Главная/Нормы и стандарты/ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

ГОСТ 20003-74

Группа Э00

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols

МКС 01.040.31

31.080.30

ОКСТУ 6201

Дата введения 1975-07-01

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. N 1799 дата введения установлена 01.07.75

ИЗДАНИЕ с Изменениями N 1, 2, утвержденными в августе 1982 г., июне 1985 г. (ИУС 12-82, 9-85).

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.

Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770-80.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.

Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены "Ндп".

Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.

В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе "Определение" поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины - курсивом.

Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупроводникового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс, уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время включения стабилитрона

; время включения биполярного транзистора

; время включения полевого транзистора


Термин	Буквенное обозначение			Определение
	отечест- венное		междуна- родное
1. Обратный ток коллектора D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter)				Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
E. Collector cut-off current
F. Courant du collecteur
2. Обратный ток эмиттера D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor)				Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора
E. Emitter cut-off current
F. Courant
3. Обратный ток коллектор-эмиттер Ндп. Начальный ток коллектора Ток коллектора закрытого транзистора			-	Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Reststrom
E. Collector-emitter cut-off current
F. Courant du
________________ При разомкнутом выводе базы , ; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы , ; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер , ; при заданном обратном напряжении эмиттер-база , .
4. Обратный ток базы D. Basis-Emitter-Reststrom						Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база
E. Base cut-off current
F. Courant de la base
5. Критический ток биполярного транзистора			-			Значение тока коллектора, при достижении которого значение падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор-эмиттер
6. Граничное напряжение биполярного транзистора Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера						Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter-						Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
E. Saturation collector-emitter voltage
F. Tension de saturation
8. Напряжение насыщения база-эмиттер D. Basis-Emitter-						Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation
9. Плавающее напряжение эмиттер-база E. Floating emitter-base voltage						Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю
F. Tension flottante
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора E. Punch-through (penetration) voltage F. Tension de (tension de persage)						Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база
11. Пробивное напряжение эмиттер-база D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung						Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Е. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage
12. Пробивное напряжение коллектор-база D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung						Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Е. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)			-			Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора
Е. Breakdown collector-emitter voltage
F. Tension de claquage
________________ При токе базы, равном нулю, , , ; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, , ; при коротком замыкании в цепи база-эмиттер , ; при заданном обратном напряжении база-эмиттер , .
14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignaleingangswiderstand		*			Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора
Е. Small-signal value of the short-circuit input impedance
F. Valeur de , sortie en court-circuit pour de petits signaux
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала D.		*			Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току
Е. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, en circuit ouvert de petits signaux
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала D.		*			Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току
Е. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте					Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте
D. Betrag der in Emitterschaltung bei HF
Е. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Module du rapport de transfert direct du courant
18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalausgangsleitwert		*			Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току
Е. Small-signal value of the open-circuit output admittance
F. Valeur de l’admittance de sortie, en circuit ouvert pour de petits signaux
19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала					Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером
Е. Static value of the input resistance
F. Valeur statique de la
20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора D. in Emitterschaltung					Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером
Е. Static value of the forward current transfer ratio
F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert		*			Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
Е. Small-signal value of the short-circuit input admittance
F. Valeur de l’admittance , sortie en court-circuit pour de petits signaux
22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer		*			Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе
Е. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance
F. Valeur de l’admittance de transfert inverse, en court-circuit pour de petits signaux
23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer		*			Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
Е. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance
F. Valeur de l’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора					Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером
D. Betrag des
Е. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance
F. Module de l’admittance de transfert direct
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert		*			Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе
Е. Small-signal value of the short-circuit output admittance
F. Valeur de l’admittance de sortie, en court-circuit pour de petits signaux
26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики					Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер
D. Statische in Emitterschaltung
Е. Static value of the forward transconductance
F. Pente statique de transfert direct
27. Входная емкость биполярного транзистора D.		*			Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
Е. Input capacitance
F.
28. Выходная емкость биполярного транзистора D.		*			Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Е. Output capacitance
F. de sortie
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора D.		*	*		Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала
Е. Feedback capacitance
F. de couplage
29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора D. Grenzfrequenz der					Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением
Е. Cut-off frequency
F. de conpure
30. Граничная частота коэффициента передачи тока D. der (Transitfrequenz) Е. Transition frequency F. de transition					Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву
31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора					Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора
Е. Maximum frequency of oscillation
F. maximale d’oscillation
32. Коэффициент шума биполярного транзистора D. Rauschzahl					Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала
Е. Noise figure
F. Facteur de bruit
32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора D. Minimale Rauschzahl					Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума
Е. Minimal noise figure
F. Facteur de bruit minimum
32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора D. Rauschspannung Е. Equivalent noise voltage					Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным
F. Tension de bruit
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора					Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения
Ндп. Степень насыщения
Е. Saturation coefficient
F. Coefficient de saturation
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D.					Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Е. Power gain
F. Gain en puissance
