ГОСТ Р 57441-2017
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Integrated circuits. Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters
ОКС 01.040.01
31.200
Дата введения 2017-08-01
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт") и Акционерным обществом "Центральное конструкторское бюро "Дейтон" (АО "ЦКБ "Дейтон")
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ
Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. N 257-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ. Август 2018 г.
Правила применения настоящего стандарта установлены в
статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации ". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)
Введение
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области электрических параметров интегральных микросхем.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Для каждого установленного термина приведено отечественное буквенное обозначение электрического параметра и его определение (в скобках приведено международное буквенное обозначение параметра).
Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.
В пределах одного документа рекомендуется использовать одну систему обозначений - отечественную или международную.
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем, включая гибридные микросхемы, многокристальные модули и микросборки (далее - микросхемы).
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
2 Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Параметры напряжения
(
-го источника питания, обеспечивающего работу микросхемы в заданном режиме.
Примечание -
- порядковый номер источника питания.
2
напряжение питания в режиме хранения;
): Напряжение питания, необходимое для хранения информации.
3
напряжение питания в режиме ожидания;
(
5
входное напряжение низкого уровня;
(
): Напряжение низкого уровня на входе микросхемы.
6
входное напряжение высокого уровня;
(
): Напряжение высокого уровня на входе микросхемы.
7
входное пороговое напряжение;
(
): Наибольшее (наименьшее) напряжение на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
8
входное пороговое напряжение низкого уровня;
(
): Наибольшее напряжение низкого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
9
входное пороговое напряжение высокого уровня;
(
): Наименьшее напряжение высокого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
10
напряжение сигнала стирания;
(
): Напряжение на выводе "Стирание", обеспечивающее удаление информации.
11
напряжение сигнала программирования;
(
): Напряжение на выводе "Программирование", обеспечивающее изменение информации.
12
напряжение срабатывания;
(
): Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
13
напряжение отпускания;
(
): Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
14
напряжение гистерезиса;
): Разность между напряжением срабатывания и напряжением отпускания.
15
напряжение смещения нуля;
(
): Постоянное напряжение, которое должно быть приложено к входу, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению.
16
входное напряжение синфазное;
(
): Напряжение между каждым из сигнальных входов микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают.
17
входное напряжение дифференциальное;
(
): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим входами.
18
входное напряжение ограничения;
(
): Входное напряжение, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину.
19
входное напряжение покоя;
(
): Напряжение на входе микросхемы при отсутствии входного сигнала.
(
): Напряжение на выходе микросхемы в заданном режиме.
21
выходное напряжение низкого уровня;
(
22
выходное напряжение высокого уровня;
(
23
напряжение низкого уровня в состоянии "Выключено";
): Напряжение низкого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии "Выключено".
Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
24
напряжение высокого уровня в состоянии "Выключено";
): Напряжение высокого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии "Выключено".
Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
25
выходное дифференциальное напряжение;
): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим выходами.
26
выходное напряжение покоя;
(
): Напряжение на выходе микросхемы при отсутствии входного сигнала.
27
коммутируемое напряжение;
(
): Напряжение, подаваемое на коммутирующий элемент микросхемы.
(
): Постоянное напряжение с заданными требованиями по точности и стабильности его значения.
29
остаточное напряжение;
(
): Падение напряжения на открытом (включенном) коммутирующем элементе при протекании через него коммутируемого тока заданной величины.
(
): Напряжение на выходе микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю.
31
напряжение автоматической регулировки усиления;
(
): Напряжение на управляющем входе микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.
32
напряжение задержки автоматической регулировки усиления;
(
): Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным.
(
): Напряжение, которое может быть приложено между входной и выходной изолированными цепями микросхемы, при котором сохраняется ее электрическая прочность.
34
напряжение пульсаций источника питания;
(
): Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания микросхемы, при котором параметры микросхемы удовлетворяют заданным требованиям.
(
): Разность между входным и выходным напряжением микросхемы в заданном режиме.
