ГОСТ Р 57436-2017
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Термины и определения
Semiconductor devices. Terms and definitions
ОКС 01.040.31,
31.080
Дата введения 2017-08-01
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт") совместно с Акционерным обществом "Центральное конструкторское бюро "Дейтон" (АО "ЦКБ "Дейтон")
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Изделия электронной техники, материалы и оборудование"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ. Сентябрь 2020 г.
Правила применения настоящего стандарта установлены в . Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)
Введение
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области полупроводниковых приборов.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Нерекомендуемые к применению термины-синонимы приведены в круглых скобках после стандартизованного термина и обозначены пометкой "Нрк".
Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина во всех видах документации, входящих в сферу действия работ по стандартизации, при этом не входящая в скобки часть термина образует его краткую форму.
Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два термина, имеющие общие терминоэлементы.
В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи.
В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на немецком (de), английском (en) и французском (fr) языках.
Термины и определения общетехнических понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы - светлым, синонимы - курсивом.
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых приборов.
Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области полупроводниковых приборов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве и применении полупроводниковых приборов в соответствии с действующим законодательством.
2 Термины и определения
Виды полупроводниковых приборов
|
|
|
1 | ||
полупроводниковый прибор (semiconductor device): Устройство, основные электрические характеристики которого обусловлены потоком носителей зарядов внутри одного или более полупроводниковых материалов.
[, статья 151-13-63] | de | halbleiterbauelement |
| en | semiconductor device |
| fr | dispositif  semiconducteurs |
2 мощный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт. | de | halbleiter-power-  |
| en | semiconductor power device |
| fr | semiconducteurs d’alimentation de l’appareil |
3 полупроводниковый блок: Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов. | de | halbleiter-einheit |
| en | semiconductor assembly |
| fr | bloc de semiconducteur |
4 набор полупроводниковых приборов: Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам. | de | satz von halbleiterbauelementen |
| en | semiconductor assembly set |
| fr |  de dispositifs semiconducteurs |
5 дискретный (полупроводниковый) прибор: Полупроводниковый прибор, предназначенный для выполнения элементарной функции, в котором не могут быть выделены отдельные функциональные компоненты. | de | diskretes halbleiterbauelement |
| en | discrete semiconductor device; discrete device |
| fr | discret dispositif  semiconducteurs |
6 (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый прибор с двумя выводами, имеющий несимметричную вольт-амперную характеристику. | de | halbleiterdiode; diode |
Примечание - Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного p-n перехода. | en | semiconductor diode; diode |
| fr | diode semiconducteurs; diode |
7 смесительный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования входящих высокочастотных сигналов в сигнал, частота которого отлична от частоты входящих сигналов. | de | mischerdiode |
| en | mixer diode |
| fr | diode  |
8 детекторный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала. | de | halbleiter-detektordiode; detektordiode |
| en | detector diode |
| fr | diode  |
9 выпрямительный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока. | de | halbleiter-gleichter diode |
| en | semiconductor rectifier diode; rectifier diode |
| fr | diode de redressement semiconducteurs; diode de redressement |
10 лавинный выпрямительный диод: Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеяния в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики. | de | lawinen gleichrichter diode |
| en | avalanche rectifier diode |
| fr | diode de redressement avalanche |
11 выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем: Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя p-n перехода, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя p-n перехода обратной ветви вольт-амперной характеристики. | de | halbleiter-gleichter diode mit kontrollierbare avalanchedurchbruch |
| en | controlled-avalanche rectifier diode |
| fr | diode de redressement semiconducteurs de rupture en avalanche controlee; diode de redressement de rupture en avalanche controlee |
12 выпрямительный (полупроводниковый) столб: Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода. | de | halbeiter-gleichrichterbaugruppe |
| en | semiconductor rectifier stack; rectifier stack |
| fr | bloc de redressement semiconducteur; bloc de redressement |
13 выпрямительный (полупроводниковый) блок: Полупроводниковый блок, собранный из полупроводниковых выпрямительных диодов. | de | gleichrichter halbleiter block; gleichrichter block |
| en | semiconductor rectifier assembly |
| fr | assemblage de edressement  semiconducteurs; assemblage de edressement |
14 ограничитель (полупроводниковый) напряжения; ПОН: Полупроводниковый диод, предназначенный для ограничения амплитуды импульсов перенапряжения. | de | begrenzerdiode |
| en | limiting diode |
| fr | diode de limitation |
15 умножительный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты входного сигнала. | de | frequenzvervielfacherdiode |
| en | frequency-multiplication diode |
| fr | diode pour multiplication de  |
16 генераторный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования энергии постоянного электрического поля в энергию электромагнитных колебаний. | de | produzent halbleiterdiode |
| en | generation semiconductor diode; generation diode |
| fr | producteur diode semiconducteurs; producteur diode |
17 импульсный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для применения в импульсных режимах работы. | de | halbleiterimpulsdiode |
| en | pulse semiconductor diode; pulse diode |
| fr | diode d’impulsion |
18 коммутационный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей. | de | shalten halbleiterdiode |
| en | switching semiconductor diode; switching diode |
| fr | commutation diode semiconducteurs; commutation diode |
19 диод Шоттки: Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого обоснованы созданием выпрямляющего слоя (барьера) на границе металла и полупроводника. | de | Schottky-diode |
| en | Schottky barrier diode |
| fr | diode  Schottky; diode Schottky |
20 варикап: Полупроводниковый диод, действие которого основано на зависимости емкости его p-n перехода от обратного напряжения, предназначенный для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью. | de |  ;  |
| en | variable-capacitance diode |
| fr | diode  variable |
21 параметрический (полупроводниковый) диод (Нрк. варактор): Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях. | de | parametrischer halbleiterdiode |
| en | parametric semiconductor diode; parametric diode |
| fr |  diode semiconducteurs; diode |
22 шумовой диод: Полупроводниковый диод, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот. | de | stichhaltiger diode |
| en | noise diode |
| fr | diode bruit |
23 туннельный диод: Полупроводниковый диод, имеющий p-n переход, в котором возникает туннельный эффект, приводящий к появлению отрицательной дифференциальной проводимости на определенном участке прямой ветви вольт-амперной характеристики. | de | tunneldiode |
| en | tunnel diode |
| fr | diode tunnel |
24 обращенный диод: Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны. | de | unitunneldiode |
| en | unitunnel diode; backward diode |
| fr | diode  |
25 сверхвысокочастотный полупроводниковый диод; СВЧ-диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки СВЧ-сигналов. | de | UHF-halbeiteriode |
Примечание - СВЧ-сигнал - сигнал с частотой более 300 МГц.
