ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
ГОСТ 20003-74
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
МКС 01.040.31
31.080.30
ОКСТУ 6201
Дата введения 1975-07-01
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. N 1799 дата введения установлена 01.07.75
ИЗДАНИЕ с Изменениями N 1, 2, утвержденными в августе 1982 г., июне 1985 г. (ИУС 12-82, 9-85).
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770-80.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.
Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены "Ндп".
Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.
В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе "Определение" поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины - курсивом.
|
|
|
|
|
|
|
Термин | Буквенное обозначение | Определение | ||||
| отечест- венное | междуна- родное |
| |||
1. Обратный ток коллектора
D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter) |  |  | Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | |||
E. Collector cut-off current |
|
|
| |||
F. Courant  du collecteur |
|
|
| |||
2. Обратный ток эмиттера
D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor) |  |  | Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора | |||
E. Emitter cut-off current |
|
|
| |||
F. Courant  |
|
|
| |||
3. Обратный ток коллектор-эмиттер
Ндп. Начальный ток коллектора
Ток коллектора закрытого транзистора |  | - | Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер | |||
D. Kollektor-Emitter-Reststrom |
|
|
| |||
E. Collector-emitter cut-off current |
|
|
| |||
F. Courant du  |
|
|
| |||
________________  При разомкнутом выводе базы  ,  ; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы  ,  ; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер  ,  ; при заданном обратном напряжении эмиттер-база  ,  . | ||||||
4. Обратный ток базы
D. Basis-Emitter-Reststrom |  |  | Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база | |||
E. Base cut-off current |
|
|
| |||
F. Courant de la base |
|
|
| |||
5. Критический ток биполярного транзистора |  | - | Значение тока коллектора, при достижении которого значение  падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор-эмиттер | |||
6. Граничное напряжение биполярного транзистора
Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера |  |  | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера | |||
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-  |  |  | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора | |||
E. Saturation collector-emitter voltage |
|
|
| |||
F. Tension de saturation |
|
|
| |||
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter- |  |  | Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора | |||
E. Saturation baseemitter voltage |
|
|
| |||
F. Tension de saturation  |
|
|
| |||
9. Плавающее напряжение эмиттер-база
E. Floating emitter-base voltage |  |  | Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю | |||
F. Tension flottante  |
|
|
| |||
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора
E. Punch-through (penetration) voltage
F. Tension de  (tension de persage) |  |  | Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база | |||
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung |  |  | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю | |||
Е. Breakdown emitter-base voltage |
|
|
| |||
F. Tension de claquage |
|
|
| |||
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung |  |  | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю | |||
Е. Breakdown collector-base voltage |
|
|
| |||
F. Tension de claquage collecteur-base |
|
|
| |||
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) |  | - | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора | |||
Е. Breakdown collector-emitter voltage |
|
|
| |||
F. Tension de claquage |
|
|
| |||
________________ При токе базы, равном нулю,  ,  ,  ; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер,  ,  ; при коротком замыкании в цепи база-эмиттер  ,  ; при заданном обратном напряжении база-эмиттер  ,  . | ||||||
14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignaleingangswiderstand |  * | | Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора | |||
Е. Small-signal value of the short-circuit input impedance |
|
|
| |||
F. Valeur de  , sortie en court-circuit pour de petits signaux |
|
|
| |||
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D.  |  * | | Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току | |||
Е. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio |
|
|
| |||
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension,  en circuit ouvert de petits signaux |
|
|
| |||
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D.  |  * | | Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току | |||
Е. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio |
|
|
| |||
F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
|
|
| |||
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте |  |  | Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте | |||
D. Betrag der  in Emitterschaltung bei HF
|
|
|
| |||
Е. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio |
|
|
| |||