36
минимальное падение напряжения;
): Наименьшее значение падения напряжения в заданном режиме, при котором параметры микросхемы соответствуют установленным значениям.
37
нестабильность по напряжению;
(
): Изменение выходного напряжения при изменении входного напряжения.
38
нестабильность по току;
(
): Изменение выходного напряжения при изменении выходного тока.
Параметры тока
(
): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания.
40
ток потребления при выходном напряжении низкого уровня;
(
): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении низкого уровня.
41
ток потребления при выходном напряжении высокого уровня;
(
): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении высокого уровня.
42
ток потребления в состоянии "Выключено";
(
): Ток, потребляемый микросхемой в состоянии "Выключено" на выходе.
Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
43
динамический ток потребления;
): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при переключении с заданной частотой.
44
ток потребления в режиме хранения;
(
): Ток, потребляемый микросхемой в режиме хранения информации.
(
) - Ток, протекающий в цепи вывода "Стирание" микросхемы.
(
): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы в заданном режиме.
47
входной ток низкого уровня;
(
): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении низкого уровня.
48
входной ток высокого уровня;
(
): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении высокого уровня.
49
разность входных токов;
(
): Разность значений токов, протекающих через инвертирующий и неинвертирующий входы в заданном режиме.
50
входной пробивной ток;
(
): Входной ток при максимальном напряжении на входе микросхемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме.
(
): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы в заданном режиме.
52
выходной ток низкого уровня;
(
): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы при выходном напряжении низкого уровня.
53
выходной ток высокого уровня;
(
): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы при выходном напряжении высокого уровня.
54
выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено";
(
): Выходной ток микросхемы, выход которой находится в состоянии "Выключено", при подаче на измеряемый выход заданного напряжения низкого уровня.
Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
55
выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено";
(
): Выходной ток микросхемы, выход которой находится в состоянии "Выключено", при подаче на измеряемый выход заданного напряжения высокого уровня.
Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
56
ток короткого замыкания;
(
): Выходной ток при замыкании выхода микросхемы на общий вывод (на вывод питания).
(
): Ток в цепи микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах.
(
): Ток во входной цепи микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах.
59
ток утечки низкого уровня на входе;
(
): Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.
60
ток утечки высокого уровня на входе;
(
): Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.
(
): Ток в выходной цепи микросхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах.
62
ток утечки низкого уровня на выходе;
(
): Ток утечки при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.
63
ток утечки высокого уровня на выходе;
(
): Ток утечки при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.
64
ток автоматической регулировки усиления;
(
): Ток, протекающий через регулирующий вход микросхемы и обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.
(
): Постоянный ток, устанавливаемый внешним источником в цепи питания для обеспечения заданных параметров.
Параметры мощности
66
потребляемая мощность;
(
): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в заданном режиме.
(
): Мощность, потребляемая микросхемой от источника входного сигнала для обеспечения заданной мощности на нагрузке.
(
): Мощность, выделяемая на нагрузке в заданном режиме.
69
рассеиваемая мощность;
(
): Мощность, рассеиваемая микросхемой, работающей в заданном режиме.
70
динамическая потребляемая мощность;
): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в режиме переключения с заданной частотой.
71
потребляемая мощность в режиме хранения;
(
): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в режиме хранения.
Параметры сопротивления
72
входное сопротивление;
(
): Отношение приращения входного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала.
73
выходное сопротивление;
(
): Отношение приращения выходного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала.
74
сопротивление нагрузки;
(
): Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.
75
сопротивление в открытом состоянии;
(
): Отношение падения напряжения между входом и соответствующим выходом микросхемы к току, протекающему через этот выход, в заданном режиме.
76
сопротивление изоляции;
): Сопротивление между входной и выходной изолированными цепями микросхемы.
Параметры емкости
(
): Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты.
(
): Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты.
(
): Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.
(
): Значение емкости объединенного входа/выхода, равное отношению емкостной реактивной составляющей входного или выходного тока микросхемы к произведению круговой частоты и синусоидального входного или выходного напряжения при заданном значении частоты сигнала.
