогичное значение.
|
|
43 вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; вывод ФЭПП: Элемент конструкции корпуса ФЭПП, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью.
| photodetector terminal |
44 контакт фоточувствительного элемента [пикселя] фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; контакт ФЧЭ ФЭПП; контакт пикселя ФЭПП: Участок ФЧЭ, обеспечивающий электрическую связь вывода ФЭПП с ФЧЭ.
| photodetector pin |
45 корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; корпус ФЭПП: Часть конструкции ФЭПП, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов.
| photodetector package |
46 иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; иммерсионный элемент ФЭПП: Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с ФЧЭ ФЭПП и предназначенный для концентрации потока излучения.
| photodetector optical immersion element |
47 подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; подложка ФЭПП: Конструктивный элемент ФЭПП с нанесенным фоточувствительным слоем.
| photodetector film base |
48 входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; входное окно ФЭПП: Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса ФЭПП и пропускающий излучение к ФЧЭ.
| photodetector input window |
49 апертурная [холодная] диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; апертурная диафрагма ФЭПП; холодная диафрагма ФЭПП: Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения ФЭПП.
| photodetector aperture stop; photodetector cold-stop |
Примечание - Для охлаждаемых ФПУ второго и последующих поколений наряду с термином "апертурная диафрагма ФЭПП" применяют термин "холодная диафрагма ФЭПП" ("cold-stop").
|
|
50 выход [канал] фотоприемного устройства; выход ФПУ; канал ФПУ: Часть ФПУ, обеспечивающая связь ФПУ с внешней электрической цепью.
| photoreceiving device output; photoreceiving device channel |
Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений выходы ФПУ называют "каналами". При передаче по каналам сигналов в цифровом виде ФПУ называют ФПУ с цифровыми выходами.
|
|
51 большая интегральная схема считывания; БИС считывания: Интегральная схема, считывающая сигнал с ФЧЭ путем накопления фототока и его коммутацию таким образом, что число ее выходов меньше, чем число ФЧЭ.
| readout integrated circuit; ROIC |
Примечание - Каждый элемент в БИС считывания соединен с накопительной емкостью, которую называют "ячейкой накопления". Уровень заполнения ячейки накопления - это отношение текущего заряда ячейки к максимально возможному значению заряда.
|
|
52 дефектный фоточувствительный элемент [пиксель]; дефектный ФЧЭ: ФЧЭ ФЭПП, параметры которого не соответствуют требованиям, установленным в нормативном или техническом документе.
| bad pixel, dead pixel, defective pixel |
Примечания
1 Число дефектных элементов определяют их счетом.
2 Долю дефектных ФЧЭ вычисляют по формуле
 , (1) где  - число дефектных ФЧЭ, шт.;  - число всех ФЧЭ, шт. 3 Недефектным ФЧЭ является ФЧЭ ФЭПП, параметры которого соответствуют требованиям, установленным в нормативном или техническом документе.
4 Долю недефектных ФЧЭ вычисляют по формуле
 . (2) 5 Для наименования группы дефектных ФЧЭ, расположенных рядом, т.е. имеющих общие стороны и углы, применяют термин "кластер дефектных ФЧЭ". |
|
Параметры напряжений, сопротивлений, токов фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
53 рабочее напряжение (ФЭПП)  : Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе. | operating voltage (of a photodetector);  |
Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений применяют термин "напряжение смещения".
|
|
54 пробивное напряжение фотодиода  : Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения. | breakdown voltage of a photodiode;  |
55 максимально допустимое напряжение (ФЭПП)  : Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе. | maximum admissible voltage (of a photodetector);  |
56 электрическая прочность изоляции (ФЭПП)  : Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции. | insulating strength (of a photodetector);  |
57 дифференциальное электрическое сопротивление (ФЭПП)  : Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП. | differential electrical resistance (of a photodetector);  |
58 статическое сопротивление (ФЭПП)  : Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току. | static resistance (of a photodetector);  |
59 тем новое сопротивление (ФЭПП)  : Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности. | dark resistance (of a photodetector); |
Примечание - На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
|
|
60 сопротивление фотодиода при нулевом смещении  : Сопротивление фотодиода по постоянному току вблизи нулевой точки вольтамперной характеристики при малых напряжениях смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной чувствительности. | zero bias resistance of a photodiode;  |
Примечание - На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
|
|
61 световое сопротивление (ФЭПП)  : Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности. | resistance under illumination (of a photodetector);  ,  |
62 темновой ток (ФЭПП)  : Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. | dark current (of a photodetector);  |
Примечание - На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
|
|
63 фототок (ФЭПП)  : Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением. | photocurrent (of a photodetector);  |
Примечание - Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
|
|
64 общий ток (ФЭПП)  : Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока. | total current (of a photodetector);  |
65 напряжение фотосигнала (ФЭПП)  : Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала. | photoelectric signal voltage (of a photodetector);  |
Примечания
1 Так как по переменному току нагрузка, как правило, подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала допускается измерять на нагрузке.
2 Для ФПУ второго и последующих поколений за значение сигнала принимают разницу фотооткликов при заданных уровнях падающего на ФЧЭ ФПУ потока излучения.
|
|
66 ток фотосигнала (ФЭПП)  : Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала. | photoelectric signal current (of a photodetector);  |
Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам. |
|
Параметры чувствительности фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Термины, установленные в терминологических статьях 68-77, допускается употреблять в различных комбинациях, например, вольтовая интегральная чувствительность (комбинация терминов 72 и 73), вольтовая монохроматическая чувствительность (комбинация терминов 72 и 74), токовая чувствительность к освещенности и токовая чувствительность к световому потоку (комбинация терминов 71 с 67 и 69). При этом буквенные обозначения формируют из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации. Если в тексте указана размерность чувствительности, то допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.
|
|
67 чувствительность (ФЭПП)  : Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной. | responsivity (of a photodetector);  |
68 чувствительность (ФЭПП) к потоку излучения  : -. | radiant flux responsivity (of a photodetector);  |
69 чувствительность (ФЭПП) к световому потоку  : -. | luminous flux responsivity (of a photodetector);  |
70 чувствительность (ФЭПП) к облученности [освещенности]  (  ): -. | irradiance responsivity responsivity; illumination responsivity (of a photodetector);  (  ) |
71 токовая чувствительность (ФЭПП)  : -. | current responsivity of a photodetector;  |
72 вольтовая чувствительность (ФЭПП)  : -. | voltage responsivity of a photodetector;  |
73 интегральная чувствительность (ФЭПП)  : Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава. | total responsivity (of a photodetector);  |
74 монохроматическая чувствительность (ФЭПП)  : Чувствительность ФЭПП к монохроматическому излучению. | monochromatic responsivity (of a photodetector);  |
75 статическая чувствительность (ФЭПП)  : Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения. | static responsivity (of a photodetector);  |
76 дифференциальная чувствительность (ФЭПП)  : Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения. | differential responsivity (of a photodetector);  |
77 импульсная чувствительность (ФЭПП)  : Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции. | pulse responsivity (of a photodetector);  |
78 наклон люксомической характеристики фоторезистора  : Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе. | illuminance-resistance characteristique slope of a photoresistor;  |
Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам. |
|
Параметры порога и шума фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
79 ток шума (ФЭПП)  : Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот. | noise current (of a photodetector);  |
80 напряжение шума (ФЭПП)  : Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот. | noise voltage (of a photodetector);  |
81 порог чувствительности (ФЭПП, ФПУ)  ; порог: Значение потока излучения, вызывающего приращение сигнала, равного значению шума. | noise equivalent power (of a photodetector and photoreceiving device);  ,  |
Примечания
1 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения порог чувствительности - это среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.