F. Module du rapport de transfert direct du courant |
|
|
| |||
18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalausgangsleitwert |  * | | Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току | |||
Е. Small-signal value of the open-circuit output admittance |
|
|
| |||
F. Valeur de l’admittance de sortie, en circuit ouvert pour de petits signaux |
|
|
| |||
19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала |  |  | Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером | |||
Е. Static value of the input resistance |
|
|
| |||
F. Valeur statique de la  |
|
|
| |||
20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
D.  in Emitterschaltung |  |  | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером | |||
Е. Static value of the forward current transfer ratio |
|
|
| |||
F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant |
|
|
| |||
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert |  * | | Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе | |||
Е. Small-signal value of the short-circuit input admittance |
|
|
| |||
F. Valeur de l’admittance  , sortie en court-circuit pour de petits signaux |
|
|
| |||
22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer  |  * | | Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе | |||
Е. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance |
|
|
| |||
F. Valeur de l’admittance de transfert inverse, en court-circuit pour de petits signaux |
|
|
| |||
23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer  |  * | | Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
| |||
Е. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance |
|
|
| |||
F. Valeur de l’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
|
|
| |||
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора |  |  | Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером | |||
D. Betrag des  |
|
|
| |||
Е. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance |
|
|
| |||
F. Module de l’admittance de transfert direct |
|
|
| |||
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert |  * | | Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе | |||
Е. Small-signal value of the short-circuit output admittance |
|
|
| |||
F. Valeur de l’admittance de sortie, en court-circuit pour de petits signaux |
|
|
| |||
26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером
Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики |  |  | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер | |||
D. Statische  in Emitterschaltung |
|
|
| |||
Е. Static value of the forward transconductance |
|
|
| |||
F. Pente statique de transfert direct |
|
|
| |||
27. Входная емкость биполярного транзистора
D.  |  * | | Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала | |||
Е. Input capacitance |
|
|
| |||
F.  |
|
|
| |||
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D.  |  * | | Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала | |||
Е. Output capacitance |
|
|
| |||
F.  de sortie |
|
|
| |||
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора
D.  |  * | * | Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала | |||
Е. Feedback capacitance |
|
|
| |||
F. de couplage  |
|
|
| |||
29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
D. Grenzfrequenz der  |  | | Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением | |||
Е. Cut-off frequency |
|
|
| |||
F.  de conpure |
|
|
| |||
30. Граничная частота коэффициента передачи тока
D.  der (Transitfrequenz) Е. Transition frequency
F. de transition |  |  | Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву
| |||
31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора |  | | Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора | |||
Е. Maximum frequency of oscillation |
|
|
| |||
F. maximale d’oscillation |
|
|
| |||
32. Коэффициент шума биполярного транзистора
D. Rauschzahl |  |  | Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала | |||
Е. Noise figure |
|
|
| |||
F. Facteur de bruit
|
|
|
| |||
32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора
D. Minimale Rauschzahl |  |  | Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума | |||
Е. Minimal noise figure
|
|
|
| |||
F. Facteur de bruit minimum |
|
|
| |||
32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора
D.  Rauschspannung Е. Equivalent noise voltage |  |  | Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным | |||
F. Tension de bruit  |
|
|
| |||
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора |  |  | Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения | |||
Ндп. Степень насыщения |
|
|
| |||
Е. Saturation coefficient |
|
|
| |||
F. Coefficient de saturation |
|
|
| |||
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D.  |  |  | Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения | |||
Е. Power gain |
|
|
| |||
F. Gain en puissance |
|
|
| |||
34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Optimale |  |  | Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума | |||
Е. Optimal power gain |
|
|
| |||
F. Gain de puissance optimum |
|
|
| |||
35. Коэффициент полезного действия коллектора
D. Kollektorwirkungsgrad |  |  | Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания | |||