| en | microwave diode |
| fr | diode en  |
26 переключательный диод: Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод, предназначенный для быстрого перехода от состояния высокого полного сопротивления к состоянию низкого полного сопротивления и, наоборот, в зависимости от полярности подаваемого напряжения. | de | halbeitererschaltdiode |
| en | gating diode |
| fr | diode de commutation |
27 точечный диод (Нрк. точечно-контактный диод): Полупроводниковый диод с точечным p-n переходом. | de | halbeiterspitzediode |
| en | point contact diode |
| fr | diode pointe |
28 плоскостной диод: Полупроводниковый диод с плоскостным p-n переходом. | de |  |
| en | junction diode |
| fr | diode jonction |
29 диод с накоплением заряда: Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения. | de | gespeicherte ladung diode |
| en | snap-off diode |
| fr | diode charge |
30 лавинно-пролетный диод: Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний. | de | lawinenlaufzeitdiode |
| en | impact avalanche-transit time diode |
| fr | diode avalanche temps de transit |
31 инжекционно-пролетный диод: Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний. | de | BARITT-diode |
| en | barrier-injection and transittime diode |
| fr | diode f temps de transit  |
32 сигнальный диод: Диод, предназначенный для выделения или обработки информации, содержащейся в электрическом сигнале, который изменяется со временем и может быть по виду аналоговым или цифровым. | de | signal diode |
| en | signal diode |
| fr | signal diode |
33 диод Ганна: Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний. | de | Gunn diode |
| en | Gunn diode |
| fr | diode Gunn |
34 диод быстровосстанавливающий: Полупроводниковый диод со временем восстановления обратного сопротивления не более 5 нс. | de | hochwiederkehiend diode |
| en | fast-recovery diode |
| fr | diode  rapide rapide |
35 модуляторный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотных сигналов. | de | halbleitermodulatordiode |
| en | modulator diode |
| fr | diode modulatrice |
36 обратный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для защиты тиристорного выпрямителя от перенапряжений обратной полярности, возникающих на нем в течение выключенного состояния за счет переходных процессов в схеме применения. | de |  diode |
Примечание - Обратный диод подключается к выходу тиристорного выпрямителя между основными электродами. | en | reverse diode |
| fr | inverse diode |
37 СВЧ ограничительный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и, наоборот, в зависимости от уровня поданной на диод СВЧ мощности.
Примечание - При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением, что позволяет ограничивать (или подавлять) нежелательную СВЧ энергию. | de | mikrowelle begrenzung diode |
| en | microwave limiting diode |
| fr | micro-ondes diode limiteuse |
38 СВЧ переключательный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и, наоборот, в зависимости от постоянного напряжения смещения или тока, поданного на диод. | de | mikrowelle schaltdioden |
Примечание - При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением, что обеспечивает либо прохождение СВЧ-сигналов, либо их прерывание. | en | microwave switching diode |
| fr | micro-ondes diode de commutation |
39 (полупроводниковый) стабилитрон (Нрк. Зенеровский диод): Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения. | de | halbeiter-Z-diode |
| en | voltage reference diode |
| fr | diode de tension de  |
40 диодный регулятор напряжения: Полупроводниковый диод, на выводах которого возникает практически постоянное напряжение в заданном диапазоне токов. | de | voltage-regulator diode |
| en | voltage-regulator diode |
| fr | la tension  diode |
41 транзистор: Полупроводниковый прибор, способный создавать усиление электрической мощности и имеющий три или более вывода. | de | transistor |
| en | transistor |
| fr | transistor |
42 биполярный транзистор: Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
Примечание - Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей. | de | bipolarer transistor |
| en | bipolar junction transistor |
| fr | transistor bipolaire |
43 бездрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством диффузии. | de | diffusiontransistor |
| en | diffusion transistor |
| fr | transistor diffusion |
44 дрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством дрейфа. | de | drifttransistor |
| en | drift transistor |
| fr | transistor en  |
45 плоскостной транзистор: Биполярный транзистор с плоскостными переходами. | de |  |
| en | junction transistor |
| fr | transistor jonctions |
46 лавинный транзистор: Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе. | de | lawinentransistor |
| en | avalance transistor |
| fr | transistor avalanche |
47 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT транзистор. Нрк. БИМОП транзистор): Биполярный транзистор с управляющей структурой металл-окисел-полупроводник. | de | bipolartransistor gatedielektrikum |
| en | insulated-gate bipolar transistor |
| fr | bipolaire  |
48 униполярный транзистор: Транзистор, функционирование которого основано на носителях зарядов одной полярности. | de | unipolarer transistor |
| en | unipolar transistor |
| fr | transistor unipolaire |
49 полевой транзистор (Нрк. канальный транзистор): Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены переносом основных носителей заряда, протекающим через канал и управляемый электрическим полем. | de | feldeffekttransistor |
Примечание - Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности. | en | field-effect transistor |
| fr | transistor effet de champ |
50 полевой транзистор с управляющим p-n переходом: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически отделенных от канала p-n переходом, смещенным в обратном направлении. | de | sperrschicht-feldeffekttransistor |
| en | junction-gate field-effect transistor |
| fr | transistor effet de champ junction de grille |
51 полевой транзистор с изолированным затвором: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от канала. | de | isolierschicht-feldeffekttransistor; IGFET |
| en | insulated-gate field-effect transistor |
| fr | transistor effet de champ grille  |
52 N-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор, у которого канал проводимости N-типа. | de | N-kanal-feldeffekttranssistor |
| en | N-channel field-effect transistor |
| fr | transistor effet de champ canal N |
53 P-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор, у которого канал проводимости P-типа. | de | P-kanal-feldeffekttranssistor |
| en | P-channel field-effect transistor |
| fr | transistor effet de champ canal P |
54 полевой транзистор типа металл-оксид-полупроводник; МОП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и каналом используется оксид. | de | feldeffekttransistor mit metalloxid-halbleiter |
| en | metal-oxide-semiconductor field effect transistor |
| fr | transistor effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs |
55 полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник; МДП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик. | de | feldeffekttransistor mit metall-halbleiter |
| en | MIS-transistor |
| fr | transistor effet de champ metal-semiconducteurs |
56 полевой транзистор с барьером Шоттки: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, которые выполнены в виде барьерного контакта типа Шоттки. | de | feldeffekttransistor mit SCHOTTKY-barriere |
| en | field-effect transistor with Schottky barrier |
| fr | transistor effet de champ  de Schottky |
57 полевой транзистор обедненного типа: Полевой транзистор, имеющий проводимость канала при нулевом смещении затвор-исток, в котором проводимость канала можно снизить, подавая напряжение затвор-исток необходимой полярности и величины. | de | feldeffekttransistor vom verarmungstyp |
| en | depletion type field-effect transistor |
| fr | transistor effet de champ appauvrissement |
58 полевой транзистор обогащенного типа: Полевой транзистор, имеющий нулевую проводимость при нулевом напряжении затвор-исток, канал которого может стать проводящим при подаче напряжения затвор-исток соответствующей полярности. | de | feldeffekttransistor vom anreicherungstyp |
| en | enhancement type field-effect transistor |
| fr | transistor effet de champ enrichissement |
59 симметричный биполярный [полевой] транзистор: Биполярный [полевой] транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока. | de | zweirichtungstransistor; bidirektionaler transistor |
| en | bidirectional transistor |
| fr | transistor bidirectionnel |
60 переключательный биполярный [полевой] транзистор: Биполярный [полевой] транзистор, обладающий сравнительно большим электрическим сопротивлением в закрытом состоянии и минимальным - в открытом, способный переходить из одного состояния в другое за короткий интервал времени. | de | feldeffekt bipolarer-schalttransistor; feldeffekt-schalttransistor |
| en | field-effect bipolar switching transistor;
field-effect switching transistor |
| fr | transistor commutation bipolaire effet de champ; transistor commutation bipolaire |
61 тетродный транзистор: Четырехэлектродный транзистор, имеющий два отдельных базовых электрода и два базовых вывода. | de | transistortetrode |
| en | tetrode transistor |
| fr | transistor  |
62 тиристор: Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который переключается из закрытого состояния в открытое и наоборот. | de | thyristor |
| en | thyristor |
| fr | thyristor |
63 диодный тиристор (динистор): Тиристор, имеющий два вывода, через которые протекает как основной ток, так и ток управления. | de | thyristordiode |
| en | diode thyristor |
| fr | thyristor diode |
64 диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии. | de |  sperrende thyristordiode |
| en | reverse blocking diode thyristor |
| fr | thyristor diode  en inverse |
65 диодный тиристор, проводящий в обратном направлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии. | de | leitende thyristordiode |
| en | reverse conducting diode thyristor |
| fr | thyristor diode passant en inverse |
66 симметричный диодный тиристор (диак): Диодный тиристор, который переключается как в прямом, так и в обратном направлениях. | de | zweirichtungs-thyristor-diode; doppeltgerichtete thyristordiode; diac |