34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Optimale					Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума
Е. Optimal power gain
F. Gain de puissance optimum
35. Коэффициент полезного действия коллектора D. Kollektorwirkungsgrad					Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания
Е. Collector efficiency
F. du collocteur
36. Время задержки для биполярного транзистора D. Е. Delay time					Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды
F. Retard la croissance
37. Время нарастания для биполярного транзистора D. Anstiegszeit Е. Rise time					Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10% его амплитуды, до значения, соответствующего 90% его амплитуды
F. Temps de croissance
38. Время рассасывания для биполярного транзистора D. Speicherzeit Е. Carrier storage time					Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
F. Retard
39. Время спада для биполярного транзистора D. Abfallzeit					Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90% его амплитуды, до значения, соответствующего 10% его амплитуды
Е. Fall time
F. Temps de
40. Время включения биполярного транзистора					Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
D. Einschaltzeit
Е. Turn-on time
F. Temps total
41. Время выключения биполярного транзистора D. Ausschaltzeit Е. Turn-off time					Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10% его амплитудного значения
F. Temps total de coupure
42. Сопротивление базы биполярного транзистора					Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер
D. Basisbahnwiderstand
Е. Base intrinsic resistance
F. de base de base
43. Емкость эмиттерного перехода D. der Emittersperrschicht					Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи
Е. Emitter capacitance
F.
44. Емкость коллекторного перехода D. der Kollektorsperrschicht					Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи
Е. Collector capacitance
F. collecteur
45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора					Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода
D.
Е. Collector-base time constant
46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора D. Eingangsreflexionsfaktor		*	*		Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
47. Коэффициент обратной передачи напряжения D.		*	*		Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
48. Коэффициент прямой передачи напряжения D.		*	*		Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора D. Ausgangsreflexionsfaktor		*	*		Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
50. Постоянный ток коллектора					Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход
D. Kollektorgleichstrom
Е. Collector (d.с.) current
F. Courant continu de collecteur
51. Постоянный ток эмиттера					Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход
D. Emittergleichstrom
Е. Emitter (d.с.) current
F. Courant continu d’emetteur
52. Постоянный ток базы					Постоянный ток, протекающий через базовый вывод
D. Basisgleichstrom
Е. Base (d.с.) current
F. Courant continu de base
53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения					-
Е. Saturation collector current
F. Courant de saturation collecteur
54. Постоянный ток базы в режиме насыщения					-
Е. Saturation base current
F. Courant de saturation base
55. Импульсный ток коллектора			-		Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса
56. Импульсный ток эмиттера			-		Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса
57. Постоянное напряжение эмиттер-база					Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
D. Emitter-Basis-Spannung
Е. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue
58. Постоянное напряжение коллектор-база					Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы
D. Kollektor-Basis-Spannung
Е. Collector-base (d.с.) voltage
F. Tension continue collecteur-base
59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер					Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера
D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
Е. Collector-emitter (d.с.) voltage
F. Tension continue
________________ При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, , . При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, , . При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, , ; при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, , ; при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, , ; при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база , .
60. Выходная мощность биполярного транзистора						Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте
D. Ausgangsleistung
Е. Output power
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора						Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе
D. Gesamtverlustleistung
Е. Total input power (d.c.) to all electrodes
F. Puissance totale de toutes les
62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора						Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе
D. Mittlere Verlustleistung
Е. Total input power (average) to all electrodes
F. Puissance totale (moyenne) de toutes les
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора						-
D. Impulsverlustleistung
F. Peak power dissipation
F. Puissance
64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора						Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора
D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung
Е. Collector (d.c.) power dissipation
F. Puissance (continue) au collecteur
65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора						Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора
D. Mittlere Kollektorverlustleistung
Е. Collector (average) power dissipation
F. Ruissance (moyenne) au collecteur
65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора Е. Peak envelope power						Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами
65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора Е. Third order intermodulation products factor						Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд
65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора Е. Fifth order intermodulation products factor						Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд
Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам**
66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора						-
D. Maximal Kollektorgleichstrom
Е. Maximum collector (d.с.) current
F. Courant continu de collecteur maximal
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера						-
D. Maximal Emittergleichstrom
Е. Maximum emitter (d.с.) current
F. Courant continu d’emetteur maximal
68. Максимально допустимый постоянный ток базы						-
D. Maximal Basisgleichstrom
Е. Maximum base (d.с.) current
F. Courant continu de base maximal
69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора						-
D. Maximal Kollektorimpulsstrom
Е. Maximum peak collector current
F. Courant de de collecteur maximal
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера						-
D. Maximal Emitterimpulsstrom
Е. Maximum peak emitter current
F. Courant de d’emetteur maximal
71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения						-
Е. Maximum saturation collector current
F. Courant de saturation collecteur maximal
72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения						-
Е. Maximum saturation base current
F. Courant de saturation base maximal
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база						-
D. Maximal Emitter-Basis-Gleichspannung
Е. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
F. Tension continue maximale
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база						-
D. Maximal Kollektor-Basic-Gleichspannung
Е. Maximum collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base maximale
75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер						-
D. Maximal Kollektor-Emitter- Gleichspannung
Е. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage
F. Tension continue maximale
76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер						-
D. Maximal Kollektor-Emitter-Impulsspannung
E. Maximum peak collector-emitter voltage
F. Tension de maximale
77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база						-
D. Maximal Kollektor-Basis-Impulsspannung
E. Maximum peak collector-base voltage
F. Tension de collector-base maximale
78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора						-
D. Maximal Kollektorverlustleistung
E. Maximum collector power dissipation (d.c.)
F. Puissance au collecteur (continue) maximale
79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора			-			-
E. Maximum collector power dissipation (average)
F. Puissance au collecteur (moyenne) maximale
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора						-
D. Maximal Impulsverlustleistung
E. Maximum peak power dissipation
F. Puissance maximale