2 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь.
|
|
82 порог чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот  ; порог в единичной полосе частот: Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения. | unit frequency bandwidth noise equivalent power (of a photodetector);  |
83 удельный порог чувствительности (ФЭПП)  ; удельный порог: Порог чувствительности ФЭПП, приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади ФЧЭ. | specific noise equivalent power (of a photodetector);  |
84 обнаружительная способность (ФЭПП)  : Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП. | detectivity (of a photodetector);  |
85 удельная обнаружительная способность (ФЭПП)  : Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП. | specific detectivity (of a photodetector);  |
86 эквивалентная шуму разность температур (ФЭПП); ЭШРТ: Разница температур объекта, излучающего как абсолютно черное тело, вызывающая изменение сигнала ФЭПП, равное шуму. | noise equivalent temperature difference (of a photodetector); NETD |
Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают ЭШРТ, определяемое как среднее значение параметра по недефектным элементам, и ЭШРТ, определяемое по изображению испытуемого объекта.
|
|
87 радиационный порог чувствительности (ФЭПП)  : Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры. | noise equivalent power of the background limited infrared photodetector; BLIP;  |
Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам. |
|
Параметры спектральной характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
88 длина волны максимума спектральной чувствительности (ФЭПП)  : Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности. | peak spectral response wavelength (of a photodetector);  |
89 коротковолновая граница спектральной чувствительности (ФЭПП)  : Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения. | short-wavelength limit (of a photodetector);  |
90 длинноволновая граница спектральной чувствительности (ФЭПП)  : Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения. | long wavelength limit (of a photodetector);  |
91 область спектральной чувствительности (ФЭПП)  : Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10% своего максимального значения. | spectral sensitivity range (of a photodetector);  |
Геометрические параметры фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
92 эффективная фоточувствительная площадь (ФЭПП)  : Площадь ФЧЭ эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно распределена по ФЧЭ и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП. | effective photosensitive area (of a photodetector);  |
Примечание - Эффективную фоточувствительную площадь  , м  , вычисляют по формуле  , (3) где  - номинальное значение локальной чувствительности, отн.ед.;  - чувствительность к потоку при облучении ФЧЭ точечным пятном с координатами, отн.ед. В качестве номинального значения локальной чувствительности , как правило, выбирают максимальную чувствительность точки в центре ФЭПП (в точке  ,  ). Для ФЭПП с резкими неоднородностями чувствительности (микроплазмами, выбросами чувствительности на краях) методику выбора указывают дополнительно. |
|
93 плоский угол зрения (ФЭПП)  : Угол в нормальной к ФЧЭ плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня. | angular field of view (of a photodetector);  |
94 эффективное поле зрения (ФЭПП)  : Телесный угол, вычисляемый по формуле  , (4) где  - напряжение фотосигнала ФЭПП (допускается замена параметра на  ,  ), В;  - угол между направлением падающего излучения и нормалью к ФЧЭ;  - азимутальный угол. | effective weighted solid angle (of a photodetector);  |
Параметры инерционности фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
95 время нарастания (ФЭПП)  : Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно. | rise time (of a photodetector);  |
96 время спада (ФЭПП)  : Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно. | decay time (of a photodetector);  |
97 время установления переходной нормированной характеристики (ФЭПП) по уровню  : Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики  от установившегося значения не превышает  :  при  . | set-up time of the normalized transfer characteristic (of a photodetector) |
98 предельная частота (ФЭПП)  : Частота синусоидально-модулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении. | cut-off frequency (of a photodetector);  |
99 емкость (ФЭПП)  : -. | capacitance (of a photodetector);  |
100 последовательное сопротивление фотодиода  : Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода. | series resistance of the photodiode;  |
Параметры многоэлементного фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
101 число элементов (ФЭПП)  : -. | number of elements (of a photodetector) |
Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений число элементов задают в виде формата ФПУ, который показывает число ФЧЭ в матрице или линейке по вертикали и горизонтали.
|
|
102 шаг элементов (ФЭПП)  : Расстояние между центрами двух соседних ФЧЭ ФЭПП. | pitch of elements (of a photodetector);  |
103 межэлементный зазор (многоэлементного ФЭПП)  : Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями ФЧЭ в многоэлементном ФЭПП. | element spacing (of a multielement photodetector);  |
104 коэффициент фотоэлектрической связи (многоэлементного ФЭПП)  : Отношение напряжения сигнала с необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики.* | photoelectric coupling coefficient (of a multielement photodetector);  |
| |
105 разброс значений параметров (многоэлементного ФЭПП)  : Среднеквадратическое отклонение параметров ФЧЭ по недефектным элементам. | spread of parameter values (of a multielement photodetector);  |
Примечания
1 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения - отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра ФЧЭ в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра.
2 В буквенном обозначении вместо " " следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра. |
|
Параметры фототранзистора
|
|
106 напряжение на коллекторе фототранзистора  ,  : Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. | collector voltage of a phototransistor;  ,  |
Примечание - Верхние индексы "б" и "э" указывают на схему включения фототранзистора с общей базой или с общим эмиттером соответственно.
|
|
107 напряжение на эмиттере фототранзистора  ,  : Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. | emitter voltage of a phototransistor;  ,  |
Примечание - Верхние индексы "б" и "к" указывают на схему включения фототранзистора с общей базой или с общим коллектором соответственно.
|
|
108 напряжение на базе фототранзистора  ,  : Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. | base voltage of a phototransistor;  ,  |
Примечание - Верхние индексы "э" и "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером или с общим коллектором соответственно.
|
|
109 пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора  : Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. | collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor;  |
Примечание - Верхний индекс "э" указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером.
|
|
110 пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора  : Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. | collector-base breakdown voltage of a phototransistor;  |
Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.
|
|
111 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора  : Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. | emitter-base breakdown voltage of a phototransistor;  |
Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.
|
|
112 пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора  : Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. | emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor;  |
Примечания
1 Верхний индекс "к" указывает на схему включения фототранзистора с общим коллектором.
2 На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
|
|
113 темновой ток коллектора фототранзистора  ,  ,  : -. | collector dark current of a phototransistor;  ,  ,  |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.
|
|
114 темновой ток эмиттера фототранзистора  ,  ,  : -. | emitter dark current of a phototransistor;  ,  ,  |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.
|
|
115 темновой ток базы фототранзистора  ,  ,  : -. | base dark current of a phototransistor;  ,  ,  |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.
|
|
116 темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора : Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. | collector-emitter dark current of a phototransistor; |
Примечание - Верхний индекс "э" указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером.
|
|
117 темновой ток коллектор-база фототранзистора : Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. | collector-base dark current of a phototransistor; |
Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.
|
|
118 темновой ток эмиттер-база фототранзистора : Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. | emitter-base dark current of a phototransistor; |
Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.
|
|
119 темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора : Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. | emitter-collector dark current of a phototransistor; |
Примечание - Верхний индекс "к" указывает на схему включения фототранзистора с общим коллектором.
|
|
120 фототок коллектора фототранзистора  ,  ,  : -. | collector photocurrent of a phototransistor;  ,  ,  |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.
|
|
121 фототок эмиттера фототранзистора  ,  ,  : -. | emitter photocurrent of a phototransistor;  ,  ,  |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.
|
|
122 фототок базы фототранзистора  ,  ,  : -. | base photocurrent of a phototransistor;  ,  ,  |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.
|
|
123 общий ток коллектора фототранзистора  ,  ,  : -. | collector total current of a phototransistor;  ,  ,  |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.
|
|
124 общий ток эмиттера фототранзистора  ,  ,  : -. | emitter total current of a phototransistor;  ,  ,  |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.
|
|
125 общий ток базы фототранзистора  ,  ,  : -. | base total current of a phototransistor;  ,  ,  |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.
|
|
126 общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора : Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением. | collector-emitter total current of a phototransistor; |
Примечание - Верхний индекс "э" указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером.
|
|
127 общий ток коллектор-база фототранзистора : Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением. | collector-base total current of a phototransistor; |
Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.
