ВТБ Дебетовая карта
ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения емкости коллекторного и эмиттерного переходов.

ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения емкости коллекторного и эмиттерного переходов.

         

     ГОСТ 18604.3-80*

(СТ СЭВ 3999-83)

 

Группа Э29

 

      

     

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

 

 

 ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

 

 Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов

 

 Transistors bipolar. Methods for measuring collector

and emitter capacitances*

______________

* Наименование стандарта. Измененная редакция, Изм. N 2.      

     

     

ОКП 62 2312      

Дата введения 1982-01-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 4 июля 1980 г. N 3392 срок действия установлен с 01.01.82 до 01.01.87**

 

ВЗАМЕН ГОСТ 18604.3-73

 

* ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в апреле 1984 г. (ИУС 8-84).

 

ВНЕСЕНО Изменение N 2, утвержденное и введенное в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25.06.87 N 2537 с 01.10.87

 

 

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного
и эмиттерного
переходов:
 

с использованием резистивно-емкостного делителя,

 

с использованием моста.

 

Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.

 

Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности.

 

Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18604.0-83.

 

(Измененная редакция, Изм. N 2).     

 

 

 

 

1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ
И
С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ
 

РЕЗИСТИВНО-ЕМКОСТНОГО ДЕЛИТЕЛЯ*

______________

* Наименование раздела. Измененная редакция, Изм. N 2.     

           

1.1. Условия измерения

 

1.2. Частоту измерения, постоянное напряжение источника питания транзистора указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов (далее - стандартах).

 

Частоту измерения выбирают из ряда: 465 кГц, 1, 2, 5, 10, 30, 100, 300 МГц.

 

1.3. Измерения производят на малом переменном сигнале.

 

1.1-1.3. (Измененная редакция, Изм. N 2).

 

 

 2. АППАРАТУРА

2.1. Емкость
следует измерять на установке, структурная электрическая схема которой приведена на черт.1. Емкость
измеряют по этой же схеме, при этом эмиттер и коллектор меняют местами.
 
 
- измеряемый транзистор;
- элемент для развязки;
,
- конденсаторы;
 
 
- электронный измеритель напряжения;
- токосъемный резистор;
- генератор сигналов;
 
 
- измеритель напряжения
 

Черт.1

   

Для измерения
допускается применять установку, схема которой отличается от схемы, приведенной на черт.1, тем, что генератор сигналов
и электронный измеритель напряжения
(далее - прибор
) меняют местами (например, при заземленном корпусе транзистора), при этом токосъемный резистор
переносят в цепь коллектора.
 

2.2. Сопротивление токосъемного резистора выбирают из соотношения

 

,
 

     

где
- емкость измеряемого перехода;
 
- угловая частота измерения.
 
В качестве токосъемного элемента может быть использовано входное сопротивление электронного измерителя напряжения
, которое должно удовлетворять условию
 
.
 
2.3. Емкость разделительного конденсатора
выбирают из соотношения
 
,
 

     

где
- выходное сопротивление генератора сигналов.
 
Конденсатор
отсутствует в схеме черт.1, если генератор
имеет на выходе собственную разделительную емкость.
 

2.1-2.3. (Измененная редакция, Изм. N 2).

 

2.4. Выходное сопротивление генератора сигналов выбирают из соотношения

 

.
 
2.5. Емкость блокировочного конденсатора
выбирают из соотношения
 
,
 
где
- модуль полного сопротивления элемента для развязки.
 
В качестве
может быть использован резистор, индуктивность или резонансный контур, настроенный на частоту измерения.        
 
2.6. Активную составляющую полного сопротивления элемента для развязки
выбирают из соотношения
 
,
 

     

где
- напряжение источника питания коллектора;
 
- обратный ток коллектора, указывают в стандартах.
 

2.7. При измерении СВЧ транзисторов допускается:

 

соединять вывод корпуса
с корпусом схемы измерения (с землей), если имеется изолированный корпусной вывод и ни один из электродов транзистора не соединен с корпусом:
 
применять прибор
с входным сопротивлением, равным стандартному волновому сопротивлению 50 или 75 Ом. При этом токосъемным элементом, с которого снимают напряжение, пропорциональное измеряемой емкости, является параллельное соединение резистора
и входного сопротивления прибора
;
 
выбирать активную составляющую полного сопротивления
, равную стандартному волновому сопротивлению 50 или 75 Ом;          
 
в качестве токосъемного элемента использовать конденсатор, значение емкости которого должно быть не менее чем в 100 раз больше емкости измеряемого перехода. При этом токосъемный конденсатор шунтируют резистором, значение сопротивления которого
выбирают из соотношения
 
.
 
