ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
ГОСТ 19095-73
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Field-effect transistors. Terms, definitions and alphabetical symbols of parameters
МКС 01.040.31
31.080.30
Дата введения 1975-01-01
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 10 августа 1973 г. N 1960 дата введения установлена 01.01.75
ИЗДАНИЕ с Изменением N 1, утвержденным в августе 1982 г. (ИУС 12-82).
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полевые транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2771-80.
Строчные индексы, обозначающие электроды, относятся к параметрам малого сигнала, прописные - к параметрам большого сигнала.
В случаях, когда не возникает сомнения в том, что используемое обозначение относится к максимально допустимому параметру, опускается индекс "макс".
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять, когда исключена возможность их различного толкования. Установленные определения можно при необходимости изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено и, соответственно, в графе "Определение" поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым.
|
|
|
|
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
| отечественное | международное |
|
1. Начальный ток стока
D. Drain-Source-Kurzsch-lubstrom
E. Drain current for V  =0 F. Courant de drain pour V  |  |  | Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения |
1a. Ток стока
D. Drainstrom
E. Drain current
F. Courant de drain |  |  | Ток, протекающий в цепи сток-исток при напряжении сток-исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, и при заданном напряжении затвор-исток |
2. Остаточный ток стока
D. Drain-Reststrom
E. Drain cut-off current
F. Courant de drain au blocage |  |  | Ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки |
2a. Ток стока при нагруженном затворе
D. Drainstrom bei Widerstand-sabschluss zwischen Source und Gate
E. Drain current at a specified gatesource resistance
F. Courant de drain pour une  grillesource   |  |  | Ток стока при заданном напряжении сток-исток и включенном между затвором и истоком резистором |
2б. Ток истока
D. Sourcesstrom
E. Source current
F. Courant de source |  |  | - |
2в. Начальный ток истока
D. Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate
E. Source current witg gate shortcircuited to drain
F. Courant de source la grille  court-  au drain |  |  | Ток истока при напряжении затвор-сток, равном нулю, и заданном напряжении сток-исток
|
2г. Остаточный ток истока
D. Sourcereststrom
F. Source current at a specified gatedrain condition
F. Courant de source dans des conditions grilledrain  |  |  | Ток истока при заданных напряжениях затвор-исток и сток-исток
|
2д. Ток затвора
D. Gatestrom
E. Gate current
F. Courant de grille |  |  | - |
2е. Прямой ток затвора
D. Gatedurchlassstrom
E. Forward gate current
F. Courant directe de grille |  |  | - |
2ж. Ток отсечки затвора
D. Gatesperrstrom bei vorge-gebener Drain-Source-Spannung
E. Gate cut-off current (of a fieldeffect transistor) with specified drain-source circuit conditions
F. Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source |  |  | Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток |
3. Ток утечки затвора
D. Gatereststrom
E. Gate leakage current
F. Courant de fuite de drain |  |  | Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой |
4. Обратный ток перехода затвор-сток
D. Gatereststrom (Source offen)
E. Gate cut-off current with source open-circuited
F. Courant  de grille |  |  | Ток, протекающий в цепи затвор-сток, при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами |
5. Обратный ток перехода затвор-исток
D. Gatereststrom (Drain offen)
E. Gate cut-off current with drain open-circuited
F. Courant de grille le drain  en circuit ouvert |  |  | Ток, протекающий в цепи затвор-исток, при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами |
5a. Ток подложки
D. Substratstrom
E. Substrate current
F. Courant de substrat |  |  | - |
6. Напряжение отсечки полевого транзистора
Напряжение отсечки
D. Gate-Source-Spannung  E. Gate-source cut-off voltage
F. Tension grille-source de blocage |  |  | Напряжение между затвором и истоком транзистора с  переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения |
7. Пороговое напряжение полевого транзистора
Пороговое напряжение
D. Schwellspannung
E. Gate-source threshold voltage
F. Tension de seuil grille-source |  |  | Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения |
7a. Напряжение сток-исток
D. Drain-Source-Spannung
E. Drain-source (d. c.) voltage
F. Tension (continue) drain-source |  |  | - |
7б. Напряжение затвор-исток
D. Gate-Source-Spannung
E. Gate-source (d. c.) voltage
F. Tension (continue) grille-source |  |  | - |
7в. Прямое напряжение затвор-исток
D. Gate-Source-Durch-lassspannung
E. Forward gate-source (d. с.) voltage
F. Tension directe (continue) grille-source |  |  | - |
7г. Обратное напряжение затвор-исток
D. Gate-Source-Sperrspannung
E. Reverse gate-source (d. c.) voltage
F. Tension inverse (continue) grille-source |  |  | - |
7д. Напряжение затвор-сток
D. Gate-Drain-Spannung
E. Gate-drain (d. c.) voltage
F. Tension (continue) grille-drain |  |  | - |
7e. Напряжение исток-подложка
D. Source-Substrat-Spannung
E. Source-substrate (d. c.) voltage
F. Tension (continue) source-substrat |  |  | - |
7ж. Напряжение сток-подложка
D. Drain-Substrat-Spannung
E. Drain-substrate (d. c.) voltage
F. Tension (continue) drain-substrat |  |  | - |
7з. Напряжение затвор-подложка
D. Gate-Substrat-Spannung
E. Gate-substrate (d. c.) voltage
F. Tension (continue) grille-substrat |  |  | - |
7и. Пробивное напряжение затвора
D. Gate-Source-Durchbruch-spannung
E. Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source)
F. Tension de claquage grillesource |  |  | Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке
|
8. Крутизна характеристики полевого транзистора
Крутизна характеристики
D.  E. Forward transconductance
F. Transconductance directe |  |  | Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком |
9. Крутизна характеристики по подложке |  |
| Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на подложке при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком |
10. Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
D. Drain-Source-Widerstand bei  Transistor E. Drain-source onstate resistance
F.  drainsource  passent |  |  | Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжении насыщения
|
10a. Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии
D. Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor
E. Drain-source off-state resistance
F. drain-source  |  |  | Сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток
|
11. Емкость сток-исток
D. Drain-Source  E. Drain-source capacitance
F. Capacite drain-source |  |  | Емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах
|
12. Емкость затвор-сток
D. Gate-Drain E. Gate-drain capacitance
F.  grille-drain |  |  | Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах |
13. Емкость затвор-исток
D. Gate-Source  E. Gate-source capacitance
F. grille-source |  |  | Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах |
14. Входная емкость полевого транзистора
Входная емкость
D.  E. Input capacitance
F.  |  |  | Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком |
15. Выходная емкость полевого транзистора
Выходная емкость
D.  E. Output capacitance
F. de sortie |  |  | Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком |
16. Проходная емкость полевого транзистора
Проходная емкость
D.  E. Reverse transfer capacitance
F. de transfert inverse |  |  | Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком |
17. Полная входная проводимость полевого транзистора
Полная входная проводимость
D. Kurzschluss-Eingangs-scheinleitwert
E. Schort-circuit input admittance
F. Admittance d’entree, la sortie etant en court-circuit |  |  | - |
18. Активная составляющая входной проводимости полевого транзистора
Активная входная проводимость
D. Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes
E. Short-circuit input conductance
F. Conductance  , la sortie en court-circuit |  |  | - |
19. Полная проводимость обратной передачи полевого транзистора
Полная проводимость обратной передачи
D. Kurzschluss  scheinleitwert E. Short-circuit reverse transfer admittance
F. Admittance de transfert inverse,  en court-circuit |  |  | - |
20. Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора
Модуль полной проводимости обратной передачи D. Betrag des Kurzschluss  wertes E. Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance
F. Module de l’admittance de transfert inverse, en court-circuit |  |  | - |
21. Полная проводимость прямой передачи полевого транзистора
Полная проводимость прямой передачи
D. Kurzschluss  F. Short-circuit forward transfer admittance
F. Admittance de transfert direct, la sortie, etant en court-circuit |  |  | - |
22. Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора
Модуль полной проводимости прямой передачи
D. Betrag des Kurzschluss-  E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance
F. Module de l’admittance de transfert direct, la sortie etant en court-circuit |  |  | - |
23. Полная выходная проводимость полевого транзистора
Полная выходная проводимость
D. Kurzschluss-Ausgangs-scheinleitwert
E. Short-circuit output admittance
F. Admittance de sortie, en court-circuit |  |  | - |
24. Активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора
Активная выходная проводимость
D. Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes
E. Short-circuit output conductance
F. Conductance de sortie, en court-circuit |  |  | - |
25. Шумовое напряжение полевого транзистора
Шумовое напряжение
D. Rauschspannung
E. Noise voltage
F. Tension de bruit |  |  | Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком |
26. Электродвижущая сила шума полевого транзистора
э.д.с. шума
D. Rauschurspannung
E. Noise force electrovelocity |  |  | Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведенного ко входу, при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком |
27. Шумовой ток полевого транзистора
Шумовой ток
D. Rauschstrom
E. Noise current
F. Courant de bruit |  |  | Эквивалентный шумовой ток, приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот  в схеме с общим истоком |
28. Шумовое сопротивление полевого транзистора
Шумовое сопротивление
D. Rauschwiderstand
E. Noise resistance
F. de bruit |  |  | Эквивалентное шумовое сопротивление при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком, определяемое соотношением
 , где - э.д.с. шума |
29. Коэффициент шума полевого транзистора
Коэффициент шума
D. Rauschfaktor
E. Noise figure
F. Facteur de bruit |  |  | Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала |
30. Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
Коэффициент усиления по мощности
D.  E. Power gain
F. Gain en puissance |  |  | Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения
|
31. Время задержки включения полевого транзистора
Время задержки включения
D.  E. Turn-on delay time
F. Retard  la croissance |  |  | Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса |
32. Время нарастания для полевого транзистора
Время нарастания
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance |  |  | Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора |
33. Время задержки выключения полевого транзистора
Время задержки выключения
D.  E. Turn-off delay time
F. Retard  |  |  | Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса |
34. Время спада для полевого транзистора
Время спада
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de  |  |  | Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора |
35. Время включения полевого транзистора
Время включения
D. Einschaltzeit
E. Turn-on time
F. Temps total  |  |  | Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора |
36. Время выключения полевого транзистора
Время выключения
D. Ausschaltzeit
E. Turn-off time
F. Temps total de coupure |  |  | Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада |
37. Разность напряжений затвор-исток
D. Gate-Source-Spannungs-differenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
E. Difference of gate-source voltages
F. Difference des tension grille-source |  |  | Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока |
38. Температурный уход разности напряжений затвор-исток
D. Temperaturdrift der Gate-Source- Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors)
E. Drift of difference of gate-source voltage with temperature
F. Variation de la difference des tensions grillesource avec la temperature |  |  | Отношение изменения разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды
|
39. Разность активных выходных проводимостей
D. Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors) |  |  | Абсолютное значение разности активных выходных проводимостей сдвоенного полевого транзистора
|
40. Отношение начальных токов стока
D. Drain-Source-Kurzsch  (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors) E. Ratio of drain currents
F. Rapport de courant de drain |  |  | Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора |
41. Разность токов утечки затвора
D. Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors) |  |  | - |
41a. Постоянная рассеиваемая мощность стока
D. Drain-Source-Verlustleistung |  |  | - |
42*. Максимально допустимое напряжение сток-исток
D. Maximal  Drain-Source-Spannung E. Maximum drain-source-voltage