|
|
128 токовая чувствительность фототранзистора  ,  ,  : Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току. | current responsivity of a phototransistor |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.
|
|
129 вольтовая чувствительность фототранзистора  ,  ,  : Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току. | voltage responsivity of a phototransistor |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.
|
|
130 коэффициент усиления по фототоку фототранзистора  : Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме. | photocurrent gain factor of a phototransistor |
Параметры координатного фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
131 линейная зона координатной характеристики (координатного ФЭПП)  : Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения. | linear area characteristic (of a coordinate photodetector) |
132 дифференциальная крутизна координатной характеристики (координатного ФЭПП)  : Отношение малого приращения фотосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения. | differential slope characteristic (of a coordinate photodetector) |
133 статическая крутизна координатной характеристики (координатного ФЭПП)  : Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения. | static slope characteristic (of a coordinate photodetector) |
134 нулевая точка (координатного ФЭПП)  : Координата энергетического центра светового пятна на ФЧЭ координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю. | zero point (of a coordinate photodetector);  |
135 выходное сопротивление (координатного ФЭПП)  : Отношение напряжения фотосигнала холостого хода координатного фотодиода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения. | output impedance (of a coordinate photodetector); |
Параметры лавинного фотодиода
|
|
136 коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода  : Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току - к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях. | dark current multiplication factor of an avalanche photodiode;  |
137 коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода  : Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях. | photocurrent multiplication factor of an avalanche photodiode;  |
Примечание - Если фототок измеряют при засветке всего ФЧЭ, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения.
|
|
138 точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода  : Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока изменяется в заданных пределах. | operating voltage constant keeping accuracy of an avalanche photodiode;  |
139 температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода  : Отношение изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре. | operating voltage temperature coefficient of an avalanche photodiode;  |
Примечание - При малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода; если диапазон изменения температур большой, то получают статический температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода. |
|
Параметры инжекционного фотодиода
|
|
140 коэффициент усиления инжекционного фотодиода  : Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме. | gain of an injection photodiode |
141 коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода  : Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне. | relative gain of an injection photodiode |
Примечание - Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольтамперной характеристики определяют также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений. |
|
Эксплуатационные параметры фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
142 рассеиваемая мощность (ФЭПП)  : Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения. | total power dissipation (of a photodetector);  |
143 максимально допустимая рассеиваемая мощность (ФЭПП)  : Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе. | maximum admissible power dissipation (of a photodetector);  |
144 критическая мощность излучения (ФЭПП)  : Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня. | critical radiation power (of a photodetector) |
145 динамический диапазон (ФЭПП)  : Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот. | dynamic range (of a photodetector) |
Примечания
1 Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня.
2 Для ФПУ второго и последующих поколений различают динамический диапазон ФЭПП (ФПУ) и динамический диапазон выходных сигналов ФПУ.
|
|
146 неравномерность чувствительности (ФЭПП) по фоточувствительному элементу  : Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП, измеренной при перемещении в пределах ФЧЭ оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности. | spacing response non-uniformity (of a photodetector) |
147 нестабильность сопротивления (ФЭПП)  : Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению. | resistance unstability coefficient (of a photodetector) |
148 нестабильность темнового тока (ФЭПП)  : Отношение максимального отклонения темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания ФЭПП к среднему значению. | dark current unstability (of a photodetector) |
149 нестабильность чувствительности (ФЭПП)  : Отношение максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению. | response unstability (of a photodetector) |
150 температурный коэффициент фототока (ФЭПП)  : Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности). | photocurrent temperature coefficient (of a photodetector) |
151 световая нестабильность (ФЭПП)  : Изменение светового сопротивления ФЭПП, произошедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении. | light unstability (of a photodetector) |
152 температура выхода на режим оптической генерации (ФЭПП): -. | optical generation mode temperature (of a photodetector) |
153 время выхода на режим (охлаждаемого ФЭПП)  : Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП достигают заданного уровня. | cooldown time (of a cooled photodetector);  |
154 время автономной работы (охлаждаемого ФЭПП)  : Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня. | independent operating time (of a cooled photodetector);  |
Спектральные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
155 спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП)  : Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения. | spectral response (of a photodetector);  |
156 абсолютная спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП)  : Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения. | absolute spectral response characteristic (of a photodetector);  |
157 относительная спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП)  : Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения. | relative spectral response characteristic (of a photodetector);  |
Вольтовые характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
158 вольтамперная характеристика (ФЭПП)  ; ВАХ ФЭПП: Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения. | current-voltage characteristic (of a photodetector);  |
159 входная вольтамперная характеристика фототранзистора  ; входная ВАХ фототранзистора: Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения. | input current-voltage characteristic (of a phototransistor);  |
160 выходная вольтамперная характеристика фототранзистора  ; выходная ВАХ фототранзистора: Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения. | output current-voltage characteristic (of a phototransistor);  |
161 вольтовая характеристика чувствительности (ФЭПП)  : Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения. | bias voltage response characteristic (of a photodetector);  |
162 вольтовая характеристика тока шума (ФЭПП)  : Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП. | bias noise current characteristic (of a photodetector);  |
163 вольтовая характеристика напряжения шума (ФЭПП)  : Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП. | bias noise voltage characteristic (of a photodetector);  |
164 вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП)  : Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему. | bias detectivity characteristic (of a photodetector);  |
165 вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода  ,  : Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему. | bias multiplication factor characteristic (of an avalanche photodiode);  ,  |
Характеристики зависимости параметров фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения от потока излучения
|
|
166 энергетическая характеристика фототока (ФЭПП)  : Зависимость фототока ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП. | photocurrent radiant flux characteristic (of a photodetector);  |
167 энергетическая характеристика напряжения фотосигнала (ФЭПП)  : Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП. | photoelectric signal voltage radiant flux characteristic (of a photodetector);  |
168 энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора  : Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторезистор. | radiant power-static resistance characteristic of a photoresistor;  |
169 люксомическая характеристика фоторезистора  : Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор. | resistance-illuminance characteristic of a photoresistor;  ,  |
170 люксамперная характеристика (ФЭПП)  : Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП. | photocurrent- illuminance characteristic (of a photodetector);  |
171 входная энергетическая характеристика фототранзистора  ,  : Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе. | input energy characteristic of a phototransistor |
172 выходная энергетическая характеристика фототранзистора  : Зависимость электрического тока на выходе фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе. | output energy characteristic of a phototransistor |
173 сигнальная характеристика (ФЭПП, ФПУ)  : Зависимость значения сигнала ФЧЭ ФЭПП или ФПУ (по недефектным элементам) от времени накопления. | signal characteristic (of a photodetector, of a photoreceiving device) |
Частотные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
174 частотная характеристика чувствительности (ФЭПП)  : Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения. | frequency response characteristic (of a photodetector);  |
175 спектр тока шума (ФЭПП)  : Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам. | noise current spectrum (of a photodetector);  |
176 спектр напряжения шума (ФЭПП)  : Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам. | noise voltage spectrum (of a photodetector);  |
177 частотная характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП)  : Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения. | specific detectivity frequency dependence (of a photodetector);  |
Фоновые характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
178 фоновая характеристика светового сопротивления (ФЭПП)  : Зависимость сопротивления ФЭПП от немодулированного потока излучения фона. | resistance under illumination-background radiant flux characteristic (of a photodetector);  ,  |
179 фоновая характеристика чувствительности (ФЭПП)  : Зависимость чувствительности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона. | responsivity- background radiant flux characteristic (of a photodetector);  |
180 фоновая характеристика тока шума (ФЭПП)  : Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона. | noise current-back ground radiant flux characteristic (of a photodetector);  |
181 фоновая характеристика напряжения шума (ФЭПП)  : Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона. | noise voltage-back ground radiant flux characteristic (of a photodetector);  |
182 фоновая характеристика порога чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот  : Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона. | NEP-background radiant flux characteristic (of a photodetector) |
183 фоновая характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП)  : Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона. | specific detectivity- background radiant flux characteristic (of a photodetector);  |
Температурные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
184 температурная характеристика светового сопротивления (ФЭПП)  : -. | resistance under illumination-temperature characteristic (of a photodetector);  ,  |
185 температурная характеристика темнового сопротивления (ФЭПП)  : -. | dark resistance- temperature characteristic (of a photodetector) |
186 температурная характеристика темнового тока (ФЭПП)  : -. | dark current- temperature characteristic (of a photodetector);  |
187 температурная характеристика чувствительности (ФЭПП)  : -. | responsivity- temperature characteristic (of a photodetector);  |
188 температурная характеристика тока шума (ФЭПП)  : -. | noise current- temperature characteristic (of a photodetector);  |
189 температурная характеристика напряжения шума (ФЭПП)  : -. | noise voltage- temperature characteristic (of a photodetector);  |
190 температурная характеристика порога чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот  : -. | NEP-temperature characteristic (of a photodetector) |
191 температурная характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП)  : -. | specific detectivity- temperature characteristic (of a photodetector);  |
192 температурная характеристика дрейфа нулевой точки (координатного ФЭПП)  : Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры. | zero drift-temperature characteristic (of a coordinate photodetector);  |
Временные и пространственные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
|
|
193 переходная нормированная характеристика (ФЭПП)  : Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени. | normalized transfer characteristic (of a photodetector) |
Примечание - Импульс излучения в форме единичной степени описывают выражением
 . (5) В общем случае переходная нормированная характеристика ФЭПП имеет вид, представленный на рисунке 1.