| en | bidirectional diode thyristor; diac |
| fr | thyristor diode bidirectionnel; diac |
67 триодный тиристор (тринистор): Тиристор, имеющий три вывода: два основных и один управляющий. | de | thyristortriode |
| en | triode thyristor |
| fr | thyristor triode |
68 триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении: Триодный тиристор, который при обратном напряжении на аноде не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии. | de | sperrende thyristortriode |
| en | reverse blocking triode thyristor |
| fr | thyristor triode en inverse |
69 триодный тиристор, проводящий в обратном направлении: Триодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии. | de | leitende thyristortriode |
| en | reverse conducting triode thyristor |
| fr | thyristor triode passant en inverse |
70 симметричный триодный тиристор (триак): Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях. | de | zweirichtungs-thyristortriode; triac |
| en | bidirectional triode thyristor; triac |
| fr | thyristor triode bidirectionnel; triac |
71 запираемый тиристор: Тиристор, который переключается из открытого состояния в закрытое и, наоборот, путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности. | de | ausschaltthyristor; GTO-thyristor |
| en | turn-off thyristor |
| fr | thyristor blocable |
72 тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала. | de | kathodenseitig steuerbarer thyristor |
| en | P-gate thyristor |
| fr | thyristor P |
73 тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с n-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала. | de | anodenseitig steuerbarer thyristor |
| en | N-gate thyristor |
| fr | thyristor N |
74 лавинный триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении; лавинный тиристор: Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния. | de | lawine reverse |
| en | avalanche reverse blocking triode thyristor |
| fr | thyristor triode avalanche  en inverse |
75 несимметричный тиристор: Триодный тиристор с обратной блокировкой, номинальное обратное напряжение которого ниже номинального напряжения в закрытом состоянии. | de | asymmetrischer thyristor |
| en | asymmetrical thyristor |
| fr | thyristor 
|
76 комбинированно-выключаемый тиристор: Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения. | de | gemischte-ausschalten thyristor |
| en | mixed-off thyristor |
| fr | thyristor  |
77 импульсный тиристор: Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы. | de | impuls thyristor |
| en | pulsed thyristor |
| fr | thyristor signal |
78 оптоэлектронный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов. | de | optoelektronisches halbleiterbauelement |
| en | optoelectronic device |
| fr | dispositif  |
79 (полупроводниковый) излучатель: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения. | de | halbleiterstrahler |
| en | semicondictor photocoupler radiator |
| fr | radiator semiconducteurs |
80 оптоэлектронный дисплей: Полупроводниковый излучатель, предназначенный для отображения визуальной информации. | de | optoelektronische displays |
| en | optoelectronic display |
| fr |  affichage |
81 |
|
|
полупроводниковый (знакосинтезирующий) индикатор: Активный знакосинтезирующий индикатор, в котором используется явление инжекционной электролюминесценции.
[, статья 15] | de | halbleiter-zeichen-display |
| en | semiconductor character display |
| fr | semiconducteurs de  d’affichage |
82 (полупроводниковый) приемник излучения: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию электромагнитного излучения в электрическую энергию от излучателя и работающего в паре с ним. | de | der  strahlung optokoppler |
| en | receiver radiation photocoupler |
| fr | le  radiation optocoupler |
83 светоизлучающий диод; СИД: Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате электрической стимуляции и рекомбинации электронов и дырок. | de | lichtemittierende diode; LED |
| en | light-emitting diode; LED |
| fr | diode  ; DEL |
84 полупроводниковый экран: Полупроводниковый прибор, предназначенный для использования в устройствах отображения информации и состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных рядами по вертикали и горизонтали экрана. | de | halbleiter-analoge anzeige |
| en | semiconductor analog indicator |
| fr | semiconducteurs analogiques en dicator |
85 инфракрасный излучающий диод; ИК-диод: Светоизлучающий диод, который испускает инфракрасное излучение. | de | infrarotemittierende diode; IRED |
| en | infrared-emitting diode |
| fr | diode infrarouge |
86 полупроводниковый лазер: Полупроводниковый прибор, который излучает энергию когерентного излучения с помощью индуцированной эмиссии за счет рекомбинации электронов и дырок. | de | halbleiter-laser |
| en | semiconductor laser |
| fr | laser semiconducteurs |
87 лазерный диод: Полупроводниковый диод, который излучает когерентное оптическое излучение, являющееся результатом рекомбинации проводящих электронов и дырок при возбуждении электрическим током, превышающим пороговое значение тока диода. | de | lazerdiode |
| en | laser diode |
| fr | diode laser |
88 лазерно-диодный модуль: Модуль, содержащий наряду с лазерным диодом средства для автоматической оптической и (или) тепловой стабилизации выходного источника излучения. | de | laser-dioden modul |
| en | laser-diode module |
89 | fr | laser diode module |
фоточувствительный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра.
[, статья 1] | de | lichtempfindliche halbleiterdiode |
| en | semiconductor photosensitive device |
| fr | photosensible appareil emiconducteurs |
90 (полупроводниковый) фотоэлектрический детектор: Полупроводниковый фоточувствительный прибор, электрическое сопротивление (проводимость) которого изменяется при освещении. | de | photoelektrischer  |
| en | semiconductor photoelectric detector; photoelectric detector |
| fr |  semiconducteur;  |
91 |
|
|
фоторезистор: Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости.
[, статья 10] | de | photowiderstand;  halbleiterzelle |
| en | photoresistor |
| fr |  |
92 |
|
|
фотодиод: Полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект.
[, статья 11] | de | photodiode |
| en | photodiode |
| fr | photodiode |
93 |
|
|
лавинный фотодиод: Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле.
[, статья 15] | de | lawinen-photodiode |
| en | avalance photodiode |
| fr | photodiode avalanche |
94 |
|
|
фототранзистор: Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект.
[, статья 17] | de | phototransistor |
| en | phototransistor |
| fr | phototransistor |
95 фототиристор: Тиристор, предназначенный для переключения посредством воздействия оптическим излучением. | de | photothyristor |
| en | photothyristor |
| fr | photothyristor |
96 фотопроводящая ячейка: Полупроводниковый прибор, в котором используется эффект фотопроводимости. | de |  zelle |
| en | photoconucting cell |
| fr | cellule photoconducteur |
97 фотовольтовая ячейка: Полупроводниковый прибор, в котором используется фотовольтовый эффект. | de | photoelement; photovoltaische zelle |
| en | photovaltic cell |
| fr | cellule effet  |
98 оптопара: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция. | de | optokoppler |
| en | photocoupler; optocoupler |
| fr | photocoupleur; optocoupleur |
99 резисторная оптопара: Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фоторезистора. | de | widerstandoptokoppler |
| en | resistive optocoupler |
| fr | optocoupleur  |
100 диодная оптопара: Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фотодиода. | de | diode optokoppler |
| en | diode photocoupler |
| fr | optocoupleur diode |
101 дифференциальная диодная оптопара: Диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излучателя. | de | differenz diode optokoppler |
| en | difference diode photocoupler |
| fr | optocoupleur diode  |
102 транзисторная оптопара: Оптопара с полупроводниковым приемником излучения, выполненным на основе фототранзистора. | de | transistor optokoppler |
| en | transistoroptocoupler |
| fr | optocoupleur transistor |
103 тиристорная оптопара: Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фототиристора. | de | thyristoroptokoppler |
| en | thyristor optocoupler |
| fr | optocoupleur thyristor |
104 оптопреобразователь: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или несколькими p-n переходами, работающими в режиме передачи и (или) приема оптического излучения. | de | optische wandler |
| en | optoconverter |
| fr | optoconvertisseur |
105 прибор на эффекте Холла: Полупроводниковый прибор, работающий на основе физического явления возникновения разности потенциалов между краями проводящей пластинки, помещенной перпендикулярно линиям внешнего магнитного поля, и протекании вдоль указанной пластинки тока. | de | halleffekt-bauelement |
| en | hall effect device |
| fr | dispositif effet hall |
106 преобразователь Холла: Прибор на эффекте Холла, преобразующий индукцию внешнего магнитного поля в электрическое напряжение. | de | Hall-sensor |
| en | Hall effect sensor |
| fr | transducteur effet Hall |
107 преобразователь Холла измерительный: Преобразователь Холла, предназначенный для измерения физических величин, однозначно зависящих от магнитного поля. | de | Hall transducer |
| en | Hall probe |
| fr | transducteur de mesure effet Hall |
108 преобразователь Холла индикаторный: Преобразователь Холла, предназначенный для обнаружения магнитного поля в данной точке пространства. | de | Hall anzeigetnansducer |
| en | Hall effect indicator |
| fr | transducteur de mesure effet Hall |
109 зонд Холла: Прибор на эффекте Холла для измерения плотности магнитного потока. | de | der hall-sonde |
| en | hall probe |
| fr | sonde effet hall |
110 магниторезистор: Полупроводниковый прибор, обладающий способностью изменять свое электрическое сопротивление под действием магнитного поля. | de | magnetowiderstand |
| en | magnetoresistor |
| fr |  |
111 терморезистор: Полупроводниковый прибор, обладающий способностью изменять свое электрическое сопротивление при изменении его температуры. | de | thermistor |
| en | thermistor |
| fr | thermistance |
112 позистор: Терморезистор с положительным ТКС.
