ГОСТ 18986.10-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности.

ГОСТ 18986.10-74

Группа Э29

 МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

 ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

 Методы измерения индуктивности

 Semiconductor diodes. Methods for measuring inductance

МКС 31.080.10

Дата введения 1976-07-01

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27 декабря 1974 г. N 2824 дата введения установлена 01.07.76

Ограничение срока действия снято по протоколу N 5-94 Межгосударственного совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС 11-12-94)

     ИЗДАНИЕ (май 2004 г.) с Изменениями N 1, 2, утвержденными в феврале 1979 г., августе 1982 г. (ИУС 4-79, 12-82)

Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов:

метод I - для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более;

метод II - для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн.

Общие условия при измерении должны соответствовать требованиям ГОСТ 18986.0-74, ГОСТ 19656.0-74 и настоящего стандарта.

(Измененная редакция, Изм. N 2).

 1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКТИВНОСТИ ДИОДОВ, ЗНАЧЕНИЕ КОТОРОЙ 2 нГн И БОЛЕЕ

1.1. Принцип, условия и режим измерений

1.1.1. Принцип измерения индуктивности диодов основан на измерении резонансной частоты колебательного контура куметра при подключении к нему измеряемого диода.

1.1.2. Постоянный прямой ток диода, при котором проводят измерение, должен быть таким, чтобы добротность контура с диодом была не менее 40.

1.1.3. Частота измерения, ГГц, должна удовлетворять условию

,

где

- значение индуктивности, указанное в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Гн.

1.2. Аппаратура

1.2.1. Измерения проводят на установке, электрическая структурная схема которой указана на черт.1.

- блок смещения;

- миллиамперметр;

- резистор подачи смещения;

- катушка индуктивности, подключаемая к куметру;

- куметр;

- переменный конденсатор куметра;

- резистор внутри куметра, на котором создается ЭДС высокой частоты;

- измеряемый диод;

- замыкатель

Черт.1

1.2.2. Индуктивность контура

должны выбирать из условия

.

1.2.3. Индуктивность замыкателя должны выбирать из условия

.

Замыкатель рекомендуется изготовлять в виде отрезка плоской широкой шины из металла, хорошо проводящего ток на высокой частоте.

В необходимых случаях требования к конструкции замыкателя должны быть указаны в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

1.2.4. Сопротивление резистора

должно удовлетворять условию

.

1.3. Подготовка и проведение измерений

1.3.1. При измерении индуктивности диодов должна быть определена общая емкость колебательного контура

с учетом распределенной емкости катушки индуктивности

. Общая емкость контура

определяется в положении переменного конденсатора

, соответствующем настройке контура в резонанс на рабочей частоте при замыкании контактов А и Б измерительной схемы замыкателем.

Измерение общей емкости контура

должно проводиться в соответствии с документацией на куметр, который применяют для измерения индуктивности диода.

1.3.2. Измеряемый диод включают в контур последовательно с катушкой индуктивности.

1.3.3. Устанавливают через диод постоянный прямой ток.

1.3.4. Настраивают контур в резонанс и отсчитывают значение емкости

.

1.3.5. Вместо измеряемого диода устанавливают замыкатель.

1.3.6. Настраивают контур в резонанс и отсчитывают значение емкости

конденсатора куметра.

1.4. Обработка результатов

1.4.1. Значение индуктивности диода

вычисляют по формуле

,

где

- частота, на которой проводят измерение, Гн;

,

,

- значения емкостей, Ф.

1.5. Показатели точности измерений

1.5.1. Погрешность измерения индуктивности должна быть в пределах

% с доверительной вероятностью 0,99.

Разд.1 (Измененная редакция, Изм. N 2).

 2. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКТИВНОСТИ ДИОДОВ, ЗНАЧЕНИЕ КОТОРОЙ МЕНЕЕ 2 нГн

2.1. Принцип, условия и режим измерений

2.1.1. Принцип измерения индуктивности диода

основан на изменении положения узла стоячей волны при подключении в линию измеряемого диода.

2.1.2. Измерения проводят при протекании через диод прямого тока, значение которого выбирают таким образом, чтобы коэффициент стоячей волны по напряжению в измерительной линии был не менее 4.

2.2. Аппаратура

2.2.1. Измерения проводят на установке, электрическая структурная схема которой указана на черт.2.

- генератор мощности СВЧ;

- согласующий аттенюатор с ослаблением 20 дБ;

- разделительный конденсатор;

- миллиамперметр;

- измерительная линия;

- измеряемый диод;

- адаптер;

- микроамперметр;

- блок смещения

Черт.2

2.2.2. Частоту измерения должны выбирать из условия

,

где

- волновое сопротивление измерительной линии, Ом;

- частота, Гц;

- индуктивность, Гн, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов;

- емкость корпуса диода.

2.2.3. Конструкция адаптера

, в котором измеряется диод, должна быть приведена в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

Замыкатель по форме и геометрическим размерам должен совпадать с корпусом диода измеряемого типа и изготовлен из металла, хорошо проводящего ток на высокой частоте. В необходимых случаях конструкция замыкателя должна быть указана в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

2.3. Проведение измерений и обработка результатов

2.3.1. В адаптер

устанавливают замыкатель и при помощи измерительной линии определяют положение узла стоячей волны

и длину волны

в измерительной линии.

2.3.2. В адаптер

вместо замыкателя устанавливают измеряемый диод и через него подают прямой ток. Определяют новое положение узла стоячей волны

.

2.3.3. Значение индуктивности

диода рассчитывают по формуле

.

2.4. Показатели точности измерений

2.4.1. Погрешность измерения индуктивности должна быть в пределах

% с доверительной вероятностью 0,99.

Разд.2 (Измененная редакция, Изм. N 2).

Разд.3 (Исключен, Изм. N 2).