81
емкость аналогового входа;
(
): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).
82
емкость аналогового выхода;
(
): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).
83
емкость управляющего входа;
(
): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через управляющий вход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).
84
емкость между аналоговыми выходом и входом;
(
): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).
Временные параметры
(
): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения.
(
): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения.
(
): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме переключения.
88
время задержки включения;
): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 или на заданном уровне напряжения.
89
время задержки выключения;
(
): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,9 или на заданном уровне напряжения.
90
время задержки распространения при включении;
): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном уровне напряжения.
91
время задержки распространения при выключении
): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном уровне напряжения.
92
время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние "Выключено";
(
): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии "Выключено", измеренный на заданном уровне напряжения.
Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
93
время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние высокого уровня;
(
): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии "Выключено" к напряжению высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.
Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
94
время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние "Выключено";
(
): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии "Выключено", измеренный на заданном уровне напряжения.
Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
95
время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние низкого уровня;
(
): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии "Выключено" к напряжению низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.
Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
96
время нарастания входного сигнала;
(
): Интервал времени нарастания амплитуды входного сигнала микросхемы от уровня 0,1 до 0,9 от заданного значения.
97
время спада входного сигнала;
(
): Интервал времени убывания амплитуды входного сигнала микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от заданного значения.
98
время нарастания выходного сигнала;
(
): Интервал времени нарастания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 от заданного значения.
99
время спада выходного сигнала;
(
): Интервал времени убывания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от заданного значения.
(
): Длительность периода сигналов на одном из управляющих входов, в течение которого микросхема выполняет одну из функций.
101
время цикла записи информации;
(
): Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет запись информации.
102
время цикла считывания информации;
(
): Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет считывание информации.
(
): Интервал времени, измеренный на заданных уровнях, между подачей сигнала на управляющий вход и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы.
104
время установления входных сигналов;
(
): Интервал времени между началом сигнала на заданном входе и последующим активным переходом на другом заданном входе.
(
): Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном входе после переключения сигнала на другом заданном входе.
106
время восстановления;
(
): Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе микросхемы и началом заданного сигнала в следующем цикле.
107
время сохранения сигнала;
(
): Интервал времени, в течение которого выходной сигнал является достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным.
108
время хранения информации;
(
): Интервал времени, в течение которого микросхема в заданном режиме хранит информацию.
109
время установления выходного напряжения;
(
): Интервал времени с момента достижения выходным напряжением уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданной величины.
110
время преобразования;
(
): Интервал времени от момента заданного изменения сигнала на входе до появления на выходе соответствующего параметра сигнала.
111
время успокоения выходного напряжения;
(
): Интервал времени с момента достижения выходным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением микросхемы заданной величины.
(
): Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической памяти до его первоначального значения.
113
длительность сигнала;
(
): Интервал времени между заданными уровнями при нарастании и спаде импульса.
114
длительность сигнала низкого уровня;
(
): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.
115
длительность сигнала высокого уровня;
(
): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.
116
период следования тактовых импульсов;
(
): Интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом периодических импульсов, измеренный на заданном уровне напряжения.
Коэффициенты
117
коэффициент усиления напряжения;
(
): Отношение приращения выходного напряжения к приращению входного напряжения.
118
коэффициент усиления тока;
(
): Отношение приращения выходного тока к приращению входного тока.
119
коэффициент усиления мощности;
(
): Отношение приращения выходной мощности к приращению входной мощности.
120
коэффициент усиления синфазных входных напряжений;
(
): Отношение приращения выходного напряжения к приращению синфазного входного напряжения.
121
коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля;
(
): Отношение приращения напряжения смещения нуля к вызвавшему его приращению напряжения источника питания.
122
коэффициент умножения частоты;
(
): Отношение частоты выходного сигнала к частоте входного сигнала.
123
коэффициент деления частоты;
(
): Отношение частоты входного сигнала к частоте выходного сигнала.