Примечание - ТКС - температурный коэффициент сопротивления. | de | posister |
| en | posistor |
| fr | frigistance |
113 термистор: Терморезистор с отрицательным ТКС. | de | thermister |
| en | thermistor |
| fr | thermistance |
Элементы конструкции
|
|
|
114 вывод (полупроводникового прибора): Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, предназначенный для соединения с внешней электрической цепью. | de | anschluss; anschluss-punkt |
| en | terminal of a semiconductor device; terminal |
| fr | borne d’un dispositif semiconducteurs; borne |
115 основной вывод полупроводникового прибора: Вывод полупроводникового прибора, через который протекает основной ток. | de | hauptanschluss |
| en | main terminal |
| fr | borne  |
116 катодный вывод диода [тиристора]: Вывод диода [тиристора], через который прямой ток протекает во внешнюю электрическую цепь. | de | thyristor dioden Katodenenanschluss |
| en | cathode leed of thyristor diode |
| fr | borne cathodique de thyristor |
117 анодный вывод диода [тиристора]: Вывод диода [тиристора], через который прямой ток протекает из внешней электрической цепи. | de | thyristor dioden anodenauschluss |
| en | anode leed of thyristor diode |
| fr | borne anodique de thyristor |
118 управляющий вывод тиристора: Вывод тиристора, через который протекает только ток управления. | de | thyristor steuerausgang |
| en | control lead of thyristor |
| fr | borne commande de thyristor |
119 подложка: Материал, в объеме или на поверхности которого формируют или монтируют полупроводниковый прибор. | de | substrat |
| en | substrate |
| fr | substrat |
120 пластина: Тонкая пластина из полупроводникового материала, на поверхности которой с помощью технологических операций формируется массив дискретных полупроводниковых структур. | de | wafer |
| en | wafer |
| fr | plaquette; wafer |
121 кристалл: Часть пластины, в объеме или на поверхности которой сформированы элементы, межэлементные соединения и контактные площадки полупроводникового прибора. | de | chip |
| en | chip die |
| fr | puce; pastille |
122 корпус (полупроводникового прибора): Элемент конструкции полупроводникового прибора, предназначенный для установки в него кристалла с подключением контактных площадок к внешним выводам, с целью обеспечения эксплуатационных характеристик полупроводникового прибора и применения его по назначению. | de |  |
| en | package |
| fr |  |
123 бескорпусной полупроводниковый прибор (Нрк. полупроводниковая структура): Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре. | de |  halbleiterbauelement |
| en | beam lead semiconductor device |
| fr | dispositif semiconducteur sans boitier |
124 контактная площадка (полупроводникового прибора): Металлизированный участок на подложке, кристалле или корпусе полупроводникового прибора, служащий для присоединения выводов компонентов и кристаллов, перемычек, а также для контроля его электрических параметров и режимов. | de | Boudstelle |
| en | bond pad |
| fr | plot de soudure |
Алфавитный указатель терминов на русском языке
|
|
блок выпрямительный | 13 |
блок выпрямительный полупроводниковый | 13 |
блок полупроводниковый | 3 |
варактор | 21 |
|
|
варикап | 20 |
вывод | 114 |
вывод диода анодный | 117 |
вывод диода катодный | 116 |
вывод полупроводникового прибора основной | 115 |
вывод прибора полупроводникового | 114 |
вывод тиристора анодный | 117 |
вывод тиристора катодный | 116 |
вывод тиристора управляющий | 118 |
детектор фотоэлектрический | 90 |
детектор фотоэлектрический полупроводниковый | 90 |
диак | 66 |
динистор | 63 |
диод | 6 |
диод быстровосстанавливающий | 34 |
диод выпрямительный | 9 |
диод выпрямительный полупроводниковый | 9 |
диод Ганна | 33 |
диод генераторный | 16 |
диод генераторный полупроводниковый | 16 |
диод детекторный | 8 |
диод детекторный полупроводниковый | 8 |
диод Зенеровский | 39 |
диод импульсный | 17 |
диод импульсный полупроводниковый | 17 |
диод инжекционно-пролетный | 31 |
диод инфракрасный излучающий | 85 |
диод коммутационный | 18 |
диод коммутационный полупроводниковый | 18 |
диод лавинно-пролетный | 30 |
диод лавинный выпрямительный | 10 |
диод лазерный | 87 |
диод модуляторный | 35 |
диод обратный | 36 |
диод обращенный | 24 |
диод параметрический | 21 |
диод параметрический полупроводниковый | 21 |
диод переключательный | 26 |
диод плоскостной | 28 |
диод полупроводниковый | 6 |
диод полупроводниковый выпрямительный с контролируемым лавинным пробоем | 11 |
диод с накоплением заряда | 29 |
диод сверхвысокочастотный полупроводниковый | 25 |
диод светоизлучающий | 83 |
диод СВЧ ограничительный | 37 |
диод СВЧ переключательный | 38 |
диод сигнальный | 32 |
диод смесительный | 7 |
диод точечно-контактный | 27 |
диод точечный | 27 |
диод туннельный | 23 |
диод умножительный | 15 |
диод Шоттки | 19 |
диод шумовой | 22 |
дисплей оптоэлектронный | 80 |
зонд Холла | 109 |
излучатель | 79 |
излучатель полупроводниковый | 79 |
ИК-диод | 85 |
индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый | 81 |
индикатор полупроводниковый | 81 |
корпус | 122 |
корпус прибора полупроводникового | 122 |
кристалл | 121 |
лазер полупроводниковый | 86 |
магниторезистор | 110 |
МДП-транзистор | 55 |
модуль лазерно-диодный | 88 |
МОП-транзистор | 54 |
набор приборов полупроводниковых | 4 |
ограничитель напряжения | 14 |
ограничитель напряжения полупроводниковый | 14 |
оптопара | 98 |
оптопара диодная | 100 |
оптопара дифференциальная диодная | 101 |
оптопара резисторная | 99 |
оптопара тиристорная | 103 |
оптопара транзисторная | 102 |
оптопреобразователь | 104 |
пластина | 120 |
площадка контактная | 124 |
площадка прибора полупроводникового контактная | 124 |
подложка | 119 |
позистор | 112 |
ПОН | 14 |
преобразователь Холла | 106 |
преобразователь Холла измерительный | 107 |
преобразователь Холла индикаторный | 108 |
прибор бескорпусной полупроводниковый | 123 |
прибор дискретный | 5 |
прибор дискретный полупроводниковый | 5 |
прибор мощный полупроводниковый | 2 |
прибор на эффекте Холла | 105 |
прибор оптоэлектронный полупроводниковый | 78 |
прибор полупроводниковый | 1 |
прибор фоточувствительный полупроводниковый | 89 |
приемник излучения | 82 |
приемник излучения полупроводниковый | 82 |
регулятор напряжения диодный | 40 |
СВЧ-диод | 25 |
СИД | 83 |
стабилитрон | 39 |
стабилитрон полупроводниковый | 39 |
столб выпрямительный | 12 |
столб полупроводниковый выпрямительный | 12 |
структура полупроводниковая | 123 |
термистор | 113 |
терморезистор | 111 |
тиристор | 62 |
тиристор диодный | 63 |
тиристор запираемый | 71 |
тиристор импульсный | 77 |
тиристор комбинированно-выключаемый | 76 |
тиристор лавинный | 74 |
тиристор несимметричный | 75 |
тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа | 73 |
тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа | 72 |
тиристор симметричный триодный | 70 |
тиристор симметричный диодный | 66 |
тиристор триодный | 67 |