2.8. Уровень наводок прибора
, вызванных пульсацией напряжения источника питания транзистора
, а также внутренними и внешними наводками в схеме при отсутствии измеряемого сигнала, должен быть не более 5% конечного значения шкалы для стрелочных измерителей и не более 2% напряжения сигнала для измерителей с дискретным отсчетом.
 

2.5-2.8. (Измененная редакция, Изм. N 2).

 

2.9. Нестабильность чувствительности прибора
, нестабильность амплитуды и частоты генератора
должны обеспечивать постоянство калибровки с погрешностью ±10% в течение часа работы.
 
2.10. В справочном приложении представлены примеры схем измерения емкостей
и
СВЧ транзисторов в соответствии со схемой измерения черт.1 и с учетом дополнительных требований п.2.7.
 

2.11. Емкости контактодержателя должны удовлетворять требованиям:

 

,
 
,
 

     

где
- емкость между контактами коллектор-база контактодержателя, пФ;
 
- емкость между контактами эмиттер-база контактодержателя, пФ;
 
- емкость между контактами коллектор-эмиттер контактодержателя, пФ.
 
Если емкость
соизмерима с емкостью
, то вывод эмиттера в схеме, приведенной на черт.1, следует заземлять через емкость не менее 200 пФ. Пример электрической схемы измерения приведен на черт.5 приложения.
 

(Измененная редакция, Изм. N 2).

 

2.12. Основная погрешность измерительной установки (
) по схеме, приведенной на черт.1, со стрелочными измерителями должна быть в пределах ±10% конечного значения предела измерения и ±15% измеряемого значения в начале рабочего участка шкалы. При измерении емкостей 3 пФ и менее допускается
- ±(20%+0,05 пФ) измеряемого значения в начале рабочего участка шкалы.
для измерителей с цифровым отсчетом должна быть в пределах ±(10%+0,05 пФ) измеряемого значения плюс 2 знака младшего разряда дискретного отсчета.
 

(Введен дополнительно, Изм. N 2).

           

 

 

 3. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ

3.1. Перед измерением калибруют шкалу прибора
, для чего в схему черт.1 вместо транзистора включают калибровочный конденсатор
.
 
Емкость конденсатора
должна выбираться из соотношений:
 
;
 
.
 

Подбор емкости производят с погрешностью в пределах ±2% на любой частоте.

 

Шкалу прибора
считают откалиброванной, если показание его соответствует значению
в пределах погрешности измерения и стрелка при этом отклоняется не менее чем на 30% шкалы.
 
3.2. В схему измерения включают измеряемый транзистор. Задают режим по постоянному току, указанный в стандартах. По шкале прибора
отсчитывают показания измеряемой емкости.
 
3.3. При измерении емкостей, равных или менее 1 пФ, калибровку проводят измерением напряжения с помощью прибора
, подключенного через аттенюатор с необходимым ослаблением, при условии, что входное сопротивление прибора
согласовано с передающим ВЧ трактом.
 

Схема калибровки должна соответствовать приведенной на черт.2.

 

Калибровка

 

          

Черт.2

Расчет напряжений производят по формулам:

 

- при калибровке,
 
- при измерении,
 

     

где
- напряжение на генераторе при согласованной нагрузке;
 
- ослабление аттенюатора;
 
- измеряемая емкость (
или
);
 
- частота измерения;
 
- волновое сопротивление передающего ВЧ тракта, равное 50 или 75 Ом.
 
Шкала прибора
может быть проградуирована непосредственно в значениях измеряемой емкости. При этом в режиме калибровки прибор
должен показывать значение емкости, удовлетворяющее равенству
 
,
 

     

где
- значение емкости, которое показывает прибор
в режиме калибровки.
 

3.4. Измеряемую емкость рассчитывают по формуле

 

.
 
3.5. Система калибровки может отличаться от приведенной в пп.3.1 и 3.3, если она обеспечивает правильное соотношение между амплитудой генератора
и чувствительностью прибора
, погрешность измерения измерительной установки.
 