________________

* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.

** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


Время включения биполярного транзистора	40
Время выключения биполярного транзистора	41
Время задержки для биполярного транзистора	36
Время нарастания для биполярного транзистора	37
Время рассасывания для биполярного транзистора	38
Время спада для биполярного транзистора	39
Емкость биполярного транзистора входная	27
Емкость биполярного транзистора выходная	28
Емкость коллекторного перехода	44
Емкость обратной связи биполярного транзистора	28а
Емкость эмиттерного перехода	43
Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора	65в
Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора	65б
Коэффициент насыщения биполярного транзистора	33
Коэффициент обратной передачи напряжения	47
Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала	15
Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора	46
Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора	49
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала	16
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора статический	20
Коэффициент полезного действия коллектора	35
Коэффициент прямой передачи напряжения	48
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора	34
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный	34а
Коэффициент шума биполярного транзистора	32
Коэффициент шума биполярного транзистора минимальный	32а
Крутизна передаточной характеристики статическая	26
Крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером статическая	26
Крутизна характеристики статическая	26
Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте	17
Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора	24
Мощность биполярного транзистора выходная	60
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная	63
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая	80
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная	61
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая средняя	62
Мощность в пике огибающей биполярного транзистора выходная	65а
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная	64
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая	78
Мощность коллектора рассеиваемая средняя	65
Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая	79
Напряжение биполярного транзистора граничное	6
Напряжение коллектор-база импульсное максимально допустимое	77
Напряжение коллектор-база постоянное	58
Напряжение коллектор-база постоянное максимально допустимое	74
Напряжение коллектор-база пробивное	12
Напряжение коллектор-эмиттер импульсное максимально допустимое	76
Напряжение коллектор-эмиттер постоянное	59
Напряжение коллектор-эмиттер постоянное максимально допустимое	75
Напряжение коллектор-эмиттер пробивное	13
Напряжение насыщения база-эмиттер	8
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	7
Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера	6
Напряжение смыкания биполярного транзистора	10
Напряжение шума биполярного транзистора эквивалентное	32б
Напряжение эмиттер-база плавающее	9
Напряжение эмиттер-база постоянное	57
Напряжение эмиттер-база постоянное максимально допустимое	73
Напряжение эмиттер-база пробивное	11
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора	45
Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная входная	21
Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная выходная	18, 25
Проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная	22
Проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная	23
Сопротивление базы биполярного транзистора	42
Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером входное	19
Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала входное	14
Степень насыщения	33
Ток базы обратный	4
Ток базы постоянный	52
Ток базы постоянный в режиме насыщения	54
Ток базы постоянный в режиме насыщения максимально допустимый	72
Ток базы постоянный максимально допустимый	68
Ток биполярного транзистора критический	5
Ток коллектора закрытого транзистора	3
Ток коллектора импульсный	55
Ток коллектора импульсный максимально допустимый	69
Ток коллектора начальный	3
Ток коллектора обратный	1
Ток коллектора постоянный	50
Ток коллектора постоянный в режиме насыщения	53
Ток коллектора постоянный в режиме насыщения максимально допустимый	71
Ток коллектора постоянный максимально допустимый	66
Ток коллектор-эмиттер обратный	3
Ток эмиттера импульсный	56
Ток эмиттера импульсный максимально допустимый	70
Ток эмиттера обратный	2
Ток эмиттера постоянный	51
Ток эмиттера постоянный максимально допустимый	67
Частота генерации биполярного транзистора максимальная	31
Частота коэффициента передачи тока граничная	30
Частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора предельная	29