тиристор, не проводящий в обратном направлении диодный | 64 |
тиристор, не проводящий в обратном направлении лавинный триодный | 74 |
тиристор, не проводящий в обратном направлении триодный | 68 |
тиристор, проводящий в обратном направлении диодный | 65 |
тиристор, проводящий в обратном направлении триодный | 69 |
транзистор | 41 |
транзистор IGBT | 47 |
транзистор N-канальный полевой | 52 |
транзистор P-канальный полевой | 53 |
транзистор бездрейфовый | 43 |
транзистор БИМОП | 47 |
транзистор биполярный | 42 |
транзистор дрейфовый | 44 |
транзистор канальный | 49 |
транзистор лавинный | 46 |
транзистор обедненного типа полевой | 57 |
транзистор обогащенного типа полевой | 58 |
транзистор переключательный биполярный | 60 |
транзистор переключательный полевой | 60 |
транзистор плоскостной | 45 |
транзистор полевой | 49 |
транзистор с барьером Шоттки полевой | 56 |
транзистор с изолированным затвором биполярный | 47 |
транзистор с изолированным затвором полевой | 51 |
транзистор с управляющим p-n переходом полевой | 50 |
транзистор симметричный биполярный | 59 |
транзистор симметричный полевой | 59 |
транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник полевой | 55 |
транзистор тетродный | 61 |
транзистор типа металл-оксид-полупроводник полевой | 54 |
транзистор униполярный | 48 |
триак | 70 |
тринистор | 67 |
фотодиод | 92 |
фотодиод лавинный | 93 |
фоторезистор | 91 |
фототиристор | 95 |
фототранзистор | 94 |
экран полупроводниковый | 84 |
ячейка фотовольтовая | 97 |
ячейка фотопроводящая | 96 |
Алфавитный указатель терминов на немецком языке
|
|
anodenseitig steuerbarer thyristor | 73 |
anschluss | 114 |
anschluss-punkt | 114 |
asymmetrischer thyristor | 75 |
ausschaltthyristor | 71 |
BARITT-diode | 31 |
begrenzerdiode | 14 |
bidirektionaler transistor | 59 |
bipolarer transistor | 42 |
bipolartransistor gatedielektrikum | 47 |
Boudstelle | 124 |
chip | 121 |
der strahlung optokoppler | 82 |
der hall-sonde | 109 |
detektordiode | 8 |
diac | 66 |
differenz diode optokoppler | 101 |
diffusiontransistor | 43 |
diode | 6 |
diode optokoppler | 100 |
diskretes halbleiterbauelement | 5 |
doppeltgerichtete thyristordiode | 66 |
drifttransistor | 44 |
feldeffekt bipolarertransistor | 60 |
feldeffekt schalttransistor | 60 |
feldeffekttransistor | 49 |
feldeffekttransistor mit metall-halbleiter | 55 |
feldeffekttransistor mit metalloxid-halbleiter | 54 |
feldeffekttransistor mit SCHOTTKY-barriere | 56 |
feldeffekttransistor vom anreicherungstyp | 58 |
feldeffekttransistor vom verarmungstyp | 57 |
| 45 |
frequenzvervielfacherdiode | 15 |
| 122 |
 halbleiterbauelement | 123 |
gemischte-ausschalten thyristor | 76 |
gespeicherte ladung diode | 29 |
gleichrichter block | 13 |
gleichrichter halbleiter block | 13 |
GTO-thyristor | 71 |
Gunn diode | 33 |
halbeitererschaltdiode | 26 |
 | 28 |
halbeiter-gleichrichterbaugruppe | 12 |
halbeiterspitzediode | 27 |
halbeiter-Z-diode | 39 |
halbleiter-analoge anzeige | 84 |
halbleiterbauelement | 1 |
halbleiter-detektordiode | 8 |
halbleiterdiode | 6 |
halbleiter-einheit | 3 |
halbleiter-gleichrichter diode | 9 |
halbleiter-gleichter diode mit kontrollierbare avalanchedurchbruch | 11 |
halbleiterimpulsdiode | 17 |
halbleiter-laser | 86 |
halbleitermodulatordiode | 35 |
halbleiter-power- | 2 |
halbleiterstrahler | 79 |
halbleiter-zeichen-display | 81 |
Hall anzeigetnansducer | 108 |
Hall transducer | 107 |
halleffekt-bauelement | 105 |
Hall-sensor | 106 |
hauptanschluss | 115 |
hochwiederkehiend diode | 34 |
IGFET | 51 |
impuls thyristor | 77 |
infrarotemittierende diode | 85 |
IRED | 85 |
isolierschicht-feldeffekt-transistor | 51 |
| 20 |
| 20 |
kathodenseitig steuerbarer thyristor | 72 |
laser-dioden modul | 88 |
lawine reverse | 74 |
lawinen gleichrichter diode | 10 |
lawinenlaufzeitdiode | 30 |
lawinen-photodiode | 93 |
lawinentransistor | 46 |
lazerdiode | 87 |
LED | 83 |
lichtemittierende diode | 83 |
lichtempfindliche halbleiterdiode | 89 |
magnetowiderstand | 110 |
mikrowelle begrenzung diode | 37 |
mikrowelle schaltdioden | 38 |
mischerdiode | 7 |
N-kanal-feldeffekttranssistor | 52 |
optische wandler | 104 |
optoelektronische displays | 80 |
optoelektronisches halbleiterbauelement | 78 |
optokoppler | 98 |
parametrischer halbleiterdiode | 21 |
photodiode | 92 |
photoelektrischer  | 90 |
photoelement | 97 |
 halbleiterzelle | 91 |
zelle | 96 |
photothyristor | 95 |
phototransistor | 94 |
photovoltaische zelle | 97 |
photowiderstand | 91 |
P-kanal-feldeffekttranssistor | 53 |
posister | 112 |
produzent halbleiterdiode | 16 |
diode | 36 |
leitende thyristordiode | 65 |
leitende thyristortriode | 69 |
sperrende thyristordiode | 64 |
sperrende thyristortriode | 68 |
satz von halbleiterbauelementen | 4 |
Schottky-diode | 19 |
shalten halbleiterdiode | 18 |
signal diode | 32 |
sperrschicht-feldeffekttransistor | 50 |
stichhaltiger diode | 22 |
substrat | 119 |
thermister | 113 |
thermistor | 111 |
thyristor | 62 |
thyristor dioden anodenauschluss | 117 |
thyristor dioden Katodenenanschluss | 116 |
thyristor steuerausgang | 118 |
thyristordiode | 63 |
thyristoroptokoppler | 103 |
thyristortriode | 67 |
transistor | 41 |
transistor optokoppler | 102 |
transistortetrode | 61 |
triac | 70 |
tunneldiode | 23 |
UHF-halbeiteriode | 25 |
unipolarer transistor | 48 |
unitunneldiode | 24 |
voltage-regulator diode | 40 |
wafer | 120 |
widerstandoptokoppler | 99 |
zweirichtungs-thyristor-diode | 66 |
zweirichtungs-thyristortriode | 70 |
zweirichtungstransistor | 59 |
Алфавитный указатель терминов на английском языке
|
|
anode leed of thyristor diode | 117 |
asymmetrical thyristor | 75 |
avalance photodiode | 93 |
avalance transistor | 46 |
avalanche rectifier diode | 10 |
avalanche reverse blocking triode thyristor | 74 |
backward diode | 24 |
barrier-injection and transit-time diode | 31 |
beam lead semiconductor device | 123 |
bidirectional diode thyristor | 66 |
bidirectional transistor | 59 |
bidirectional triode thyristor | 70 |
bipolar junction transistor | 42 |
bond pad | 124 |
cathode leed of thyristor diode | 116 |
chip die | 121 |
control lead of thyristor | 118 |
controlled-avalanche rectifier diode | 11 |
depletion type field-effect transistor | 57 |
detector diode | 8 |
diac | 66 |
difference diode photocoupler | 101 |
diffusion transistor | 43 |
diode | 6 |
diode photocoupler | 100 |
diode thyristor | 63 |
discrete device | 5 |
discrete semiconductor device | 5 |
drift transistor | 44 |
enhancement type field-effect transistor | 58 |
fast-recovery diode | 34 |
field-effect bipolar switching transistor | 60 |
field-effect switching transistor | 60 |
field-effect transistor | 49 |
field-effect transistor with Schottky barrier | 56 |
frequency-multiplication diode | 15 |
gating diode | 26 |
generation diode | 16 |
generation semiconductor diode | 16 |
Gunn diode | 33 |
hall effect device | 105 |
Hall effect indicator | 108 |
Hall effect sensor | 106 |