F. Tension maximale drain-source |  |  | - |
_______________ * Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
| |||
43. Максимально допустимое напряжение затвор-исток
D. Maximal Gate-Source-Spannung E. Maximum gate-source voltage
F. Tension grille-source maximale |  |  | - |
44. Максимально допустимое напряжение затвор-сток
D. Maximal Gate-Drain-Spannung E. Maximum gate-drain voltage
F. Tension grille-drain maximale |  |  | - |
45. Максимально допустимое напряжение сток-подложка
D. Maximal Drain-Bulk-Spannung E. Maximum drain-substrate voltage
F. Tension maximale drain-substrat |  |  | - |
46. Максимально допустимое напряжение исток-подложка D. Maximal Source-Bulk-Spannung E. Maximum source-substrate voltage
F. Tension maximale source-substrat |  |  | - |
47. Максимально допустимое напряжение затвор-подложка
D. Maximal Gate-Bulk-Spannung E. Maximum gate-substrate voltage
F. Tension maximale grille-substrate |  |  | - |
48. Максимально допустимое напряжение между затворами
D. Maximal Spannung zwischen den Gates E. Maximum gate-gate voltage
F. Tension maximale grille-grille |  |  | - |
49. Максимально допустимый постоянный ток стока
D. Maximal  Drain Gleichstrom E. Maximum drain current
F. Courant maximale de drain |  |  | - |
50. Максимально допустимый прямой ток затвора
D. Maximal Gate  E. Maximum forward gate current
F. Courant directe de grille |  |  | - |
51. Максимально допустимый импульсный ток стока
D. Maximal Drain-Impulsstrom |  |  | Импульсный ток стока при заданных длительности и скважности импульсов |
52. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора
D. Maximal Dauerver-lustleistung E. Power dissipation
F. Dissipation de puissance |  |  | - |
53. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора
D. Maximal Impulsverlustleistung |  |  | Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов
|
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
|
|
Время включения | 35 |
Время включения полевого транзистора | 35 |
Время выключения | 36 |
Время выключения полевого транзистора | 36 |
Время задержки включения | 31 |
Время задержки включения полевого транзистора | 31 |
Время задержки выключения | 33 |
Время задержки выключения полевого транзистора | 33 |
Время нарастания | 32 |
Время нарастания для полевого транзистора | 32 |
Время спада | 34 |
Время спада для полевого транзистора | 34 |
Емкость входная | 14 |
Емкость выходная | 15 |
Емкость затвор-исток | 13 |
Емкость затвор-сток | 12 |
Емкость полевого транзистора входная | 14 |
Емкость полевого транзистора выходная | 15 |
Емкость полевого транзистора проходная | 16 |
Емкость проходная | 16 |
Емкость сток-исток | 11 |
Коэффициент усиления по мощности | 30 |
Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора | 30 |
Коэффициент шума | 29 |
Коэффициент шума полевого транзистора | 29 |
Крутизна характеристики | 8 |
Крутизна характеристики полевого транзистора | 8 |
Крутизна характеристики по подложке | 9 |
Модуль полной проводимости обратной передачи | 20 |
Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора | 20 |
Модуль полной проводимости прямой передачи | 22 |
Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора | 22 |
Мощность полевого транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая | 53 |
Мощность полевого транзистора рассеиваемая постоянная максимально допустимая | 52 |
Мощность стока рассеиваемая постоянная | 41а |
Напряжение затвор-исток | 7б |
Напряжение затвор-исток максимально допустимое | 43 |
Напряжение затвора пробивное | 7и |
Напряжение затвор-исток прямое | 7в |
Напряжение затвор-исток обратное | 7г |
Напряжение затвор-подложка | 7з |
Напряжение затвор-подложка максимально допустимое | 47 |
Напряжение затвор-исток | 7д |
Напряжение затвор-сток максимально допустимое | 44 |
Напряжение исток-подложка | 7е |
Напряжение исток-подложка максимально допустимое | 46 |
Напряжение между затворами максимально допустимое | 48 |
Напряжение отсечки | 6 |
Напряжение отсечки полевого транзистора | 6 |
Напряжение полевого транзистора пороговое | 7 |
Напряжение полевого транзистора шумовое | 25 |
Напряжение пороговое | 7 |
Напряжение сток-исток | 7а |
Напряжение сток-исток максимально допустимое | 42 |
Напряжение сток-подложка | 7ж |
Напряжение сток-подложка максимально допустимое | 45 |
Напряжение шумовое | 25 |
Отношение начальных токов стока | 40 |
Проводимость входная активная | 18 |
Проводимость входная полная | 17 |
Проводимость выходная активная | 24 |
Проводимость выходная полная | 23 |