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ


Abfallzeit	39
Anstiegszeit	37
Aquivalente Rauschspannung	32б
	28
Ausgangsleistung	60
Ausgangsreflexionsfaktor	49
Ausschaltzeit	41
Basisbahnwiderstand	42
Basis-Emitter-Reststrom	4
Basis-Emitter-	8
Basisgleichstrom	52
Betrag der in Emitterschaltung bei HF	17
Betrag des	24
	27
Eingangsreflexionsfaktor	46
Einschaltzeit	40
Emitter-Basis-Durchbruchspannung	11
Emitter-Basis-Spannung	57
Emittergleichstrom	51
Emitterrestrom (bei offenem Kollektor)	2
Gesamtverlustleistung	61
Gleichstrom-KoIlektorverlustleistung	64
in Emitterschaltung	20
Grenzfrequenz der	29
	45
Impulsverlustleistung	63
Innerer	65a
der Emittersperrschicht	43
der Kollektorsperrschicht	44
Kleinsignalausgangsleitwert	18
Kleinsignaleingangswiderstand	14
	15
	16
Kollektor-Basis-Durchbruchspannung	12
Kollektor-Basis-Spannung	58
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)	13
Kollektor-Emitter-Reststrom	3
Kollektor-Emitter-	7
Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)	59
Kollektorgleichstrom	50
Kollektorreststrom (bei offenen Emitter)	1
Kollektorwirkungsgrad	35
Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert	25
Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert	21
Komplexer	22
Komplexer	23
	34
Maximal Emitter-Basis-Gleichspannung	73
Maximal Impulsverlustleistung	80
Maximal Kollektor-Basis-Gleichspannung	74
Maximal Kollektor-Basis-Impulsspannung	77
Maximal Kollektor-Emitter-Gleichspannung	75
Maximal Kollektor-Emitter-Impulsspannung	76
Maximal Kollektorverlustleistung	78
Maximal Basisgleichstrom	68
Maximal Emittergleichstrom	67
Maximal Emitterimpulsstrom	70
Maximal Kollektorgleichstrom	66
Maximal Kollektorimpulsstrom	69
Minimale Rauschzahl	32a
Mittlere Kollektorverlustleistung	65
Mittlere Verlustleistung	62
Optimale	34a
Rauschzahl	32
	28a
	47
	48
Speicherzeit	38
Statische in Emitterschaltung	26
Ubergangsfrequenz der (Transitfrequenz)	30
	36