124
коэффициент подавления сигнала между каналами;
(
): Отношение переменной составляющей коммутируемого входного напряжения открытого канала к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале.
125
коэффициент ослабления синфазных входных напряжений;
(
): Отношение коэффициента усиления напряжения к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений.
126
коэффициент гармоник;
(
): Отношение среднеквадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала к среднеквадратическому напряжению суммы всех гармоник.
127
коэффициент нелинейности амплитудной характеристики;
(
): Наибольшее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону.
128
коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики;
): Отношение максимального значения выходного напряжения к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания.
129
коэффициент полезного действия;
(
): Отношение выходной мощности микросхемы к потребляемой мощности.
130
коэффициент разделения каналов;
(
): Отношение выходного напряжения активного канала микросхемы (с сигналом на входе) к выходному напряжению пассивного канала микросхемы (при отсутствии входного сигнала).
131
коэффициент передачи;
(
): Отношение приращения значения выходного напряжения к приращению значения входного напряжения.
(
): Отношение среднеквадратического напряжения шумов на выходе к среднеквадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот.
133
коэффициент преобразования;
(
): Отношение приращения параметра выходного сигнала к вызвавшему его приращению параметра входного сигнала.
134
температурный коэффициент входного тока;
(
): Отношение изменения входного тока к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).
135
температурный коэффициент разности входных токов;
(
): Отношение изменения разности входных токов к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).
136
температурный коэффициент напряжения смещения нуля;
(
): Отношение изменения напряжения смещения нуля к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).
137
температурный коэффициент опорного напряжения;
(
): Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).
138
температурный коэффициент выходного напряжения;
(
): Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).
139
коэффициент стоячей волны на входе;
(
): Отношение напряженности электрического поля в максимуме к напряженности электрического поля в минимуме стоячей волны входного сигнала.
140
коэффициент стоячей волны на выходе;
(
): Отношение напряженности электрического поля в максимуме к напряженности электрического поля в минимуме стоячей волны выходного сигнала.
141
коэффициент сглаживания пульсаций;
(
): Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты.
Параметры частоты
142
частота входного сигнала;
(
143
частота выходного сигнала;
(
144
частота генерирования;
(
145
частота следования импульсов тактовых сигналов;
(
(
147
частота единичного усиления;
(
): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения (при разомкнутой цепи обратной связи) равен единице.
148
частота полной мощности;
(
): Частота, на которой значение максимального выходного напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.
(BW): Диапазон частот, в пределах которого коэффициент усиления снижается не более чем на 3 дБ по сравнению с коэффициентом усиления на заданной частоте в пределах заданного диапазона.
150
центральная частота полосы пропускания;
(
): Частота, равная половине суммы нижней и верхней граничных частот полосы пропускания микросхемы.
151
нижняя граничная частота полосы пропускания;
(
): Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.
152
верхняя граничная частота полосы пропускания;
(
): Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.
(
): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается от значения на заданной частоте на 3 дБ.
(
): Диапазон частот, в котором значение коэффициента преобразования остается в пределах, установленных в ТУ.
Прочие параметры
155
динамический диапазон по напряжению;
(
): Отношение максимального значения напряжения к минимальному значению напряжения.
156
дрейф выходного напряжения;
(
): Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения в течение заданного интервала времени.
157
дрейф опорного напряжения;
(
): Наибольшее значение относительного изменения опорного напряжения в течение заданного интервала времени.
158
дрейф выходного тока;
(
): Наибольшее значение относительного изменения выходного тока в течение заданного интервала времени.
159
скорость нарастания выходного напряжения;
(
): Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы.
160
максимальная скорость нарастания выходного напряжения;
(
): Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения.
161
нормированная электродвижущая сила шума;
(
): Отношение напряжения шума на выходе микросхемы в заданной полосе частот к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы частот измеряемого шума.
162
диапазон автоматической регулировки усиления;
(AGC): Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения к минимальному его значению при изменении входного управляющего напряжения в заданных пределах.