3.6. Если при измерении стрелка прибора
отклоняется менее, чем на 30% шкалы или уходит за ее пределы, то при калибровке методом калибровочной емкости следует подбирать другую чувствительность прибора
или амплитуду генератора
и вновь откалибровать шкалу, а при калибровке по схеме черт.2 необходимо изменить значение ослабления аттенюатора
.
 

 4. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ

4.1. Показатели точности измерений
и
должны соответствовать установленным в стандартах на транзисторы конкретных типов.
 

(Измененная редакция, Изм. N 2).

 

4.2. Границы интервала, в котором с вероятностью 0,997 находится погрешность измерения
, определяют по формуле
 
,
 

     

где
- погрешность измерителя емкости;
 
- коэффициент влияния напряжения коллектора (эмиттера) на измеряемый параметр, определяемый по формуле
 
,
 
- производная погрешности измеряемого параметра от напряжения;
 
- коэффициент, зависящий от закона распределения погрешности измерения и установления вероятности;
 
для нормального закона распределения и вероятности 0,997
1,96;
 
,
- предельные коэффициенты, зависящие от законов распределения составляющих погрешности; для равномерного закона распределения
1,73.
 
Для транзисторов, у которых зависимость
имеет вид
 
,
 

     

где
- коэффициент пропорциональности;
 
- показатель степени, зависящий от материала транзистора;
 
- составляющая емкости, не зависящая от напряжения, коэффициент влияния определяют по формуле
 
.
 

(Введен дополнительно, Изм. N 2).     

 

 

 5. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ
И
С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МОСТА
 

                

5.1. Условия измерения - в соответствии с требованиями разд.1.

 

5.2. Аппаратура

 

5.2.1. Емкость
следует измерять на установке, структурная электрическая схема которой приведена на черт.3 и 4. При измерении емкости
подключение выводов эмиттера и коллектора измеряемого транзистора меняют местами.
 
 

          

- измеряемый транзистор;
- мост;
- конденсатор;
- измеритель напряжения
 

Черт.3

     

  

   

 
- измеряемый транзистор;
- мост;
- элемент для развязки;
- конденсатор;
 
- измеритель напряжения
 

Черт.4

5.2.2. Требование к выбору емкости конденсатора
должно соответствовать п.2.5.
 
5.2.3. Требование к элементу для развязки
должно соответствовать п.2.6.
 

5.2.4. Требование к контактодержателю должно соответствовать п.2.11.

 

5.2.5. Основная погрешность измерительной установки
должна быть в пределах ±2% измеряемого значения плюс 2 знака младшего разряда дискретного отсчета.
 

5.3. Подготовка и проведение измерений

 

5.3.1. Перед измерением при отсутствии измеряемого транзистора проводят нулевую регулировку баланса моста согласно его описанию (например, типа Е7-12).

 

5.3.2. В схему измерения вставляют измеряемый транзистор. Задают режим по постоянному току, указанный в стандартах на транзисторы конкретных типов. Мост вновь балансируют и изменение емкости определяет емкость коллекторного или эмиттерного переходов.

 

5.4. Показатели точности - в соответствии с требованиями разд.4.

 

Раздел 5. (Введен дополнительно, Изм. N 2).

 

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

 

ПРИМЕРЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМ ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТЕЙ КОЛЛЕКТОРНОГО И ЭМИТТЕРНОГО

ПЕРЕХОДОВ СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ С ВОЛНОВЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ

ПЕРЕДАЮЩЕГО ВЧ ТРАКТА 50 ОМ

 

 

Схема с включением токосъемного резистора

последовательно в цепь базы

 

          

Черт.1

         

 

Схема с подачей сигнала от генератора в цепь базы

     

 

      

Черт.2

     

     

ПРИМЕРЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМ ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТЕЙ КОЛЛЕКТОРНОГО И ЭМИТТЕРНОГО ПЕРЕХОДОВ СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ С ВОЛНОВЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ ПЕРЕДАЮЩЕГО ВЧ ТРАКТА 75 Ом

 

 

Схема с подачей сигнала от генератора в цепь базы

     

 

        

Черт.3

     

     

Схема с включением токосъемного резистора последовательно в цепь базы

     

 

Черт.4

Основные элементы схем черт.1-4 приложения должны соответствовать требованиям, изложенным в стандарте.

 

Конденсатор
выбирают аналогично конденсатору
в соответствии с п.2.3 стандарта.
 

Схема измерения емкости коллекторного перехода с заземленным эмиттером

     

 

Черт.5