 Рисунок 1
|
|
194 обратная переходная нормированная характеристика (ФЭПП)  : Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения. | normalized inverse transfer characteristic (of a photodetector) |
Примечание - Поток излучения при резком прекращении воздействия описывают выражением
 . (6) В общем случае обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП имеет вид, представленный на рисунке 2.
 Рисунок 2
|
|
195 координатная характеристика (координатного ФЭПП)  : Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на ФЧЭ координатного фотодиода. | coordinate characteristic (of a coordinate photodetector) |
196 временной дрейф нулевой точки (координатного ФЭПП)  ; дрейф нуля: Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени. | time drift of zero point; zero drift (of a coordinate photodetector);  |
197 распределение чувствительности по фоточувствительному элементу (ФЭПП)  : Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда с пятном бесконечно малого размера на ФЧЭ. | responsivity surface distribution (of a photodetector);  |
198 угловая характеристика чувствительности (ФЭПП)  : Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости ФЧЭ. | responsivity directional distribution (of a photodetector);  |
199 время накопления [экспозиции]  : Временной промежуток, за который происходит накопление фототока в ячейке накопления БИС считывания. | integration time; exposure time;  |
Примечание - Также допускается применять термин "время интегрирования", имеющий аналогичное значение.
|
|
200 время задержки фотоотклика при формировании изображения  : Значение временного интервала с момента поступления излучения на ФПУ до момента появления фотоотклика на выходе ФПУ. | image forming delay;  |
Алфавитный указатель терминов на русском языке
|
|
БИС считывания | 51 |
ВАХ фототранзистора входная | 159 |
ВАХ фототранзистора выходная | 160 |
ВАХ ФЭПП | 158 |
время автономной работы | 154 |
время автономной работы охлаждаемого ФЭПП | 154 |
время выхода на режим | 153 |
время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП | 153 |
время задержки фотоотклика при формировании изображения | 200 |
время накопления | 199 |
время нарастания | 95 |
время нарастания ФЭПП | 95 |
время спада | 96 |
время спада ФЭПП | 96 |
время установления переходной нормированной характеристики по уровню  | 97 |
время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню | 97 |
время экспозиции | 199 |
вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 43 |
вывод ФЭПП | 43 |
выход фотоприемного устройства | 50 |
выход ФПУ | 50 |
граница спектральной чувствительности длинноволновая | 90 |
граница спектральной чувствительности коротковолновая | 89 |
граница спектральной чувствительности ФЭПП длинноволновая | 90 |
граница спектральной чувствительности ФЭПП коротковолновая | 89 |
диапазон динамический | 145 |
диапазон ФЭПП динамический | 145 |
диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения апертурная | 49 |
диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения холодная | 49 |
диафрагма ФЭПП апертурная | 49 |
диафрагма ФЭПП холодная | 49 |
длина волны максимума спектральной чувствительности | 88 |
длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП | 88 |
дрейф нулевой точки временной | 196 |
дрейф нулевой точки координатного ФЭПП временной | 196 |
емкость | 99 |
емкость ФЭПП | 99 |
зазор межэлементный | 103 |
зазор межэлементный многоэлементного ФЭПП | 103 |
зона координатной характеристики координатного ФЭПП линейная | 131 |
зона координатной характеристики линейная | 131 |
канал фотоприемного устройства | 50 |
канал ФПУ | 50 |
контакт пикселя фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 44 |
контакт пикселя ФЭПП | 44 |
контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 44 |
контакт ФЧЭ ФЭПП | 44 |
корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 45 |
корпус ФЭПП | 45 |
коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода | 141 |
коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода температурный | 139 |
коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода | 136 |
коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода | 137 |
коэффициент усиления инжекционного фотодиода | 140 |
коэффициент усиления по фототоку фототранзистора | 130 |
коэффициент фототока температурный | 150 |
коэффициент фототока ФЭПП температурный | 150 |
коэффициент фотоэлектрической связи | 104 |
коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП | 104 |
крутизна координатной характеристики дифференциальная | 132 |
крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП дифференциальная | 132 |
крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП статическая | 133 |
крутизна координатной характеристики статическая | 133 |
модуль фотоприемный | 29 |
мощность излучения критическая | 144 |
мощность излучения ФЭПП критическая | 144 |
мощность рассеиваемая | 142 |
мощность рассеиваемая максимально допустимая | 143 |
мощность ФЭПП рассеиваемая | 142 |
мощность ФЭПП рассеиваемая максимально допустимая | 143 |
наклон люксомической характеристики фоторезистора | 78 |
напряжение коллектор-база фототранзистора пробивное | 110 |
напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора пробивное | 109 |
напряжение максимально допустимое | 55 |
напряжение на базе фототранзистора | 108 |
напряжение на коллекторе фототранзистора | 106 |
напряжение на эмиттере фототранзистора | 107 |
напряжение рабочее | 53 |
напряжение фотодиода пробивное | 54 |
напряжение фотосигнала | 65 |
напряжение фотосигнала ФЭПП | 65 |
напряжение ФЭПП максимально допустимое | 55 |
напряжение ФЭПП рабочее | 53 |
напряжение шума | 80 |
напряжение шума ФЭПП | 80 |
напряжение эмиттер-база фототранзистора пробивное | 111 |
напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора пробивное | 112 |
неравномерность чувствительности по фоточувствительному элементу | 146 |
неравномерность чувствительности ФЭПП по фоточувствительному элементу | 146 |
нестабильность световая | 151 |
нестабильность сопротивления | 147 |
нестабильность сопротивления ФЭПП | 147 |
нестабильность темнового тока | 148 |
нестабильность темнового тока ФЭПП | 148 |
нестабильность ФЭПП световая | 151 |
нестабильность чувствительности | 149 |
нестабильность чувствительности ФЭПП | 149 |
область спектральной чувствительности | 91 |
область спектральной чувствительности ФЭПП | 91 |
окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения входное | 48 |
окно ФЭПП входное | 48 |
пиксель дефектный | 52 |
пиксель фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 42 |
пиксель ФЭПП | 42 |
площадь фоточувствительная эффективная | 92 |
площадь ФЭПП фоточувствительная эффективная | 92 |
подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 47 |
подложка ФЭПП | 47 |
поле зрения ФЭПП эффективное | 94 |
поле зрения эффективное | 94 |
порог | 81 |
порог в единичной полосе частот | 82 |
порог удельный | 83 |
порог чувствительности | 81 |
порог чувствительности в единичной полосе частот | 82 |
порог чувствительности радиационный | 87 |
порог чувствительности удельный | 83 |
порог чувствительности ФПУ | 81 |
порог чувствительности ФЭПП | 81 |
порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот | 82 |
порог чувствительности ФЭПП радиационный | 87 |
порог чувствительности ФЭПП удельный | 83 |
прибор полупроводниковый фоточувствительный | 1 |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический | 2 |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический гетеродинный | 8 |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический иммерсионный | 9 |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический координатный | 7 |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоспектральный | 4 |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоэлементный | 6 |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический одноэлементный | 5 |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический охлаждаемый | 20 |
