Главная/Нормы и стандарты/ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения (с Изменениями N 1, 2, 3, 4).

ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения (с Изменениями N 1, 2, 3, 4).

ГОСТ 15133-77

Группа Э00

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины и определения

Semiconductor devices. Terms and definitions

МКС 01.040.31

31.080

ОКСТУ 6201

Дата введения 1978-07-01

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27.04.77 N 1061

2. Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767-85, за исключением терминов, указанных в приложении

3. ВЗАМЕН ГОСТ 15133-69

4. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ


Обозначение НТД, на который дана ссылка	Номер пункта, подпункта
ГОСТ 21934-83	Табл.1, п.п.127а, 127б, 127в
ГОСТ 25066-91	Табл.1, п.120а

5. ИЗДАНИЕ с Изменениями N 1, 2, 3, 4, утвержденными в июне 1980 г., июне 1982 г., октябре 1986 г., июне 1988 г. (ИУС 9-80, 10-82, 1-87, 10-88)

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.

Степень соответствия настоящего стандарта СТ СЭВ 2767-85 приведена в приложении.

1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл.1.

2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов - синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл.1 в качестве справочных и обозначены пометой "Ндп".

2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

2.2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

2.3. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл.2-5.

4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.

(Измененная редакция, Изм. N 4).

Таблица 1


Термин	Определение
ФИЗИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
1. Электрический переход Переход D. Elektrischer (Sperrschicht) E. Junction F. Jonction	Переходный слой в полупроводнике материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости. Примечание. Одна из областей может быть металлом
2. Электронно-дырочный переход переход D. E. P-N junction F. Jonction P-N	Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность -типа, а другая -типа
3. Электронно-электронный переход переход D. E. N-N junction F. Jonction N-N	Электрический переход между двумя областями полупроводника -типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости
4. Дырочно-дырочный переход переход D. E. P-P junction F. Jonction P-P	Электрический переход между двумя областями полупроводника -типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости. Примечание. В терминах 3 и 4 "+" условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью
5. Резкий переход D. Steiler E. Abrupt junction F. Jonction abrupte	Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда. Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси
6. Плавный переход D. Stetiger E. Graded junction F. Jonction graduelle	Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда
7. Плоскостной переход D. E. Surface junction F. Jonction de par surface	Электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины
8. Точечный переход D. E. Point-contact junction F. Jonction pointe	Электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях. Примечание. Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, диффузионная длина и т.д.
9. Диффузионный переход D. Diffundierter E. Diffused junction F. Jonction diffusion	Электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике
10. Планарный переход D. E. Planar junction F. Jonction planar	Диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника
11. Конверсионный переход D. E. Conversion junction F. Jonction de conversion	Электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси
12. Сплавной переход Ндп. Вплавной переход D. Legierter E. Alloyed junction F. Jonction	Электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси
13. Микросплавной переход Ндп. Микровплавной переход D. Mikrolegierter E. Micro-alloy junction F. Jonction	Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника
14. Выращенный переход Ндп. Тянутый переход D. Gezogener Е. Grown junction F. Jonction de croissance	Электрический переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава
15. Эпитаксиальный переход D. E. Epitaxial junction F. Jonction	Электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. Примечание. Эпитаксиальное наращивание - создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки
16. Гетерогенный переход Гетеропереход D. E. Heterogenous junction F. Jonction	Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны
17. Гомогенный переход Гомопереход D. Homogener E. Homogenous junction F. Jonction	Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны
18. Переход Шоттки D. E. Schottky junction F. Jonction Schottky	Электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником
19. Выпрямляющий переход D. E. Rectifying junction F. Jonction redresseuse	Электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом
20. Омический переход Ндп. Линейный контакт D. Ohmischer Е. Ohmic junction F. Jonction ohmique	Электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов
21. Эмиттерный переход D. E. Emitter junction F. Jonction	Электрический переход между эмиттерной (27)* и базовой (26) областями полупроводникового прибора (62)
________________ * Числа в скобках обозначают порядковый номер терминов, помещенных в настоящем стандарте.
22. Коллекторный переход D. E. Collector junction F. Jonction collecteur	Электрический переход между базовой (26) и коллекторной (28) областями полупроводникового прибора (62)
23. Дырочная область -область D. Defektelektronengebiet E. P-region F.	Область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью
24. Электронная область -область D. Elektronengebiet E. N-region F.	Область в полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью
25. Область собственной электропроводности -область Ндп. Собственная область D. Eigenleitungsgebiet Е. Intrinsic region F.	Область в полупроводнике, обладающая свойствами собственного полупроводника