Е. Collector efficiency |
|
|
| |||
F.  du collocteur |
|
|
| |||
36. Время задержки для биполярного транзистора
D.  Е. Delay time |  |  | Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды | |||
F. Retard  la croissance |
|
|
| |||
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
Е. Rise time |  |  | Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10% его амплитуды, до значения, соответствующего 90% его амплитуды | |||
F. Temps de croissance
|
|
|
| |||
38. Время рассасывания для биполярного транзистора
D. Speicherzeit
Е. Carrier storage time |  |  | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня | |||
F. Retard  |
|
|
| |||
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
|  |  | Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90% его амплитуды, до значения, соответствующего 10% его амплитуды | |||
Е. Fall time |
|
|
| |||
F. Temps de  |
|
|
| |||
40. Время включения биполярного транзистора |  |  | Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания | |||
D. Einschaltzeit |
|
|
| |||
Е. Turn-on time |
|
|
| |||
F. Temps total  |
|
|
| |||
41. Время выключения биполярного транзистора
D. Ausschaltzeit
Е. Turn-off time |  |  | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10% его амплитудного значения | |||
F. Temps total de coupure |
|
|
| |||
42. Сопротивление базы биполярного транзистора |  |  | Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер | |||
D. Basisbahnwiderstand |
|
|
| |||
Е. Base intrinsic resistance |
|
|
| |||
F.   de base de base |
|
|
| |||
43. Емкость эмиттерного перехода
D.  der Emittersperrschicht |  |  | Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи | |||
Е. Emitter capacitance |
|
|
| |||
F.  |
|
|
| |||
44. Емкость коллекторного перехода
D. der Kollektorsperrschicht |  |  | Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи | |||
Е. Collector capacitance |
|
|
| |||
F. collecteur |
|
|
| |||
45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора |  |  | Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода | |||
D.  |
|
|
| |||
Е. Collector-base time constant |
|
|
| |||
46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
D. Eingangsreflexionsfaktor |  * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |||
47. Коэффициент обратной передачи напряжения
D.  |  * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |||
48. Коэффициент прямой передачи напряжения
D.  |  * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |||
49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора
D. Ausgangsreflexionsfaktor |  * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |||
50. Постоянный ток коллектора |  |  | Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход | |||
D. Kollektorgleichstrom |
|
|
| |||
Е. Collector (d.с.) current |
|
|
| |||
F. Courant continu de collecteur |
|
|
| |||
51. Постоянный ток эмиттера |  |  | Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход | |||
D. Emittergleichstrom |
|
|
| |||
Е. Emitter (d.с.) current |
|
|
| |||
F. Courant continu d’emetteur |
|
|
| |||
52. Постоянный ток базы |  |  | Постоянный ток, протекающий через базовый вывод | |||
D. Basisgleichstrom |
|
|
| |||
Е. Base (d.с.) current |
|
|
| |||
F. Courant continu de base |
|
|
| |||
53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения |  |  | - | |||
Е. Saturation collector current |
|
|
| |||
F. Courant de saturation collecteur |
|
|
| |||
54. Постоянный ток базы в режиме насыщения |  |  | - | |||
Е. Saturation base current |
|
|
| |||
F. Courant de saturation base |
|
|
| |||
55. Импульсный ток коллектора |  | - | Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса | |||
56. Импульсный ток эмиттера |  | - | Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса | |||
57. Постоянное напряжение эмиттер-база |  |  | Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы | |||
D. Emitter-Basis-Spannung |
|
|
| |||
Е. Emitter-base (d.с.) voltage |
|
|
| |||
F. Tension continue |
|
|
| |||
58. Постоянное напряжение коллектор-база |  |  | Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы | |||
D. Kollektor-Basis-Spannung |
|
|
| |||
Е. Collector-base (d.с.) voltage |
|
|
| |||
F. Tension continue collecteur-base |
|
|
| |||
59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер |  |  | Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера | |||
D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) |
|
|
| |||
Е. Collector-emitter (d.с.) voltage |
|
|
| |||
F. Tension continue |
|
|
| |||
________________ При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю,  ,  .  При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю,  ,  .  При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, ,  ; при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер,  ,  ; при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер,  ,  ; при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база  ,  . | ||||||
60. Выходная мощность биполярного транзистора |  |  | Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте | |||
D. Ausgangsleistung |
|
|
| |||
Е. Output power |
|
|
| |||
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора |  |  | Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе | |||