прочность изоляции ФЭПП электрическая | 56 |
прочность изоляции электрическая | 56 |
разброс значений параметров | 105 |
разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП | 105 |
разность температур, эквивалентная шуму | 86 |
разность температур ФЭПП, эквивалентная шуму | 86 |
распределение чувствительности по фоточувствительному элементу | 197 |
распределение чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП | 197 |
режим ВЗН ФПУ | 41 |
режим временной задержки накопления | 41 |
режим временной задержки накопления ФПУ | 41 |
режим короткого замыкания | 37 |
режим короткого замыкания ФЭПП | 37 |
режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона | 30 |
режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона ФЭПП | 30 |
режим ОГ ФЭПП | 31 |
режим оптического гетеродинного приема | 40 |
режим оптического гетеродинного приема ФЭПП | 40 |
режим оптической генерации | 31 |
режим оптической генерации ФЭПП | 31 |
режим ОФ ФЭПП | 30 |
режим работы с согласованной нагрузкой | 39 |
режим работы фотодиода лавинный | 34 |
режим работы фотодиода фотогальванический | 35 |
режим работы фототранзистора с плавающей базой | 36 |
режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой | 39 |
режим ТГ ФЭПП | 32 |
режим термической генерации | 32 |
режим термической генерации ФЭПП | 32 |
режим фотодиодный | 33 |
режим холостого хода | 38 |
режим холостого хода ФЭПП | 38 |
сканистор полупроводниковый фоточувствительный | 25 |
сопротивление выходное | 135 |
сопротивление координатного ФЭПП выходное | 135 |
сопротивление световое | 61 |
сопротивление статическое | 58 |
сопротивление темновое | 59 |
сопротивление фотодиода последовательное | 100 |
сопротивление фотодиода при нулевом смещении | 60 |
сопротивление ФЭПП световое | 61 |
сопротивление ФЭПП статическое | 58 |
сопротивление ФЭПП темновое | 59 |
сопротивление ФЭПП электрическое дифференциальное | 57 |
сопротивление электрическое дифференциальное | 57 |
спектр напряжения шума | 176 |
спектр напряжения шума ФЭПП | 176 |
спектр тока шума | 175 |
спектр тока шума ФЭПП | 175 |
способность обнаружительная | 84 |
способность обнаружительная удельная | 85 |
способность ФЭПП обнаружительная | 84 |
способность ФЭПП обнаружительная удельная | 85 |
схема считывания большая интегральная | 51 |
температура выхода на режим оптической генерации | 152 |
температура выхода на режим оптической генерации ФЭПП | 152 |
ток базы фототранзистора общий | 125 |
ток базы фототранзистора темновой | 115 |
ток коллектора фототранзистора общий | 123 |
ток коллектора фототранзистора темновой | 113 |
ток коллектор-база фототранзистора общий | 127 |
ток коллектор-база фототранзистора темновой | 117 |
ток коллектор-эмиттер фототранзистора общий | 126 |
ток коллектор-эмиттер фототранзистора темновой | 116 |
ток общий | 64 |
ток темновой | 62 |
ток фотосигнала | 66 |
ток фотосигнала ФЭПП | 66 |
ток ФЭПП общий | 64 |
ток ФЭПП темновой | 62 |
ток шума | 79 |
ток шума ФЭПП | 79 |
ток эмиттера фототранзистора общий | 124 |
ток эмиттера фототранзистора темновой | 114 |
ток эмиттер-база фототранзистора темновой | 118 |
ток эмиттер-коллектор фототранзистора темновой | 119 |
точка координатного ФЭПП нулевая | 134 |
точка нулевая | 134 |
точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода | 138 |
угол зрения плоский | 93 |
угол зрения ФЭПП плоский | 93 |
устройство фотоприемное | 3 |
устройство фотоприемное гибридное | 28 |
устройство фотоприемное многоспектральное | 24 |
устройство фотоприемное монолитное | 27 |
устройство фотоприемное одноэлементное | 21 |
устройство фотоприемное охлаждаемое | 26 |
устройство фотоприемное с внутренней коммутацией многоэлементное | 23 |
устройство фотоприемное с разделенными каналами многоэлементное | 22 |
фотодиод | 11 |
фотодиод инжекционный | 16 |
фотодиод лавинный | 15 |
фотодиод с барьером Шоттки | 13 |
фотодиод с гетеропереходом | 14 |
фоторезистор | 10 |
фототок | 63 |
фототок базы фототранзистора | 122 |
фототок коллектора фототранзистора | 120 |
фототок ФЭПП | 63 |
фототок эмиттера фототранзистора | 121 |
фототранзистор | 17 |
фототранзистор биполярный | 19 |
фототранзистор полевой | 18 |
ФПУ | 3 |
ФПУ гибридное | 28 |
ФПУ многоспектральное | 24 |
ФПУ монолитное | 27 |
ФПУ одноэлементное | 21 |
ФПУ охлаждаемое | 26 |
ФПУ с внутренней коммутацией многоэлементное | 23 |
ФПУ с разделенными каналами многоэлементное | 22 |
ФЧЭ дефектный | 52 |
ФЧЭ ФЭПП | 42 |
ФЭПП | 2 |
ФЭПП гетеродинный | 8 |
ФЭПП иммерсионный | 9 |
ФЭПП координатный | 7 |
ФЭПП многоспектральный | 4 |
ФЭПП многоэлементный | 6 |
ФЭПП одноэлементный | 5 |
ФЭПП охлаждаемый | 20 |
характеристика вольтамперная | 158 |
характеристика дрейфа нулевой точки координатного ФЭПП температурная | 192 |
характеристика дрейфа нулевой точки температурная | 192 |
характеристика координатная | 195 |
характеристика координатного ФЭПП координатная | 195 |
характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода вольтовая | 165 |
характеристика люксамперная | 170 |
характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетическая | 167 |
характеристика напряжения фотосигнала энергетическая | 167 |
характеристика напряжения шума вольтовая | 163 |
характеристика напряжения шума температурная | 189 |
характеристика напряжения шума фоновая | 181 |
характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая | 163 |
характеристика напряжения шума ФЭПП температурная | 189 |
характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая | 181 |
характеристика нормированная переходная | 193 |
характеристика нормированная переходная обратная | 194 |
характеристика порога чувствительности в единичной полосе частот температурная | 190 |
характеристика порога чувствительности в единичной полосе частот фоновая | 182 |
характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная | 190 |
характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая | 182 |
характеристика светового сопротивления температурная | 184 |
характеристика светового сопротивления фоновая | 178 |
характеристика светового сопротивления ФЭПП температурная | 184 |
характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая | 178 |
характеристика сигнальная | 173 |
характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая | 168 |
характеристика темнового сопротивления температурная | 185 |
характеристика темнового сопротивления ФЭПП температурная | 185 |
характеристика темнового тока температурная | 186 |
характеристика темнового тока ФЭПП температурная | 186 |
характеристика тока шума вольтовая | 162 |
характеристика тока шума температурная | 188 |
характеристика тока шума фоновая | 180 |
характеристика тока шума ФЭПП вольтовая | 162 |
характеристика тока шума ФЭПП температурная | 188 |
характеристика тока шума ФЭПП фоновая | 180 |
характеристика удельной обнаружительной способности вольтовая | 164 |
характеристика удельной обнаружительной способности температурная | 191 |
характеристика удельной обнаружительной способности фоновая | 183 |
характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая | 164 |
характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП температурная | 191 |
характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП фоновая | 183 |
характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП частотная | 177 |
характеристика удельной обнаружительной способности частотная | 177 |
характеристика фоторезистора люксомическая | 169 |
характеристика фототока ФЭПП энергетическая | 166 |
характеристика фототока энергетическая | 166 |
характеристика фототранзистора вольтамперная входная | 159 |
характеристика фототранзистора вольтамперная выходная | 160 |
характеристика фототранзистора энергетическая входная | 171 |
характеристика фототранзистора энергетическая выходная | 172 |
характеристика ФПУ сигнальная | 173 |