Hall probe | 107 |
hall probe | 109 |
impact avalanche-transit time diode | 30 |
infrared-emitting diode | 85 |
insulated-gate bipolar transistor | 47 |
insulated-gate field-effect transistor | 51 |
junction diode | 28 |
junction transistor | 45 |
junction-gate field-effect transistor | 50 |
laser diode | 87 |
laser-diode module | 88 |
LED | 83 |
light-emitting diode | 83 |
limiting diode | 14 |
magnetoresistor | 110 |
main terminal | 115 |
metal-oxide-semiconductor field effect transistor | 54 |
microwave diode | 25 |
microwave limiting diode | 37 |
microwave switching diode | 38 |
MIS-transistor | 55 |
mixed-off thyristor | 76 |
mixer diode | 7 |
modulator diode | 35 |
N-channel field-effect transistor | 52 |
N-gate thyristor | 73 |
noise diode | 22 |
optoconverter | 104 |
optocoupler | 98 |
optoelectronic device | 78 |
optoelectronic display | 80 |
package | 122 |
parametric diode | 21 |
parametric semiconductor diode | 21 |
P-channel field-effect transistor | 53 |
P-gate thyristor | 72 |
photoconucting cell | 96 |
photocoupler | 98 |
photodiode | 92 |
photoelectric detector | 90 |
photoresistor | 91 |
photothyristor | 95 |
phototransistor | 94 |
photovaltic cell | 97 |
point contact diode | 27 |
posistor | 112 |
pulse diode | 17 |
pulse semiconductor diode | 17 |
pulsed thyristor | 77 |
receiver radiation photocoupler | 82 |
rectifier diode | 9 |
rectifier stack | 12 |
resistive optocoupler | 99 |
reverse blocking diode thyristor | 64 |
reverse blocking triode thyristor | 68 |
reverse conducting diode thyristor | 65 |
reverse conducting triode thyristor | 69 |
reverse diode | 36 |
Schottky barrier diode | 19 |
semicondictor photocoupler radiator | 79 |
semiconductor assembly | 3 |
semiconductor assembly set | 4 |
semiconductor power device | 2 |
semiconductor analog indicator | 84 |
semiconductor character display | 81 |
semiconductor device | 1 |
semiconductor diode | 6 |
semiconductor laser | 86 |
semiconductor photoelectric detector | 90 |
semiconductor photosensitive device | 89 |
semiconductor rectifier assembly | 13 |
semiconductor rectifier diode | 9 |
semiconductor rectifier stack | 12 |
signal diode | 32 |
snap-off diode | 29 |
substrate | 119 |
switching diode | 18 |
switching semiconductor diode | 18 |
terminal | 114 |
terminal of a semiconductor device | 114 |
tetrode transistor | 61 |
thermistor | 111 |
thermistor | 113 |
thyristor | 62 |
thyristor optocoupler | 103 |
transistor | 41 |
transistoroptocoupler | 102 |
triac | 70 |
triode thyristor | 67 |
tunnel diode | 23 |
turn-off thyristor | 71 |
unipolar transistor | 48 |
unitunnel diode | 24 |
variable-capacitance diode | 20 |
voltage reference diode | 39 |
voltage-regulator diode | 40 |
wafer | 120 |
Алфавитный указатель терминов на французском языке
|
|
assemblage de redressement | 13 |
assemblage de redressement semiconducteurs | 13 |
bipolaire | 47 |
bloc de redressement | 12 |
bloc de redressement semiconducteur | 12 |
bloc de semiconducteur | 3 |
| 122 |
borne | 114 |
borne anodique de thyristor | 117 |
borne cathodique de thyristor | 116 |
borne commande de thyristor | 118 |
borne d’un dispositif semiconducteurs | 114 |
borne | 115 |
cellule effet | 97 |
cellule photoconducteur | 96 |
commutation diode | 18 |
commutation diode semiconducteurs | 18 |
DEL | 83 |
diac | 66 |
diode | 6 |
diode avalanche temps de transit | 30 |
diode  Schottky | 19 |
diode variable | 20 |
diode jonction | 28 |
diode pointe | 27 |
diode  rapide rapide | 34 |
diode semiconducteurs | 6 |
diode bruit | 22 |
diode charge | 29 |
diode d’impulsion | 17 |
diode de commutation | 26 |
diode de limitation | 14 |
diode de redressement | 9 |
diode de redressement avalanche | 10 |
diode de redressement semiconducteurs | 9 |
diode de redressement semiconducteurs de rupture en avalanche controlee | 11 |
diode de redressement de rupture en avalanche controlee | 11 |
diode de tension de | 39 |
diode | 8 |
diode  | 83 |
diode en | 25 |
diode f temps de transit | 31 |
diode Gunn | 33 |
diode infrarouge | 85 |
diode | 24 |
diode laser | 87 |
diode | 7 |
diode modulatrice | 35 |
diode pour multiplication de | 15 |
diode Schottky | 19 |
diode tunnel | 23 |
discret dispositif semiconducteurs | 5 |
dispositif effet hall | 105 |
dispositif semiconducteurs | 1 |
dispositif | 78 |
dispositif semiconducteur sans boitier | 123 |
frigistance | 112 |
inverse diode | 36 |
la tension diode | 40 |
laser diode module | 88 |
laser semiconducteurs | 86 |
le radiation optocoupler | 82 |
 | 110 |
micro-ondes diode de commutation | 38 |
micro-ondes diode limiteuse | 37 |
optoconvertisseur | 104 |
optocoupleur | 98 |
optocoupleur diode | 100 |
optocoupleur diode | 101 |
optocoupleur | 99 |
optocoupleur thyristor | 103 |
optocoupleur transistor | 102 |
 diode | 21 |
diode semiconducteurs | 21 |
pastille | 121 |
photocoupleur | 98 |
photodiode | 92 |
photodiode avalanche | 93 |
 affichage | 80 |
| 91 |
photosensible appareil emiconducteurs | 89 |
photothyristor | 95 |
phototransistor | 94 |
plaquette | 120 |
plot de soudure | 124 |
producteur diode | 16 |
producteur diode semiconducteurs | 16 |
puce | 121 |
radiator semiconducteurs | 79 |
| 90 |
semiconducteur | 90 |
semiconducteurs analogiques en dicator | 84 |
semiconducteurs d’alimentation de l’appareil | 2 |
semiconducteurs de d’affichage | 81 |
de dispositifs semiconducteurs | 4 |
signal diode | 32 |
sonde effet hall | 109 |
substrat | 119 |
thermistance | 111 |
thermistance | 113 |
thyristor | 62 |
thyristor  | 75 |
thyristor blocable | 71 |
thyristor diode | 63 |
thyristor diode bidirectionnel | 66 |
thyristor diode en inverse | 64 |
thyristor diode paasant en inverse | 65 |
thyristor mixte-  | 76 |
thyristor N | 73 |
thyristor P | 72 |
thyristor signal | 77 |
thyristor triode | 67 |
thyristor triode avalanche en inverse | 74 |
thyristor triode bidirectionnel | 70 |
thyristor triode en inverse | 68 |
thyristor triode passant en inverse | 69 |
transducteur effet Hall | 106 |
transducteur de mesure effet Hall | 107 |
transducteur de mesure effet Hall | 108 |
transistor | 41 |
transistor avalanche | 46 |
transistor commutation effet de champ | 60 |
transistor commutation bipolaire | 60 |
transistor diffusion | 43 |
transistor effet de champ | 49 |
transistor effet de champ de Schottky | 56 |
transistor effet de champ appauvrissement | 57 |
transistor effet de champ canal N | 52 |
transistor effet de champ canal P | 53 |
transistor effet de champ enrichissement | 58 |
transistor effet de champ grille | 51 |
transistor effet de champ junction de grille | 50 |
transistor effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs | 54 |
transistor effet de champ metal-semiconducteurs | 55 |
transistor jonctions | 45 |
transistor bidirectionnel | 59 |
transistor bipolaire | 42 |
transistor en | 44 |
transistor | 61 |
transistor unipolaire | 48 |
triac | 70 |
wafer | 120 |
Приложение А
(справочное)