26. Базовая область База D. Basisgebiet Е. Base region F. de base	Область полупроводникового прибора (62), в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда
27. Эмиттерная область Эмиттер D. Emittergebiet E. Emitter region F. d’emitteur	Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область
28. Коллекторная область Коллектор D. Kollektorgebiet E. Collector region F. de collecteur	Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является экстракция носителей из базовой области
29. Активная часть базовой области D. Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors E. Active part of base region F. active de base	Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу
30. Пассивная часть базовой области D. Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors E. Passive part of base region F. passive de base	Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу
31. Проводящий канал D. Kanal E. Channel F. Canal	Область полевого транзистора, в которой регулируется поток носителей заряда. Примечания: 1. Данное понятие не следует смешивать с "каналом утечки", возникающим в месте выхода перехода на поверхность кристалла. 2. Проводящий канал может быть или -типа в зависимости от типа электропроводности полупроводника
32. Исток D. Source (Quelle) E. Source F. Source	Электрод полевого транзистора (100), через который в проводящий канал втекают носители заряда
33. Сток D. Drain (Senke) S. Drain F. Drain	Электрод полевого транзистора (100), через который из проводящего канала вытекают носители заряда
34. Затвор D. Gate (Tor) E. Gate F. Grille	Электрод полевого транзистора (100), на который подается электрический сигнал
35. Структура полупроводникового прибора Структура D. Struktur eines Halbleiterbauelementes E. Structure F. Structure	Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором (62) его функций. Примечания : 1. Примеры структур полупроводниковых приборов: ; ; ; и др. 2. В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик
36. Структура металл-диэлектрик-полупроводник Структура МДП D. Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MIS-Struktur) F. MIS-structure F. Structure-MIS	Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника
37. Структура металл-окисел-полупроводник Структура МОП D. Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (HOS-Struktur) Е. MOS-structure F. Structure-MOS	Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника и полупроводника
38. Мезаструктура D. Mesastruktur E. Mesa-structure F.	Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника либо наращиванием
39. Обедненный слой D. Verarmungsschicht E. Depletion layer F. Couche de	Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов
40. Запирающий слой Ндп. Запорный слой D. Sperrschicht Е. Barrier region (layer) F.	Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом
41. Обогащенный слой D. Anreicherungsschicht E. Enriched layer F. Couche enrichie	Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов
42. Инверсный слой D. Inversionsschicht E. Inversion layer F. Couche d’inversion	Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов
ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ
43. Прямое направление для перехода D. Durchlassrichtung des E. Forward direction (of a P-N junction) F. Sens direct (d’une jonction P-N)	Направление постоянного тока, в котором переход имеет наименьшее сопротивление
44. Обратное направление для перехода D. Sperrichtung des E. Reverse direction (of a P-N junction) F. Sens inverse (d’une jounction P-N)	Направление постоянного тока, в котором переход имеет наибольшее сопротивление
45. Пробой перехода D. Durchbruch des E. Breakdown of a P-N junction F. Claquage (d’une jonction P-N)	Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости перехода при достижении обратным напряжением (током) критического для данного прибора значения. Примечание. Необратимые изменения в переходе не являются необходимым следствием пробоя
46. Электрический пробой перехода D. Elektrischer Durchbruch des E. P-N junction electrical breakdown F. Claquage (d’une jonction P-N)	Пробой перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом под действием приложенного напряжения
47. Лавинный пробой перехода D. Lawinendurchbruch des E. (P-N junction) avalanche breakdown F. Claquage par avalanche (d’une jonction P-N)	Электрический пробой перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля
48. Туннельный пробой перехода D.Tunneldurchbruch des E. Zenner (tunnel) breakdown F. Claquage par effet Zenner (tunnel)	Электрический пробой перехода, вызванный туннельным эффектом
49. Тепловой пробой перехода D. Thermischer Durchbruch des E. (P-N junction) thermal breakdown F. Claquage par effet thermique (d’une jonction P-N)	Пробой перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в переходе и отводимым от него теплом
50. Модуляция толщины базы D. Modulation der Basisbreite E. Base thickness modulation F. Modulation de base	Изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запирающего слоя при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу
51. Эффект смыкания Ндп. Прокол базы D. Durchgreifeffekt E. Punch-through F.	Смыкание обедненного слоя коллекторного перехода в результате его расширения на всю толщину базовой области с обедненным слоем эмиттерного перехода
52. Накопление неравновесных носителей заряда в базе Накопление заряда в базе D. Speicherung von in der Basis E. Minority carrier storage (in the base) F. Accumulation de porteurs dans la base	Увеличение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда
53. Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе Рассасывание заряда в базе D. Abbau von in der Basis E. Excess carrier resorption (in the base) F. de porteurs dans la base	Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации
54. Прямое восстановление полупроводникового диода D. Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halbleiterdiode E. Forward recovery F. Recouvrement direct	Переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление перехода полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения перехода в прямом направлении. Примечание. Под словом "быстрый" в определениях 54 и 55 понимается изменение тока или напряжения за время, сравнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса установления или восстановления сопротивления
55. Обратное восстановление полупроводникового диода D. Wiederherstellung des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode E. Reverse recovery F. Recouvrement inverse	Переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения перехода с прямого направления на обратное
56. Закрытое состояние тиристора D. Blockierzustand eines Thyristors E. Off-state of a thyristor F. Etat de thyristor	Состояние тиристора (105), соответствующее участку прямой ветви вольтамперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения
57. Открытое состояние тиристора D. Durchlasszustand eines Thyristors E. On-state of a thyristor F. Etat passant de thyristor	Состояние тиристора (105), соответствующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольт-амперной характеристики
58. Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении D. Sperrzustand eines Thyristors E. Reverse blocking state of a thyristor F. Etat dans le sens inverse de thyristor	Состояние тиристора (105), соответствующие участку вольт-амперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя
59. Переключение тиристора D. Umschalten eines Thyristors E. Switching of a thyristor F. Commutation de thyristor	Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при отсутствии тока управления на управляющем выводе
60. Включение тиристора D. eines Thyristots E. Gate triggering of a thyristor F. Amorcage de thyristor	Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при подаче тока управления
61. Выключение тиристора D. Ausschalten eines Thyristors E. Gate turning-off of a thyristor F. de thyristor	Переход тиристора (105) из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления
ВИДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
62. Полупроводниковый прибор (ПП) D. Halbleiterbauelement E. Semiconductor device F. Dispositif semiconducteurs	Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника
63. Силовой полупроводниковый прибор (СПП) D. Halbleiterleistungsbauelement E. Semiconductor power device F. Diode semiconducteurs pour forte puissance	Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств
64. Полупроводниковый блок E. Semiconductor assembly F. Assemblage semiconducteurs	Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов
65. Набор полупроводниковых приборов E. Semiconductor assembly set	Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам
66. Полупроводниковый диод Диод Ндп. Полупроводниковый вентиль D. Halbleiterdiode E. Semiconductor diode F. Diode semiconducteurs	Полупроводниковый прибор с двумя выводами и несимметричной вольтамперной характеристикой. Примечание. Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного перехода
67. Точечный диод Ндп. Точечно-контактный диод D. Halbleiterspitzendiode E. Point-contact diode F. Diode pointe	Полупроводниковый диод с точечным переходом
68. Плоскостной диод D. E. Junction diode F. Diode jonction	Полупроводниковый диод с плоскостным переходом
69. Выпрямительный полупроводниковый диод Выпрямительный диод D. Halbleitergleichrichterdiode E. Semiconductor rectifier diode F. Diode de redressement	Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока, включая монтажные и охлаждающие устройства, если он образует с ними одно целое
69а. Лавинный выпрямительный диод Е. Avalanche rectifier diode	Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики
69б. Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем Е. Controlled-avalanche rectifier diode	Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольт-амперной характеристики
70. Выпрямительный полупроводниковый столб Выпрямительный столб E. Semiconductor rectifier stack F. Bloc de redressement (a semiconducteurs)	Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода
71. Выпрямительный полупроводниковый блок Выпрямительный блок E. Semiconductor rectifier assembly F. Assemblage de redressement ( semiconducteurs)	Полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов
72. Импульсный полупроводниковый диод Импульсный диод D. Halbleiterimpulsdiode E. Signal diode F. Diode d’impulsion	Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов в импульсных режимах работы
73. Диод с накоплением заряда Е. Snap-off (step-recovery) diode	Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания
74. Туннельный диод D. Halbleitertunneldiode E. Tunnel diode F. Diode tunnel	Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости
75. Обращенный диод D. Halbleiterunitunneldiode E. Unitunnel (backward) diode F. Diode	Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны
76. Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод СВЧ-диод D. UHF-Halbleiterdiode E. Microwave diode F. Diode en	Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала
77. Лавинно-пролетный диод D. Halbleiterlawinenlaufzeitdiode E. Impact avalanche-(and-) transit time diode F. Diode avalanche temps de transit	Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний
78. Инжекционно-пролетный диод D. Halbleiterinjektionslaufzeitdiode E. Injection- (and-) transit time diode F. Diode injection temps de transit	Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний
79. Переключательный диод D. Halbleiterschaltdiode E. Switching diode F. Diode de commutation	Полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление - при обратном, предназначенный для управления уровнем мощности сигнала