163 порог чувствительности; S (S): Наименьшее значение входного сигнала, при котором коэффициент преобразования принимает заданное значение.
164
индукция срабатывания;
(
): Наименьшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.
(
): Наибольшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.
166
крутизна проходной характеристики;
(
): Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного напряжения в заданном электрическом режиме.
167
отношение сигнал/шум;
(
): Отношение эффективного значения выходного напряжения, содержащего низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулированном сигнале в определенной полосе частот.
168
фазовый сдвиг интегральной микросхемы;
(
): Разность между фазами выходного и входного сигналов микросхемы на заданной частоте.
(
): Среднеквадратическое отклонение фазы выходного напряжения от значения фазы заданного входного сигнала.
Алфавитный указатель терминов на русском языке
| |
время включения | 85 |
время восстановления | 106 |
время выборки | 103 |
время выключения | 86 |
время задержки включения | 88 |
время задержки выключения | 89 |
время задержки распространения при включении | 90 |
время задержки распространения при выключении | 91 |
время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние высокого уровня | 93 |
время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние низкого уровня | 95 |
время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние "Выключено" | 92 |
время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние "Выключено" | 94 |
время нарастания входного сигнала | 96 |
время нарастания выходного сигнала | 98 |
время переключения | 87 |
время преобразования | 110 |
время регенерации | 112 |
время сохранения сигнала | 107 |
время спада входного сигнала | 97 |
время спада выходного сигнала | 99 |
время удержания | 105 |
время успокоения выходного напряжения | 111 |
время установления входных сигналов | 104 |
время установления выходного напряжения | 109 |
время хранения информации | 108 |
время цикла | 100 |
время цикла записи информации | 101 |
время цикла считывания информации | 102 |
диапазон автоматической регулировки усиления | 162 |
диапазон по напряжению динамический | 155 |
диапазон частот | 154 |
длительность сигнала | 113 |
длительность сигнала высокого уровня | 115 |
длительность сигнала низкого уровня | 114 |
дрейф выходного напряжения | 156 |
дрейф выходного тока | 158 |
дрейф опорного напряжения | 157 |
емкость аналогового входа | 81 |
емкость аналогового выхода | 82 |
емкость входа/выхода | 80 |
емкость входная | 77 |
емкость выходная | 78 |
емкость между аналоговыми выходом и входом | 84 |
емкость нагрузки | 79 |
емкость управляющего входа | 83 |
индукция отпускания | 165 |
индукция срабатывания | 164 |
коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля | 121 |
коэффициент входного тока температурный | 134 |
коэффициент выходного напряжения температурный | 138 |
коэффициент гармоник | 126 |
коэффициент деления частоты | 123 |
коэффициент напряжения смещения нуля температурный | 136 |
коэффициент нелинейности амплитудной характеристики | 127 |
коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики | 128 |
коэффициент опорного напряжения температурный | 137 |
коэффициент ослабления синфазных входных напряжений | 125 |
коэффициент передачи | 131 |
коэффициент подавления сигнала между каналами | 124 |
коэффициент полезного действия | 129 |
коэффициент преобразования | 133 |
коэффициент разделения каналов | 130 |
коэффициент разности входных токов температурный | 135 |
коэффициент сглаживания пульсаций | 141 |
коэффициент стоячей волны на входе | 139 |
коэффициент стоячей волны на выходе | 140 |
коэффициент умножения частоты | 122 |
коэффициент усиления мощности | 119 |
коэффициент усиления напряжения | 117 |
коэффициент усиления синфазных входных напряжений | 120 |