Термины и определения общетехнических понятий
Физические элементы полупроводниковых приборов
|
|
|
1 электрический переход: Переходный слой в полупроводнике между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями электрической проводимости. | de |  |
Примечание - Одна из областей может быть металлом.
| en | junction |
| fr | jonction |
2 p-n переход (Нрк. электронно-дырочный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника (или металла и полупроводника), одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая p-типа. | de | PN- |
| en | PN junction |
| fr | jonction PN |
3 прямое направление (для p-n перехода): Направление тока, в котором p-n переход имеет наименьшее сопротивление. | de |  eines PN-  ; |
| en | forward direction of a PN junction; forward direction |
| fr | sens direct d’une jonction PN; sens direct |
4 обратное направление (для p-n перехода): Направление тока, в котором p-n переход имеет наибольшее сопротивление. | de |  eines PN- ; |
| en | reverse direction of a PN junction; reverse direction |
| fr | sens inverse d’une jonction PN; sens inverse |
5 n-n  переход (Нрк. электронно-электронный переход ): Электрический переход между двумя областями полупроводника n-типа, обладающими различными значениями электрической проводимости. | de |  |
| en |  junction |
| fr | jonction |
6 p-p переход (Нрк. дырочно-дырочный переход ): Электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями электрической проводимости. | de |  |
Примечание к терминам 5 и 6 - Знак "+" условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью. | en |  junction |
| fr | jonction |
7 резкий переход: P-n переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда. | de | abrupter |
Примечание - Толщиной области считают ее размер в направлении градиента концентрации примеси. | en | abrupt junction |
| fr | jonction abrupte |
8 плавный переход: P-n переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда. | de |   |
| en | progressive junction |
| fr | jonction progressive |
9 плоскостной переход: P-n переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины. | de | halbleiter-gleichrichter diode |
| en | rectifier diode |
| fr | diode de redressement |
10 точечный переход: P-n переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях. | de |  |
Примечание - Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, диффузионная длина и т.д. | en | point-contact junction |
| fr | jonction ponctuelle |
11 диффузионный переход: P-n переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике. | de | diffundierter |
| en | diffused junction |
| fr | jonction par diffusion |
12 планарный переход: P-n переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь открытую область в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника. | de |  |
| en | planar junction |
| fr | jonction planar |
13 конверсионный переход: P-n переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область или активацией атомов примеси. | de |  |
| en | conversion junction |
| fr | jonction de conversion |
14 сплавной переход (Нрк. вплавной переход): P-n переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси. | de | legierter |
| en | alloyed junction |
| fr | jonction par alliage |
15 микросплавной переход (Нрк. микровплавной переход): Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника. | de | mikrolegieiter |
| en | microalloy junction |
| fr | microjonction par alliage |
16 выращенный переход (Нрк. тянутый переход): P-n переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава. | de | gezogener |
| en | grown junction |
| fr | jonction par tirage |
17 эпитаксиальный переход: P-n переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. | de |  |
Примечание - Эпитаксиальное наращивание - создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки. | en | epitaxial junction |
| fr | jonction  |
18 гетерогенный переход; гетеропереход: Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. | de |  |
| en | heterogeneous junction |
| fr | jonction  ;  |
19 гомогенный переход; гомопереход: Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны. | de |  |
| en | homogeneous junction |
| fr | jonction  |
20 переход Шоттки: P-n переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником. | de | Schottky- |
| en | Schottky junction |
| fr | Schottky jonction |
21 выпрямляющий переход: P-n переход, электрическое сопротивление которого при прямом направлении тока значительно больше, чем при обратном. | de | gleichrichtender |
| en | rectifying junction |
| fr | jonction  |
22 эмиттерный переход: P-n переход между областями эмиттера и базы транзистора. | de |  ; emitter-basis-  |
| en | emitter junction |
| fr | jonction  |
23 коллекторный переход: P-n переход между базой и коллектором транзистора. | de |  ; kollektor-basis- collector junction |
| en | jonction collecteur |
24 полупроводник: Материал, величина электропроводности которого, обусловленная носителями заряда обоих знаков, обычно находится в диапазоне между электропроводностью металлов и изоляторов, а концентрация носителей заряда может изменяться под воздействием внешних факторов. | de | halbleiter |
| en | semiconductor |
| fr | semiconducteur |
25 полупроводник n-типа: Полупроводник с преобладающей электропроводностью n-типа. | de | N-halbleiter |
| en | N-type semiconductor |
| fr | semiconducteur type N |
26 полупроводник p-типа: Полупроводник с преобладающей электропроводностью p-типа. | de | P-halbleiter |
| en | P-type semiconductor |
| fr | semiconducteur type P |
27 база (Нрк. базовая область): Область транзистора между эмиттерным и коллекторным переходами. | de | basis; basiszone |
| en | base |
| fr | base |
28 эмиттер (Нрк. эмиттерная область): Область транзистора между эмиттерным переходом и эмиттерным электродом. | de | emitter; emitterzone |
| en | emitter |
| fr | |
29 коллектор (Нрк. коллекторная область): Область транзистора между коллекторным переходом и коллекторным электродом. | de | kollektor; kollektorzone |
| en | collector |
| fr | collecteur |
30 активная часть базы: Часть базы биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу. | de | Aktivteil der Basis |
| en | active part of the base |
| fr | partie de base actif |
31 пассивная часть базы: Часть базы биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время больше, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу. | de | Passivteil der Basis |
| en | passive part of the base |
| fr | partie de base passif |
32 канал (полевого транзистора): Область полевого транзистора, в которой происходит перенос основных носителей заряда. | de | kanal еines feldeffekttransistors; kanal |
Примечания
1 Данное понятие не следует смешивать с "каналом утечки", возникающим в месте выхода p-n перехода на поверхность кристалла. | en | channel of a field-effect transistor; channel |
2 Канал может быть n или p-типа, в зависимости от типа электропроводности полупроводника.
