ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры.
ГОСТ 24459-80
Группа Э02
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
И ЭЛЕМЕНТОВ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
Основные параметры
Integrated circuits for storages and their elements.
Basic parameters
Дата введения 1982-01-01
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 декабря 1980 г. N 5776 срок введения установлен с 01.01.82
ВЗАМЕН ГОСТ 19420-74 (в части запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств) и ГОСТ 17447-72 (в части пп.3 и 4)
ПЕРЕИЗДАНИЕ. Март 1987 г.
1. Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств: оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства, программируемые маской; постоянные запоминающие устройства с однократным электрическим программированием; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов.
Стандарт устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров:
для запоминающих устройств - число информационных слов, число разрядов в информационном слове, время выборки, удельную потребляемую мощность;
для запоминающих устройств на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах - частоту сдвигающих импульсов (тактовую частоту);
для усилителей воспроизведения - максимальное среднее время задержки распространения и минимальное входное напряжение срабатывания усилителя;
для формирователей разрядного и адресного токов - максимальное среднее время задержки распространения и максимальный выходной импульсный ток.
2. Допускаемые сочетания значений* числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове оперативных запоминающих устройств, ассоциативных запоминающих устройств, а также внешних запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должны соответствовать указанным в табл.1.
________________
* В табл.1-7 отмечены знаком "+", для вновь разрабатываемых микросхем знаком "х".
Таблица 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Число разрядов в информа- ционном слове | Число информационных слов | |||||||||||||||||
| 2 | 4 | 8 | 16 | 64 | 256 | 1  | 4 | 8 | 16 | 32 | 64 | 256 | 512 | 1024 | 4096 | 8192 | 16384 |
1 |
|
|
| + | + | + | х | х |
| х | х | х | х | х | х | х | х | х |
2 | + |
| + |
|
|
|
|
|
|
|
|
| х | х | х | х | х |
|
4 |
| + | + | + | + | х | х | х | х | х | х | х | х | х | х | х |
|
|
8 |
| + | + |
| + | х | х | х | х | х |
|
|
|
|
|
|
|
|
16 |
|
|
|
|
|
| х | х |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Для получения доступа к полной версии без ограничений вы можете выбрать подходящий тариф или активировать демо-доступ.