характеристика ФЭПП вольтамперная | 158 |
характеристика ФЭПП люксамперная | 170 |
характеристика ФЭПП нормированная переходная | 193 |
характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная | 194 |
характеристика ФЭПП сигнальная | 173 |
характеристика чувствительности вольтовая | 161 |
характеристика чувствительности спектральная | 155 |
характеристика чувствительности спектральная абсолютная | 156 |
характеристика чувствительности спектральная относительная | 157 |
характеристика чувствительности температурная | 187 |
характеристика чувствительности угловая | 198 |
характеристика чувствительности фоновая | 179 |
характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая | 161 |
характеристика чувствительности ФЭПП спектральная | 155 |
характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсолютная | 156 |
характеристика чувствительности ФЭПП спектральная относительная | 157 |
характеристика чувствительности ФЭПП температурная | 187 |
характеристика чувствительности ФЭПП угловая | 198 |
характеристика чувствительности ФЭПП фоновая | 179 |
характеристика чувствительности ФЭПП частотная | 174 |
характеристика чувствительности частотная | 174 |
частота предельная | 98 |
частота ФЭПП предельная | 98 |
число элементов | 101 |
число элементов ФЭПП | 101 |
чувствительность | 67 |
чувствительность вольтовая | 72 |
чувствительность дифференциальная | 76 |
чувствительность импульсная | 77 |
чувствительность интегральная | 73 |
чувствительность к облученности | 70 |
чувствительность к освещенности | 70 |
чувствительность к потоку излучения | 68 |
чувствительность к световому потоку | 69 |
чувствительность монохроматическая | 74 |
чувствительность статическая | 75 |
чувствительность токовая | 71 |
чувствительность фототранзистора вольтовая | 129 |
чувствительность фототранзистора токовая | 128 |
чувствительность ФЭПП | 67 |
чувствительность ФЭПП вольтовая | 72 |
чувствительность ФЭПП дифференциальная | 76 |
чувствительность ФЭПП импульсная | 77 |
чувствительность ФЭПП интегральная | 73 |
чувствительность ФЭПП к облученности | 70 |
чувствительность ФЭПП к освещенности | 70 |
чувствительность ФЭПП к потоку излучения | 68 |
чувствительность ФЭПП к световому потоку | 69 |
чувствительность ФЭПП монохроматическая | 74 |
чувствительность ФЭПП статическая | 75 |
чувствительность ФЭПП токовая | 71 |
шаг элементов | 102 |
шаг элементов ФЭПП | 102 |
элемент фоточувствительный дефектный | 52 |
элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный | 46 |
элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный | 42 |
элемент ФЭПП иммерсионный | 46 |
ЭШРТ | 86 |
pin-фотодиод | 12 |
Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке
|
|
absolute spectral response characteristic | 156 |
angular field of view | 93 |
avalanche mode of photodiode operation | 34 |
avalanche photodiode | 15 |
back-biased operation mode | 33 |
background limited mode | 30 |
bad pixel | 52 |
base dark current of a phototransistor | 115 |
base photocurrent of a phototransistor | 122 |
base total current of a phototransistor | 125 |
base voltage of a phototransistor | 108 |
bias detectivity characteristic | 164 |
bias multiplication factor characteristic | 165 |
bias noise current characteristic | 162 |
bias noise voltage characteristic | 163 |
bias voltage response characteristic | 161 |
bipolar phototransistor | 19 |
BLIP | 87 |
breakdown voltage of a photodiode | 54 |
camera | 29 |
camera module | 29 |
capacitance | 99 |
collector-base breakdown voltage of a phototransistor | 110 |
collector-base dark current of a phototransistor | 117 |
collector-base total current of a phototransistor | 127 |
collector dark current of a phototransistor | 113 |
collector-emitter dark current of a phototransistor | 116 |
collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor | 109 |
collector-emitter total current of a phototransistor | 126 |
collector photocurrent of a phototransistor | 120 |
collector total current of a phototransistor | 123 |
collector voltage of a phototransistor | 106 |
cooldown time | 153 |
cooled photodetector | 20 |
cooled photoreceiving device | 26 |
coordinate characteristic | 195 |
critical radiation power | 144 |
current responsivity of a photodetector | 71 |
current responsivity of a phototransistor | 128 |
current-voltage characteristic | 158 |
cut-off frequency | 98 |
dark current | 62 |
dark current multiplication factor of an avalanche photodiode | 136 |
dark current-temperature characteristic | 186 |
dark current unstability | 148 |
dark resistance | 59 |
dark resistance-temperature characteristic | 185 |
dead pixel | 52 |
decay time | 96 |
defective pixel | 52 |
detectivity | 84 |
differential electrical resistance | 57 |
differential responsivity | 76 |
differential slope characteristic | 132 |
dynamic range | 145 |
effective photosensitive area | 92 |
effective weighted solid angle | 94 |
element spacing | 103 |
emitter-base breakdown voltage of a phototransistor | 111 |
emitter-base dark current of a phototransistor | 118 |
emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor | 112 |
emitter-collector dark current of a phototransistor | 119 |
emitter dark current of a phototransistor | 114 |
emitter photocurrent of a phototransistor | 121 |
emitter total current of a phototransistor | 124 |
emitter voltage of a phototransistor | 107 |
exposure time | 199 |
field effect phototransistor | 18 |
floating-base mode of phototransistor operation | 36 |
frequency response characteristic | 174 |
gain of an injection photodiode | 140 |
heterodyne photodetector | 8 |
heterodyne reception mode of photodetector operation | 40 |
heterojunction photodiode | 14 |
hybrid photoreceiving device | 28 |
illuminance-resistance characteristique slope of a photoresistor | 78 |
illumination responsivity | 70 |
image forming delay | 200 |
immersed photodetector | 9 |
independent operating time | 154 |
injection photodiode | 16 |
input current-voltage characteristic | 159 |
input energy characteristic of a phototransistor | 171 |
insulating strength | 56 |
integration time | 199 |
irradiance responsivity responsivity | 70 |
light unstability | 151 |
linear area characteristic | 131 |
long wavelength limit | 90 |
luminous flux responsivity | 69 |
matched impedance mode of photodetector operation | 39 |
maximum admissible power dissipation | 143 |
maximum admissible voltage | 55 |
monochromatic responsivity | 74 |
monolictical photoreceiving device | 27 |
multi-band photodetector | 4 |
multi-band photoreceiving device | 24 |
multi-element photodetector | 6 |
multi-element photoreceiving device with internally commutation | 23 |
multi-element photoreceiving device with separate channels | 22 |
NEP-background radiant flux characteristic | 182 |
NEP-temperature characteristic | 190 |
NETD | 86 |
noise current | 79 |
noise current-background radiant flux characteristic | 180 |
noise current spectrum | 175 |
noise current-temperature characteristic | 188 |
noise equivalent power | 81 |
noise equivalent power of the background limited infrared photodetector | 87 |
noise equivalent temperature difference | 86 |
noise voltage | 80 |
noise voltage spectrum | 176 |
noise voltage-temperature characteristic | 189 |
normalized inverse transfer characteristic | 194 |
normalized transfer characteristic | 193 |
number of elements | 101 |
open-circuit mode of photodetector operation | 38 |
operating voltage | 53 |
noise voltage-background radiant flux characteristic | 181 |
operating voltage constant keeping accuracy of an avalanche photodiode | 138 |
operating voltage temperature coefficient of an avalanche photodiode | 139 |
optical generation mode | 31 |
optical generation mode temperature | 152 |
output current-voltage characteristic | 160 |
output energy characteristic of a phototransistor | 172 |
output impedance | 135 |