| fr | canal d’un transistor  effet de champ; canal |
33 исток (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, через который в канал втекают носители заряда. | de | source еines feldeffekttransistors; source |
| en | source of a field-effect transistor; source |
| fr | source d’un transistor effet de champ; source |
34 сток (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, через который из канала вытекают носители заряда. | de | drain еines feldeffekttransistors; drain |
| en | drain of a field-effect transistor; drain |
| fr | drain d’un transistor effet de champ; drain |
35 затвор (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал. | de | gate eines feldeffekttransistors; gate |
| en | gate of a field-effect transistor; gate |
| fr | grille d’un transistor effet de champ; grille |
36 структура (полупроводникового прибора): Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника с различными типами электропроводности или значениями электрической проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором его функций. | de | Aufbau der Halbleiterbauelement |
Примечания
1 Примеры структур полупроводниковых приборов: p-n; n-p-n; p-n-p; p-i-n; p-n-p-n и др.
| en | structure of a semiconductor device; structure |
2 В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик.
| fr | structure de dispositif semiconducteur |
37 структура металл-диэлектрик-полупроводник; структура МДП: Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника. | de | Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur; MIH-Struktur |
| en | metal-insulator-semiconductor structure; |
| fr | MIH structure; structure metal- -semiconducteur |
38 структура металл-окисел-полупроводник; структура МОП: Структура, состоящая из последовательного сочетания металла и окисла (на поверхности полупроводника), и полупроводника. | de | Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur; MOH-Struktur |
| en | metal-oxide-semiconductor structure; MOS structure; |
| fr | structure metal-oxyde-semiconducteur; MOS |
39 мезаструктура: Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника, либо наращиванием полупроводникового материала. | de | Mesastruktur |
| en | mesastructure |
| fr | structure  |
40 обедненный слой: Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентраций ионизованных доноров и акцепторов. | de | verarmungsschicht |
| en | depletion layer |
| fr | couche d’appauvrisse-ment; couche de 
|
41 запирающий слой (Нрк. запорный слой): Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом. | de | Sperrschlicht |
| en | barrier layer |
| fr | couche  |
42 обогащенный слой: Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентраций ионизованных доноров и акцепторов. | de | Anreicherungsschlicht |
| en | enriched layer |
| fr | couche enrichie |
43 инверсный слой: Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактной разности потенциалов. | de | Inversionsschlicht |
| en | Inversion layer |
| fr | couche d’inversion |
Явления в полупроводниковых приборах
|
|
|
44 пробой p-n перехода: Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости p-n перехода при достижении обратным напряжением или током критического значения для данного полупроводникового прибора.
Примечание - Необратимые изменения в p-n переходе не являются необходимым следствием пробоя. | de | durchbruch eines PN- ; durchbruch |
| en | breakdown of a PN junction; breakdown |
| fr | claquage d’une jonction PN; claquage |
45 электрический пробой p-n перехода: Пробой p-n перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или их переносом под действием приложенного напряжения. | de | elektrischer Durchbruch eines PN- ; elektrischer Durchbruch |
| en | p-n junction electrical breakdown |
| fr | claquage d’une jonction PN; claquage |
46 лавинный пробой p-n перехода: Электрический пробой p-n перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда в запрещенной зоне p-n перехода (запирающем слое) под действием электрического поля. | de | lawinendurchbruch eines PN- ; lawinendurchbruch |
| en | avalanche breakdown of a PN junction; avalanche breakdown |
| fr | claquage par avalanche d’une jonction PN; claquage par avalanche |
47 туннельный пробой p-n перехода: Электрический пробой p-n перехода, вызванный переносом носителей заряда. | de | zener-durchbruch eines PN- ; zener-durchbruch |
| en | zener breakdown of a PN junction; zener breakdown |
| fr | claquage par effet zener d’une jonction PN; claquage par effet zener |
48 тепловой пробой p-n перехода: Пробой p-n перехода, вызванный резким ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в p-n переходе и отводимым от него теплом. | de | thermischer durchbruch eines PN- ; thermischer durchbruch |
| en | thermal breakdown of a PN junction; thermal breakdown |
| fr | claquage par effet thermique d’une jonction PN; claquage par effet thermique |
49 модуляция толщины базы: Изменение толщины базы, вызванное изменением толщины запирающего слоя при неоднократном во времени изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу. | de | Modulation der Basisdicke |
| en | base thickness modulation |
| fr | effet Early |
50 эффект смыкания (Нрк. прокол базы): Смыкание обедненного слоя коллекторного перехода с обедненным слоем эмиттерного перехода в результате расширения слоя коллекторного перехода на всю толщину базы. | de | durchgriff |
| en | punch-through |
| fr |  |
51 накопление (неравновесных носителей) заряда в базе: Увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда. | de |  speicherung der Basis |
| en | nonequilibrium charge carrier storage in the base |
| fr | accumulation (de porteur d’exces) dans la base |
52 рассасывание (неравновесных носителей) заряда в базе: Уменьшение концентрации и величин зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации. | de |   der Basis der Basis |
| en | nonequilibrium charge carrier resorption in the base |
| fr |  (de porteur d’exces) dans la base |
53 закрытое состояние тиристора: Состояние тиристора, соответствующее участку прямой ветви вольт-амперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения. | de |  -sperrzustand eines thyristors |
| en | off-state of a thyristor |
| fr |  de thyristor |
54 открытое состояние тиристора: Состояние тиристора, соответствующее низковольтному и низкоомному участкам прямой ветви вольт-амперной характеристики. | de | durchlasszustand eines thyristors |
| en | on-state of a thyristor |
| fr |  passant de thyristor |
55 непроводящее состояние тиристора в обратном направлении: Состояние тиристора, соответствующее участку вольт-амперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя. | de | sperrzustand eines thyristors |
| en | reverse blocking state of a thyristor |
| fr | en inverse de thyristor |
56 переключение тиристора: Переход тиристора из закрытого состояния в открытое, вызванный воздействием электрических сигналов между его анодным и катодным выводами при отсутствии сигнала в цепи управляющего вывода. | de | Thyristorunchaltung |
| en | thyristor switching |
| fr | commutation de thyristor |
57 включение тиристора: Переход тиристора из закрытого состояния в открытое при подаче сигнала управления. | de | Thyristorchaltung |
| en | turn-on of a thyristor |
| fr | enclenchement de thyristor |
58 выключение тиристора: Переход тиристора из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения и (или) изменении сигнала управления. | de | Thyristorausschalten |
| en | turn-off of a thyristor |
| fr |  de thyristor |
59 эффект Холла: Создание в проводнике или полупроводнике электрического поля, пропорционального векторному произведению плотности тока на магнитную индукцию. | de | halleeffekt |
| en | hall effect |
| fr | effet hall |
|
|
УДК 001.4:621.382:006.354 | ОКС 01.040.31, 31.080 |
Ключевые слова: полупроводниковые приборы, термины, определения | |