Проводимость обратной передачи полевого транзистора полная | 19 |
Проводимость обратной передачи полная | 19 |
Проводимость полевого транзистора входная полная | 17 |
Проводимость полевого транзистора выходная полная | 23 |
Проводимость прямой передачи полевого транзистора полная | 21 |
Проводимость прямой передачи полная | 21 |
Разность активных выходных проводимостей | 39 |
Разность напряжений затвор-исток | 37 |
Разность токов утечки затвора | 41 |
Сопротивление полевого транзистора шумовое | 28 |
Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии | 10а |
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | 10 |
Сопротивление шумовое | 28 |
Составляющая входной проводимости полевого транзистора активная | 18 |
Составляющая выходной проводимости полевого транзистора активная | 24 |
Ток затвора | 2д |
Ток затвора прямой | 2е |
Ток затвора прямой максимально допустимый | 50 |
Ток истока | 2б |
Ток истока начальный | 2в |
Ток истока остаточный | 2г |
Ток отсечки затвора | 2ж |
Ток подложки | 5а |
Ток полевого транзистора шумовой | 27 |
Ток перехода затвор-исток обратный | 4 |
Ток перехода затвор-сток обратный | 5 |
Ток стока | 1а |
Ток стока импульсный максимально допустимый | 51 |
Ток стока начальный | 1 |
Ток стока остаточный | 2 |
Ток стока при нагруженном затворе | 2а |
Ток стока при разомкнутом выводе остаточный | 2 |
Ток стока постоянный максимально допустимый | 49 |
Ток утечки затвора | 3 |
Ток шумовой | 27 |
Уход разности напряжений затвор-исток температурный | 38 |
Э.д.с. шума | 26 |
Электродвижущая сила шума полевого транзистора | 26 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
|
|
Abfallzeit | 34 |
Anstiegszeit | 32 |
| 15 |
| 33 |
Ausschaltzeit | 36 |
Betrag des Kurzschluss-  | 20 |
Betrag des Kurzschluss-  | 22 |
Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) | 39
|
Drain- Reststrom | 2 |
Drainstrom | 1а |
Drainstrom Bei Widerstandsabschluss zwischen Source und Gate | 2а |
Drain-Source | 11 |
Drain-Source-Kurzschlustrom | 1 |
Drain-Source  (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) | 40 |
Drain-Source-Spannung | 7а |
Drain-Source-Verlustleistung | 41а |
Drain-Source-Widerstand bei Transistor | 10 |
Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor | 10а |
Drain-Substrat-Spannung | 7ж |
 | 14 |
| 31 |
Einschaltzeit | 35 |
Gate-Drain | 12 |
Gate-Drain-Spannung | 7д |
Gatedurchlassstrom | 2е |
Gatereststrom | 3 |
Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) | 41 |
Gatereststrom (Drain offen) | 5 |
Gatereststrom (Source offen) | 4 |
Gate-Source-Durchbruchspannung | 7и |
Gate-Source-Durchlassspannung | 7в |
Gate-Source | 13 |
Gate-Source-Spannung | 7б |
Gate-Source-Spannung  | 6 |
Gate-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) | 37 |
Gate-Source-Sperrspannung | 7г |
Gatesperrstrom bei vorgegebener Drain-Source-Spannung | 2ж |
Gatestrom | 2д |
Gate-Substrat-Spannung | 7з |
Kurzschluss-Ausgangsscheinleitwert | 23 |
Kurzschluss-Eingangsscheinleitwert | 17 |
Kurzschluss-  | 19 |
Kurzschluss-  | 21 |
 | 30 |
Maximal Dauerverlustleistung | 52 |
Maximal Drain-Bulk-Spannung | 45 |
Maximal Drain-Source-Spannung | 42 |
Maximal Gate-Bulk-Spannung | 47 |
Maximal Gate-Drain-Spannung | 44 |
Maximal Gate-Source-Spannung | 43 |
Maximal Impulsverlustleistung | 53 |
Maximal Source-Bulk-Spannung | 46 |
Maximal Spannung zwischen den Gates | 48 |
Maximal Drain-Gleichstrom | 49 |
Maximal Drain-Impulsstrom | 51 |
Maximal Gate-Vorwartsstrom | 50 |
Rauschfaktor | 29 |
Rauschspannung | 25 |
Rauschurspannung | 26 |
Rauschstrom | 27 |
Rauschwiderstand | 28 |
Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes | 24 |
Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes | 18 |
 | 16 |
Schwellspannung | 7 |
Sourcereststrom | 2г |
Sourcestrom | 2б |
Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate | 2в |
Source-Substrat-Spannung | 7е |
Substratstrom | 5а |
Temperaturdrift der Gate-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) | 38 |
 | 8 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
|
|
Difference of gate-source voltages | 37 |
Drain current | 1а |
Drain current at a specified gate-source resistance | 2а |
Drain current for V =0 | 1 |
Drain cut-off current | 2 |
Drain-source capacitance | 11 |
Drain-source off-state resistance | 10а |
Drain-source on-state resistance | 10 |
Drain-source (d. c.) voltage | 7а |
Drain-substrate (d. c.) voltage | 7ж |
Drift of difference of gate-source voltage with temperature | 38 |