peak spectral response wavelength | 88 |
photoconductive cell | 10 |
photocurrent | 63 |
photocurrent gain factor of a phototransistor | 130 |
photocurrent-illuminance characteristic | 170 |
photocurrent multiplication factor of an avalanche photodiode | 137 |
photocurrent radiant flux characteristic photocurrent radiant flux characteristic | 166 |
photocurrent temperature coefficient | 150 |
photodetector | 2 |
photodetector aperture stop | 49 |
photodetector cold-stop | 49 |
photodetector film base | 47 |
photodetector input window | 48 |
photodetector optical immersion element | 46 |
photodetector package | 45 |
photodetector pin | 44 |
photodetector pixel | 42 |
photodetector sensitive element | 42 |
photodetector terminal | 43 |
photodiode | 11 |
photoelectric coupling coefficient | 104 |
photoelectric semiconducting detector | 2 |
photoelectric signal current | 66 |
photoelectric signal voltage | 65 |
photoelectric signal voltage radiant flux characteristic | 167 |
photoreceiving device | 3 |
photoreceiving device channel | 50 |
photoreceiving device output | 50 |
photoresistor | 10 |
photosensitive semiconductor device | 1 |
photosensitive semiconductor scanistor | 25 |
phototransistor | 17 |
photovoltaic mode of photodiode operation | 35 |
pin-photodiode | 12 |
pitch of elements | 102 |
position-sensitive photodetector | 7 |
pulse responsivity | 77 |
radiant flux responsivity | 68 |
radiant power-static resistance characteristic of a photoresistor | 168 |
readout integrated circuit | 51 |
relative gain of an injection photodiode | 141 |
relative spectral response characteristic | 157 |
resistance-illuminance characteristic of a photoresistor | 169 |
resistance under illumination | 61 |
resistance under illumination-background radiant flux characteristic | 178 |
resistance under illumination-temperature characteristic | 184 |
resistance unstability coefficient | 147 |
response unstability | 149 |
responsivity | 67 |
responsivity-background radiant flux characteristic | 179 |
responsivity directional distribution | 198 |
responsivity surface distribution | 197 |
responsivity-temperature characteristic | 187 |
rise time | 95 |
ROIC | 51 |
Schottky-barrier photodiode | 13 |
series resistance of the photodiode | 100 |
set-up time of the normalized transfer characteristic | 97 |
short-circuit mode of photodetector operation | 37 |
short-wavelength limit | 89 |
signal characteristic | 173 |
single-element photodetector | 5 |
single-element photoreceiving device | 21 |
spacing response non-uniformity | 146 |
specific detectivity | 85 |
specific detectivity-background radiant flux characteristic | 183 |
specific detectivity frequency dependence | 177 |
specific detectivity-temperature characteristic | 191 |
specific noise equivalent power | 83 |
spectral response | 155 |
spectral sensitivity range | 91 |
spread of parameter values | 105 |
static resistance | 58 |
static responsivity | 75 |
static slope characteristic | 133 |
TDI | 41 |
thermal generation mode | 32 |
time-delay integration photoreceiving device mode | 41 |
time drift of zero point | 196 |
total current | 64 |
total power dissipation | 142 |
total responsivity | 73 |
unit frequency bandwidth noise equivalent power | 82 |
voltage responsivity of a photodetector | 72 |
voltage responsivity of a phototransistor | 129 |
zero-bias mode of photodiode operation | 35 |
zero bias resistance of a photodiode | 60 |
zero drift | 196 |
zero drift-temperature characteristic | 192 |
zero point | 134 |
Алфавитный указатель буквенных обозначений
|
|
|
|
| - | динамический диапазон ФЭПП | 145 |
| - | критическая мощность излучения ФЭПП | 144 |
 | , | порог чувствительности ФЭПП, ФПУ | 81 |
 |  | удельный порог чувствительности ФЭПП | 83 |
| | радиационный порог чувствительности ФЭПП | 87 |
|  | порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот | 82 |
| - | температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП | 190 |
| - | фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот | 182 |
| | эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП | 92 |
| | емкость ФЭПП | 99 |
| | обнаружительная способность ФЭПП | 84 |
| | удельная обнаружительная способность ФЭПП | 85 |
| | частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП | 177 |
|  | температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП | 191 |
 | | вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП | 164 |
| | фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП | 183 |
| | предельная частота ФЭПП | 98 |
| | шаг элементов ФЭПП | 102 |
| - | переходная нормированная характеристика ФЭПП | 193 |
| - | обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП | 194 |
 ,  ,  | - | вольтовая чувствительность фототранзистора | 129 |
 ,  ,  | - | токовая чувствительность фототранзистора | 128 |
| | общий ток ФЭПП | 64 |
| | ток фотосигнала ФЭПП | 66 |
| | темновой ток ФЭПП | 62 |
 | | температурная характеристика темнового тока ФЭПП | 186 |
 | | фототок ФЭПП | 63 |
| | ток шума ФЭПП | 79 |
| | общий ток коллектор-база фототранзистора | 127 |
| | темновой ток коллектор-база фототранзистора | 117 |
| | темновой ток эмиттер-база фототранзистора | 118 |
| | темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора | 119 |
| | темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора | 116 |
| | общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора | 126 |
, , | , , | общий ток базы фототранзистора | 125 |
, , | , ,  | общий ток эмиттера фототранзистора | 124 |
, , | ,  , | темновой ток эмиттера фототранзистора | 114 |
, , | , , | фототок эмиттера фототранзистора | 121 |
, , | , , | фототок базы фототранзистора | 122 |
, , | ,  , | темновой ток базы фототранзистора | 115 |
, , | , , | темновой ток коллектора фототранзистора | 113 |
, , | , , | фототок коллектора фототранзистора | 120 |
, , | , , | общий ток коллектора фототранзистора | 123 |
 | - | нестабильность темнового тока ФЭПП | 148 |
 | | вольтамперная характеристика ФЭПП | 158 |
 | | входная вольтамперная характеристика фототранзистора | 159 |
 |  | выходная вольтамперная характеристика фототранзистора | 160 |
 | - | выходная энергетическая характеристика фототранзистора | 172 |
 | | люксамперная характеристика ФЭПП | 170 |
 | | энергетическая характеристика фототока ФЭПП | 166 |
| | спектр тока шума ФЭПП | 175 |
| | температурная характеристика тока шума ФЭПП | 188 |
 |  | вольтовая характеристика тока шума ФЭПП | 162 |
| | фоновая характеристика тока шума ФЭПП | 180 |
| - | коэффициент усиления инжекционного фотодиода | 140 |
| - | коэффициент усиления по фототоку фототранзистора | 130 |
 | | коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП | 104 |
| - | коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода | 141 |
| | межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП | 103 |
| | коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода | 136 |
| | коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода | 137 |
 ,  |  ,  | вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода | 165 |
| - | число элементов ФЭПП | 101 |
| | рассеиваемая мощность ФЭПП | 142 |
| | выходное сопротивление координатного ФЭПП | 135 |
 | | дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП | 57 |
| , | световое сопротивление ФЭПП | 61 |
 | , | люксомическая характеристика фоторезистора | 169 |
|  , | температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП | 184 |
|  , | фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП | 178 |
| | последовательное сопротивление фотодиода | 100 |
| | статическое сопротивление ФЭПП | 58 |
 |  | энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора | 168 |
| | темновое сопротивление ФЭПП | 59 |
| - | температурная характеристика темнового сопротивления ФЭПП | 185 |
| | максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП | 143 |