D. Gesamtverlustleistung |
|
|
| |||
Е. Total input power (d.c.) to all electrodes |
|
|
| |||
F. Puissance totale  de toutes les  |
|
|
| |||
62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора |  |  | Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе | |||
D. Mittlere Verlustleistung |
|
|
| |||
Е. Total input power (average) to all electrodes |
|
|
| |||
F. Puissance totale (moyenne) de toutes les |
|
|
| |||
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора |  |  | - | |||
D. Impulsverlustleistung |
|
|
| |||
F. Peak power dissipation |
|
|
| |||
F. Puissance  |
|
|
| |||
64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |  |  | Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора | |||
D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung |
|
|
| |||
Е. Collector (d.c.) power dissipation |
|
|
| |||
F. Puissance  (continue) au collecteur |
|
|
| |||
65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора |  |  | Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора | |||
D. Mittlere Kollektorverlustleistung |
|
|
| |||
Е. Collector (average) power dissipation |
|
|
| |||
F. Ruissance (moyenne) au collecteur |
|
|
| |||
65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора
Е. Peak envelope power |  |
| Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами
| |||
65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора
Е. Third order intermodulation products factor |  |
| Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд | |||
65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора
Е. Fifth order intermodulation products factor |  |
| Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд | |||
Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам**
|
|
|
| |||
66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора |  |  | - | |||
D. Maximal  Kollektorgleichstrom |
|
|
| |||
Е. Maximum collector (d.с.) current |
|
|
| |||
F. Courant continu de collecteur maximal |
|
|
| |||
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера |  |  | - | |||
D. Maximal Emittergleichstrom |
|
|
| |||
Е. Maximum emitter (d.с.) current |
|
|
| |||
F. Courant continu d’emetteur maximal |
|
|
| |||
68. Максимально допустимый постоянный ток базы |  |  | - | |||
D. Maximal Basisgleichstrom |
|
|
| |||
Е. Maximum base (d.с.) current |
|
|
| |||
F. Courant continu de base maximal |
|
|
| |||
69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора |  |  | - | |||
D. Maximal Kollektorimpulsstrom |
|
|
| |||
Е. Maximum peak collector current |
|
|
| |||
F. Courant de  de collecteur maximal |
|
|
| |||
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера |  |  | - | |||
D. Maximal Emitterimpulsstrom |
|
|
| |||
Е. Maximum peak emitter current |
|
|
| |||
F. Courant de d’emetteur maximal |
|
|
| |||
71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения |  |  | - | |||
Е. Maximum saturation collector current |
|
|
| |||
F. Courant de saturation collecteur maximal |
|
|
| |||
72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения |  |  | - | |||
Е. Maximum saturation base current |
|
|
| |||
F. Courant de saturation base maximal |
|
|
| |||
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база |  |  | - | |||
D. Maximal  Emitter-Basis-Gleichspannung |
|
|
| |||
Е. Maximum emitter-base (d.c.) voltage |
|
|
| |||
F. Tension continue maximale |
|
|
| |||
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база |  |  | - | |||
D. Maximal Kollektor-Basic-Gleichspannung |
|
|
| |||
Е. Maximum collector-base (d.c.) voltage |
|
|
| |||
F. Tension continue collecteur-base maximale |
|
|
| |||
75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер |  |  | - | |||
D. Maximal Kollektor-Emitter- Gleichspannung |
|
|
| |||
Е. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage |
|
|
| |||
F. Tension continue maximale |
|
|
| |||
76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер |  |  | - | |||
D. Maximal Kollektor-Emitter-Impulsspannung |
|
|
| |||
E. Maximum peak collector-emitter voltage |
|
|
| |||
F. Tension de  maximale |
|
|
| |||
77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база |  |  | - | |||
D. Maximal Kollektor-Basis-Impulsspannung |
|
|
| |||
E. Maximum peak collector-base voltage |
|
|
| |||
F. Tension de collector-base maximale |
|
|
| |||
78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора |  |  | - | |||
D. Maximal Kollektorverlustleistung |
|
|
| |||
E. Maximum collector power dissipation (d.c.) |
|
|
| |||
F. Puissance au collecteur (continue) maximale |
|
|
| |||
79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора |  | - | - | |||
E. Maximum collector power dissipation (average) |
|
|
| |||
F. Puissance au collecteur (moyenne) maximale |
|
|
| |||
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора |  |  | - | |||
D. Maximal Impulsverlustleistung |
|
|
| |||
E. Maximum peak power dissipation |
|
|
| |||
F. Puissance  maximale |
|
|
| |||
Полная версия документа доступна с 20.00 до 24.00 по московскому времени.
Для получения доступа к полной версии без ограничений вы можете выбрать подходящий тариф или активировать демо-доступ.