коэффициент усиления тока | 118 |
коэффициент шума | 132 |
крутизна проходной характеристики | 166 |
мощность в режиме хранения потребляемая | 71 |
мощность входная | 67 |
мощность выходная | 68 |
мощность потребляемая | 66 |
мощность потребляемая динамическая | 70 |
мощность рассеиваемая | 69 |
напряжение автоматической регулировки усиления | 31 |
напряжение входное | 4 |
напряжение высокого уровня в состоянии "Выключено" | 24 |
напряжение высокого уровня входное | 6 |
напряжение высокого уровня выходное | 22 |
напряжение высокого уровня пороговое входное | 9 |
напряжение выходное | 20 |
напряжение гистерезиса | 14 |
напряжение дифференциальное входное | 17 |
напряжение дифференциальное выходное | 25 |
напряжение задержки автоматической регулировки усиления | 32 |
напряжение изоляции | 33 |
напряжение коммутируемое | 27 |
напряжение низкого уровня в состоянии "Выключено" | 23 |
напряжение низкого уровня входное | 5 |
напряжение низкого уровня выходное | 21 |
напряжение низкого уровня пороговое входное | 8 |
напряжение ограничения входное | 18 |
напряжение опорное | 28 |
напряжение остаточное | 29 |
напряжение отпускания | 13 |
напряжение питания | 1 |
напряжение питания в режиме ожидания | 3 |
напряжение питания в режиме хранения | 2 |
напряжение покоя входное | 19 |
напряжение покоя выходное | 26 |
напряжение пороговое входное | 7 |
напряжение пульсаций источника питания | 34 |
напряжение сигнала программирования | 11 |
напряжение сигнала стирания | 10 |
напряжение синфазное входное | 16 |
напряжение смещения нуля | 15 |
напряжение срабатывания | 12 |
напряжение шума | 30 |
нестабильность по напряжению | 37 |
нестабильность по току | 38 |
отношение сигнал/шум | 167 |
ошибка фазовая | 169 |
падение напряжения | 35 |
падение напряжения минимальное | 36 |
период следования тактовых импульсов | 116 |
полоса пропускания | 149 |
порог чувствительности | 163 |
разность входных токов | 49 |
сдвиг интегральной микросхемы фазовый | 168 |
сила шума электродвижущая нормированная | 161 |
скорость нарастания выходного напряжения | 159 |
скорость нарастания выходного напряжения максимальная | 160 |
сопротивление в открытом состоянии | 75 |
сопротивление входное | 72 |
сопротивление выходное | 73 |
сопротивление изоляции | 76 |
сопротивление нагрузки | 74 |
ток автоматической регулировки усиления | 64 |
ток входной | 46 |
ток высокого уровня в состоянии "Выключено" выходной | 55 |
ток высокого уровня входной | 48 |
ток высокого уровня выходной | 53 |
ток выходной | 51 |
ток короткого замыкания | 56 |
ток низкого уровня в состоянии "Выключено" выходной | 54 |
ток низкого уровня входной | 47 |
ток низкого уровня выходной | 52 |
ток потребления | 39 |
ток потребления в режиме хранения | 44 |
ток потребления в состоянии "Выключено" | 42 |
ток потребления динамический | 43 |
ток потребления при выходном напряжении высокого уровня | 41 |
ток потребления при выходном напряжении низкого уровня | 40 |
ток пробивной входной | 50 |
ток режимный | 65 |
ток стирания | 45 |
ток утечки | 57 |
ток утечки высокого уровня на входе | 60 |
ток утечки высокого уровня на выходе | 63 |
ток утечки на входе | 58 |
ток утечки на выходе | 61 |
ток утечки низкого уровня на входе | 59 |
ток утечки низкого уровня на выходе | 62 |
частота входного сигнала | 142 |
частота выходного сигнала | 143 |
частота генерирования | 144 |
частота единичного усиления | 147 |
частота коммутации | 146 |
частота полной мощности | 148 |
частота полосы пропускания граничная верхняя | 152 |
частота полосы пропускания граничная нижняя | 151 |
частота полосы пропускания центральная | 150 |
частота следования импульсов тактовых сигналов | 145 |
частота среза | 153 |
| | |
УДК 001.4:621.382.8:006.354 | ОКС | 01.040.01 |
| | 31.200 |
Ключевые слова: микросхемы интегральные, параметры, термины, определения, буквенные обозначения |