| | сопротивление фотодиода при нулевом смещении | 60 |
 | - | нестабильность сопротивления ФЭПП | 147 |
| | чувствительность ФЭПП | 67 |
 |  | абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП | 156 |
| | дифференциальная чувствительность ФЭПП | 76 |
| - | дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП | 132 |
|  | чувствительность ФЭПП к освещенности | 70 |
 |  | чувствительность ФЭПП к облученности | 70 |
|  | импульсная чувствительность ФЭПП | 77 |
|  | интегральная чувствительность ФЭПП | 73 |
 | | относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП | 157 |
| | статическая чувствительность ФЭПП | 75 |
| - | статическая крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП | 133 |
| - | сигнальная характеристика | 173 |
|  | чувствительность ФЭПП к световому потоку | 69 |
 |  | чувствительность ФЭПП к потоку излучения | 68 |
| | токовая чувствительность ФЭПП | 71 |
| | вольтовая чувствительность ФЭПП | 72 |
|  | монохроматическая чувствительность ФЭПП | 74 |
| | частотная характеристика чувствительности ФЭПП | 174 |
| | температурная характеристика чувствительности ФЭПП | 187 |
 | | вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП | 161 |
 |  | распределение чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП | 197 |
 | | угловая характеристика чувствительности ФЭПП | 198 |
 |  | спектральная характеристика чувствительности ФЭПП | 155 |
| | фоновая характеристика чувствительности ФЭПП | 179 |
 | - | неравномерность чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП | 146 |
| | время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП | 153 |
|  | время задержки фотоотклика при формировании изображения | 200 |
 | | время накопления [экспозиции] | 199 |
|  | время автономной работы охлаждаемого ФЭПП | 154 |
,  | - | входная энергетическая характеристика фототранзистора | 171 |
| - | координатная характеристика координатного ФЭПП | 195 |
| | электрическая прочность изоляции ФЭПП | 56 |
| | пробивное напряжение фотодиода | 54 |
 | | рабочее напряжение ФЭПП | 53 |
| | напряжение фотосигнала ФЭПП | 65 |
 |  | энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП | 167 |
|  | напряжение шума ФЭПП | 80 |
 |  | спектр напряжения шума ФЭПП | 176 |
|  | температурная характеристика напряжения шума ФЭПП | 189 |
 | | фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП | 181 |
| | максимально допустимое напряжение ФЭПП | 55 |
|  | пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора | 110 |
| | пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора | 111 |
| | пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора | 112 |
| | пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора | 109 |
, | , | напряжение на коллекторе фототранзистора | 106 |
, | , | напряжение на эмиттере фототранзистора | 107 |
, | , | напряжение на базе фототранзистора | 108 |
 |  | вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП | 163 |
 | | точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода | 138 |
 | - | нестабильность чувствительности ФЭПП | 149 |
| | нулевая точка координатного ФЭПП | 134 |
 |  | температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного ФЭПП | 192 |
| | координатная характеристика координатного ФЭПП | 196 |
| - | температурный коэффициент фототока ФЭПП | 150 |
 | | температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода | 139 |
| | наклон люксомической характеристики фоторезистора | 78 |
| | разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП | 105 |
 |  | длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП | 88 |
|  | коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП | 89 |
|  | длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП | 90 |
| | область спектральной чувствительности ФЭПП | 91 |
 | - | световая нестабильность ФЭПП | 151 |
 | - | время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню  | 97 |
 | | время нарастания ФЭПП | 95 |
 | | время спада ФЭПП | 96 |
| - | линейная зона координатной характеристики координатного ФЭПП | 131 |
| | плоский угол зрения ФЭПП | 93 |
| | эффективное поле зрения ФЭПП | 94 |
Приложение А
(справочное)
Термины и определения общетехнических понятий, необходимых для понимания текста стандарта
|
|
А.1 электромагнитное излучение: Процесс испускания электромагнитных волн.
| electromagnetic radiation |
Примечание - Под термином "электромагнитное излучение" следует понимать также и уже излученные электромагнитные волны.
|
|
А.2 оптическое излучение: Электромагнитное излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10  -10  м. | optical radiation |
Примечание - В указанном диапазоне электромагнитные волны наиболее эффективно изучают оптическими методами, для которых характерно формирование направленных потоков электромагнитных волн с помощью оптических систем.
|
|
А.3 ультрафиолетовое излучение: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10 -4·10  м. | ultraviolet radiation |
А.4 видимое излучение: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 4·10 -7,6·10 м. | visible radiation |
А.5 инфракрасное излучение; ИК: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 7,6·10 -10 м. | infrared radiation; IR |
Примечание - Инфракрасное излучение разделяют на поддиапазоны:
- ближний ИК диапазон 7,6·10 -10  м; - коротковолновый ИК диапазон 10 -2,5·10 м; - средневолновый ИК диапазон 3·10 -5·10 м; - длинноволновый ИК диапазон 8·10 -1,4·10  м. |
|
А.6 равновесное излучение: Электромагнитное излучение, испускаемое физической системой, находящейся в термодинамическом равновесии.
| equilibrium radiation |
А.7 немодулированное излучение: Излучение, не изменяющееся во времени за период его измерения.
| unmodulated emission |
А.8 модулированное излучение: Излучение, изменяющееся во времени с помощью модуляторов.
| modulated radiation |
А.9 фотоэлектрический эффект; фотоэффект: Процесс полного или частичного освобождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов
| photoelectric effect; photoeffect |
А.10 внутренний фотоэлектрический эффект; внутренний фотоэффект: Перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах в результате поглощения фотонов. | internal photoelectric effect; internal photoeffect |
А.11 эффект проводимости: Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное внутренним фотоэлектрическим эффектом.
| conduction effect |
А.12 фотогальванический эффект: Возникновение электродвижущей силы (ЭДС) в электронно-дырочном переходе или тока при включении перехода в электрическую цепь, происходящее в результате разделения фотоносителей электрическим полем, обусловленным неоднородностью проводника.
| photovoltaic effect |
Примечание - Под термином "фотоносители" следует понимать носители электрического заряда, генерированные в полупроводнике под действием оптического излучения.
|
|
А.13 фотопроводимость: Свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения.
| photoconductivity |
А.14 собственная фотопроводимость: Фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения.
| intrinsic photoconductivity |
А.15 примесная фотопроводимость: Фотопроводимость полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной и (или) акцепторной примесей, возникающей под действием оптического излучения.
| impurity photoconductivity |
А.16 фотоэлектродвижущая сила; фото-ЭДС: Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на переходе под действием оптического излучения. | photoelectromotive force |
А.17 фотосигнал: Реакция приемника на оптическое излучение.
| photosignal |
Примечание - Данный термин применим к ФЭПП и ФПУ первого поколения.
|
|
А.18 фотоотклик: Реакция приемника на оптическое излучение.
| photoresponse |
Примечание - Данный термин применим к ФПУ второго и последующих поколений. |
|
|
|
УДК 535.247.4.089.5:006.354 | ОКС 31.080.01 |
Ключевые слова: приемники излучения полупроводниковые, фотоэлектрические и фотоприемные устройства, термины и определения | |