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ


Base cut-off current	4
Base (d.с.) current	52
Base intrinsic resistance	42
Breakdown collector-base voltage	12
Breakdown collector-emitter voltage	13
Breakdown emitter-base voltage	11
Carrier storage time	38
Collector (average) power dissipation	65
Collector-base (d.c.) voltage	58
Collector-base time constant	45
Collector capacitance	44
Collector cut-off current	1
Collector (d.c.) current	50
Collector (d.c.) power dissipation	64
Collector efficiency	35
Collector-emitter cut-off current	3
Collector-emitter (d.c.) voltage	59
Cut-off frequency	29
Delay time	36
Emitter-base (d.c.) voltage	57
Emitter capacitance	43
Emitter cut-off current	2
Emitter (d.c.) current	51
Equivalent noise voltage	32б
Fall time	39
Feedback capacitance	28a
Fifth order intermodulation products factor	65a
Floating emitter-base voltage	9
Input capacitance	27
Maximum base (d.c.) current	68
Maximum collector-base (d.c.) voltage	74
Maximum collector (d.c.) current	66
Maximum collector-emitter (d.c.) voltage	75
Maximum collector power dissipation (average)	79
Maximum collector power dissipation (d.c.)	78
Maximum emitter-base (d.c.) voltage	73
Maximum emitter (d.c.) current	67
Maximum frequency of oscillation	31
Maximum peak collector-base voltage	77
Maximum peak collector current	69
Maximum peak collector-emitter voltage	76
Maximum peak emitter current	70
Maximum peak power dissipation	80
Maximum saturation base current	72
Maximum saturation collector current	71
Minimal noise figure	32a
Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio	17
Modulus of the short-circuit forward transfer admittance	24
Noise figure	32
Optimal power gain	34a
Output capacitance	28
Output power	60
Peak envelope power	65a
Peak power dissipation	63
Power gain	34
Punch-through (penetration) voltage	10
Rise time	37
Saturation base current	54
Saturation base-emitter voltage	8
Saturation coefficient	33
Saturation collector current	53
Saturation collector-emitter voltage	7
Small-signal value of the open-circuit output admittance	18
Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio	15
Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio	16
Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance	23
Small-signal value of the short-circuit input admittance	21
Small-signal value of the short-circuit input impedance	14
Small-signal value of the short-circuit output admittance	25
Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance	22
Static value of the forward current transfer ratio	20
Static value of the forward transconductance	26
Static value of the input resistance	19
Third order intermodulation products factor	65б
Total input power (average) to all electrodes	62
Total input power (d.c.) to all electrodes	61
Transition frequency	30
Turn-off time	41
Turn-on time	40

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ


collecteur	44
	43
de couplage	28a
	27
de sortie	28
Coefficient de saturation	33
Courant continu de base	52
Courant continu de base maximal	68
Courant continu de collecteur	50
Courant continu de collecteur maximal	66
Courant continu	51
Courant continu maximal	67
Courant de de collecteur maximal	69
Courant de maximal	70
Courant de saturation base	54
Courant de saturation base maximal	72
Courant de saturation collecteur	53
Courant de saturation collecteur maximal	71
Courant de la base	4
Courant	2
Courant du collecteur	1
Courant	3
du collecteur	35
Facteur de bruit	32
Facteur de bruit minimum	32a
de coupure	29
de transition	30
maximale d’escillation	31
Gain de puissance optimum	34a
Gain en puissance	34
Module de l’admittance de transfert direct	24
Module de rapport de transfert direct du courant	17
Pente statique de transfert direct	26
Retard la croissance	36
Retard	38
de base	42
Puissage au collecteur (continue) maximale	78
Puissance au collecteur (moyenne) maximale	79
Puissance (continue) au collecteur	64
Puissance	63
Puissance maximale	80
Puissance (moyenne) au collecteur	65
Puissance totale (continue) de toutes les	61
Puissance totale (moyenne) de toutes les	62
Temps de croissance	37
Temps de	39
Temps total de coupure	41
Temps total	40
Tension continue collecteur-base	58
Tension continue collecteur-base maximale	74
Tension continue	59
Tension continue maximale	75
Tension continue	57
Tension continue maximale	73
Tension de bruit	32б
Tension de claquage collecteur-base	12
Tension de claquage	13
Tension de claquage	11
Tension de collecteur-base maximale	77
Tension de maximale	76
Tension de (tension de persage)	10
Tension de saturation	8
Tension de saturation	7
Tension flottante	9
Valeur de l’admittance , sortie en court-circuit pour de petits signaux	21
Valeur de l’admittance de sortie, en circuit ouvert pour de petits signaux	18
Valeur de l’admittance de sortie, en courant-citcuit pour de petits signaux	25
Valeur Ie l’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux	23
Valeur de l’admittance de transfert inverse, en court-circuit pour de petits signaux	22
Valeur de , sortie en court-circuit pour de petits signaux	14
Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux	16
Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, en circuit ouvert de petits signaux	15
Valeur statique de la	19
Valeur statique du rapport de transfert direct du courant	20

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

ПРИЛОЖЕНИЕ. (Исключено, Изм. N 1).

Текст документа сверен по:

официальное издание

Электроника. Термины и определения. Часть 2:

Сб. стандартов. - М.: Стандартинформ, 2005