Fall time | 34 |
Forward gate current | 2е |
Forward gate-source (d. c.) voltage | 7в |
Forward transconductance | 8 |
Gate current | 2д |
Gate-cut-off current with drain open-circuited | 5 |
Gate-cut-off current with source open-circuited | 4 |
Gate-cut-off current (of a field-effect transistor) with specified drain-source circuit conditions | 2ж |
Gate-drain capacitance | 12 |
Gate-drain (d. c.) voltage | 7д |
Gate leakage current | 3 |
Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source) | 7и |
Gate-source capacitance | 13 |
Gate-source cut-off voltage | 6 |
Gate-source threshold voltage | 7 |
Gate-source (d. c.) voltage | 7б |
Gate-substrate (d. c.) voltage | 7з |
Input capacitance | 14 |
Maximum drain current | 49 |
Maximum drain-source voltage | 42 |
Maximum drain-substrate voltage | 45 |
Maximum forward gate current | 50 |
Maximum gate-drain voltage | 44 |
Maximum gate-gate voltage | 48 |
Maximum gate-source voltage | 43 |
Maximum gate-substrate voltage | 47 |
Maximum source-substrate voltage | 46 |
Modulus of the short-circuit forward transfer admittance | 22 |
Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance | 20 |
Noise current | 27 |
Noise figure | 29 |
Noise force electrovelocity | 26 |
Noise resistance | 28 |
Noise voltage | 25 |
Output capacitance | 15 |
Power dissipation | 52 |
Power gain | 30 |
Ratio of drain currents | 40 |
Reverse gate-source (d. c.) voltage | 7г |
Reverse transfer capacitance | 16 |
Rise time | 32 |
Short-circuit forward transfer admittance | 21 |
Short-circuit input admittance | 17 |
Short-circuit input conductance | 18 |
Short-circuit output admittance | 23 |
Short-circuit output conductance | 24 |
Short-circuit reverse transfer admittance | 19 |
Source current | 2б |
Source current at a specified gate-drain condition | 2г |
Source current with gate short-circuited to drain | 2в |
Source-substrate (d. c.) voltage | 7е |
Substrate current | 5а |
Turn-off delay time | 33 |
Turn-on delay time | 31 |
Turn-off time | 36 |
Turn-on time | 35 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
|
|
Admittance  , la sortie en court-circuit | 17 |
Admittance de sortie,  en court-circuit | 23 |
Admittance de transfert direct, la sortie en court-circuit | 21 |
Admittance de transfert inverse, en court-circuit | 19 |
 | 14 |
de sortie | 15 |
de transfert inverse | 16 |
drain-source | 11 |
grille-drain | 12 |
grille-source | 13 |
Couductance , la sortie en court-circuit | 18 |
Couductance de sortie l’entree en court-circuit | 24 |
Courant de bruit | 27 |
Courant de drain | 1а |
Courant de drain au blocage | 2 |
Courant de drain pour V =0 | 1 |
Courant de drain pour une  grille-source  | 2а |
Courant de fuite de drain | 3 |
Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source  | 2ж |
Courant de grille | 2д |
Courant de source | 2б |
Courant de source dans des conditions grille-drain  | 2г |
Courant de source la grille  au drain | 2в |
Courant de substrat | 5а |
Courant directe de grille | 2е, 50 |
Courant maximale de drain | 49 |
Courant de grille | 4 |
Courant de grille le drain etant en circuit ouvert | 5 |
Difference des tension grille-source | 37 |
Dissipation de puissance | 52 |
Facteur de bruit | 29 |
Gain en puissance | 30 |
Module de l’admittance de transfert direct, la sortie en court-circuit | 22 |
Module de l’admittance de transfert inverse en court-circuit | 20 |
Rapport de courant de drain | 40 |
de bruit | 28 |
drain-source  | 10а |
drain-source  passent | 10 |
Retard la croissance | 31 |
Retard  | 33 |
Temps de croissance | 32 |
Temps de | 34 |
Temps total de coupure | 36 |
Temps total  | 35 |
Tension de bruit | 25 |
Tension de claquage grille-source | 7и |
Tension de seuil grille-source | 7 |
Tension directe (continue) grille-source | 7в |
Tension (continue) drain-source | 7а |
Tension (continue) drain-substrat | 7ж |
Tension (continue) grille-drain | 7д |
Tension grille-drain maximale | 44 |
Tension (continue) grille-source | 7б |
Tension grille-source de blocage | 6 |
Tension grille-source maximale | 43 |
Tension (continue) grille-substrat | 7з |
Tension inverse (continue) grille-source | 7г |
Tension maximale drain-source | 42 |
Tension maximale drain-substrat | 45 |
Tension maximale grille-grille | 48 |
Tension maximale grille-substrat | 47 |
Tension maximale source-substrat | 46 |
Tension (continue) source-substrat | 7е |
Transconductance directe | 8 |
Variation de la difference des tensions grille-source avec la  | 38 |