80. Смесительный диод D. Halbleitermischdiode E. Semiconductor mixer diode F. Diode	Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты
81. Диод Ганна D. Gunn-Element E. Gunn diode F. Diode Gunn	Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний
82. Коммутационный полупроводниковый диод Коммутационный диод D. Halbleiter-HF-Schaltdiode	Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей
83. Регулируемый резистивный диод D. PIN-Diode E. PIN diode F. Diode PIN	Полупроводниковый диод, применяемый для регулирования сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения
84. Детекторный полупроводниковый диод Детекторный диод D. Halbleiterdemodulatordiode E. Detector diode F. Diode semiconducteurs	Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала
85. Ограничительный полупроводниковый род Ограничительный диод D. Halbleiterbegrenzerdiode E. Microwave limiting diode F. Diode de limitation de	Полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения
86. Умножительный диод D. Halbleitervervielflacherdiode E. Semiconductor frequency multiplication diode F. Diode pour multiplication de	Полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты
87. Модуляторный диод D. Halbleitermodulatordiode E. Semiconductor modulator diode F. Diode modulatrice ( semiconducteurs)	Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала
88. Диод Шоттки D. Schottky-Diode F. Schottky (-barrier) diode F. Diode de Schottky	Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника
89. Варикап D.Kapazitatsdiode E. Variable capacitance diode F. Diode capacite (varicape)	Полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью
90. Параметрический полупроводниковый диод Параметрический диод D. Halbleitervaraktordiode E. Semiconductor parametric (amplifier) diode F. Diode ( semiconducteurs)	Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях
91. Полупроводниковый стабилитрон Стабилитрон Ндп. Зенеровский диод D. Halbleiter-Z-Diode E. Voltage reference diode F. Diode de tension de	Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения
92. (Исключен, Изм. N 2).
93. Полупроводниковый шумовой диод D. Halbleiterrauschdiode E. Semiconductor noise diode F. Diode de bruit	Полупроводниковый прибор, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот
94. Биполярный транзистор Транзистор D. Bipolarer Transistor E. Bipolar transistor F. Transistor bipolaire	Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Примечание. Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей
95. Бездрейфовый транзистор Ндп. Диффузионный транзистор D. Diffusionstransistor E. Diffusion transistor F. Transistor diffusion	Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии
96. Дрейфовый транзистор D. Drifttransistor E. Drift (diffused) transistor F. Transistor en	Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа
97. Точечный транзистор Ндп.Точечно-контактный диод D. Spitzentransistor E. Point-contact transistor F. Transistor pointe	Биполярный транзистор с точечными переходами
98. Плоскостной транзистор D. E. Junction transistor F. Transistor jonction	Биполярный транзистор с плоскостными переходами
99. Лавинный транзистор D. Lawinentransistor E. Avalanche transistor F. Transistor avalanche	Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе
100. Полевой транзистор Ндп. Канальный транзистор D. Feldeffekttransistor (FET) E. Field-effect transistor F. Transistor effet de champ	Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. Примечание. Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности
101. Полевой транзистор с изолированным затвором D. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate E. Insulated-gate FET F. Transistor effet de champ	Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала
102. Полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник МДП-транзистор D. MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET) E. MIS-transistor F. Transistor-MIS	Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик
103. Полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник МОП-транзистор D. MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET) E. MOS-transistor F. Transistor-MOS	Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел
104. Симметричный транзистор D. Bidirektionaltransistor E. Bi-directional transistor F. Transistor bi-directionnel	Биполярный или полевой транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме: включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока
105. Тиристор D. Thyristor E. Thyristor F. Thyristor	Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот
106. Диодный тиристор Динистор D. Thyristordiode E. Diode thyristor F. Thyristor diode	Тиристор, имеющий два вывода
107. Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении D. sperrende Thyristordiode E. Reverse blocking diode thyristor F. Thyristor diode en inverse	Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии
108. Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении D. leitende Thyristordiode E. Reverse conducting diode thyristor F. Thyristor diode passant en inverse	Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии
109. Симметричный диодный тиристор Диак D. Zweirichtungsthyristordiode E. Bi-directional diode thyristor F. Thyristor diode bi-directionnel	Диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях
110. Триодный тиристор Тринистор D. Thyristordiode E. Triode thyristor F. Thyristor triode	Тиристор, имеющий три вывода
111. Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении D. sperrende Thyristortriode E. Reverse blocking triode thyristor F. Thyristor triode en inverse	Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии. Примечание. Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается применять термин "тиристор", если исключается возможность другого толкования
112. Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении D. leitende Thyristortriode E. Reverse conducting triode thyristor F. Thyristor triode passant en inverse	Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии
113. Симметричный триодный тиристор Триак D. Zweirichtungsthyristortriode E. Bi-directional triode thyristor; Triac F. Thyristor triode bi-directionnel	Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях
114. Запираемый тиристор D. Abschaltbarer Thyristor E. Turn-off thyristor F. Thyristor blocable	Тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности. Примечание. Отношение мощности управления к переключаемой мощности должно быть значительно меньше единицы
115. (Исключен, Изм. N 2).
116. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом -типа D. Katodenseitig gesteuerter Thyristor E. P-gate thyristor F. Thyristor P	Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала
117. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом -типа D. Anodenseiltig gesteuerter Thyristor E. N-gate thyristor F. Thyristor N	Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала
117a. Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении Лавинный тиристор Е. Avalanche reverse blocking thyristor	Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния
117б. Комбинированно-выключаемый тиристор	Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения
118. Импульсный тиристор E. Pulse thyristor F. Thyristor signal	Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы
119. Оптоэлектронный полупроводниковый прибор D. Optoelektronisches Halbleiterbauelement E. Semiconductor optoelectronic device F. Dispositif semiconducteur	Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов
120. Полупроводниковый излучатель Излучатель D. Halbleiterstrahler E. Semiconductor photoemitter F. semiconducteurs	Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения
120a. Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор Е. Semiconductor character display	По ГОСТ 25066
120б. Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного прибора Приемник излучения	Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию оптического излучения в электрическую энергию от полупроводникового излучателя и работающего в паре с ним
(Введен дополнительно, Изм. N 4).
121. Оптопара D. Optoelektronischer Koppler E. Photocoupler; Optocoupler F. Photocoupleur	Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция
121а. Резисторная оптопара	Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фоторезистора
121б. Диодная оптопара	Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фотодиода
121в. Транзисторная оптопара	Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фототранзистора
121г. Тиристорная оптопара	Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фототиристора
121д. (Исключен, Изм. N 3).
121е. Полупроводниковый излучатель, работающий с физическим приемником	-
121а-121е. (Введены дополнительно, Изм N 1).
121ж. Дифференциальная диодная оптопара	Диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излучателя
121з. Тиристорная оптопара с симметричным выходом	Тиристорная оптопара с симметричным диодным или триодным фототиристором
121ж, 121з. (Введены дополнительно, Изм N 4).
122. Светоизлучающий диод СИД D. Lichtemitterdiode (LED) E. Light-emitting diode (LED)	Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок
123, 123a. (Исключены, Изм. N 2).
124. (Исключен, Изм. N 1).
125. (Исключен, Изм. N 2).
126. Полупроводниковый экран Е. Semiconductor analog indicator	Полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных вдоль одной линии и содержащих строк светоизлучающих диодов, предназначенный для использования в устройствах отображения аналоговой и цифровой информации
127. Инфракрасный излучающий диод И-К диод D. Infrarotemitterdiode (IRED) E. Infra-red-emitting diode F. Diode emettrice en infrarouge	Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок
127a. Фотодиод D. Fotodiode E. Photodiode F. Photodiode	По ГОСТ 21934
127б. Фототранзистор D. Fototransistor E. Phototransistor F. Phototransistor	По ГОСТ 21934
127в. Фоторезистор D. Fotowiderstand E. Photoconductive cell F. Cellule photoinductive	По ГОСТ 21934
127г. Фототиристор D. Fotothyristor E. Photothyristor F. Photothyristor	Тиристор, в котором используется фотоэлектрический эффект
127д. Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала	Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации аналогового сигнала на выходе
127е. Оптоэлектронный коммутатор нагрузки	Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на выходе
127ж. Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока	Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока
127з. Оптоэлектронный коммутатор переменного тока	Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям переменного тока
127и. Оптоэлектронный переключатель логических сигналов	Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой логического ключа на выходе
127к. Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор	Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из дифференциальной оптопары или двух диодных оптопар и предназначенный для преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции
127л. Октрон	Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по открытому оптическому каналу
127м. Отражательный октрон	Октрон, в котором приемник излучения принимает световой поток, отраженный от отражательной поверхности, расположенной на определенном расстоянии от излучателя
127н. Щелевой октрон	Октрон в котором между излучателем и приемником излучения для управления световым потоком устанавливают свето-непроницаемую заслонку
127о. Волстрон	Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по протяженному оптическому каналу. Примечание. Излучатель и приемник излучения могут иметь схемы электронного обрамления
127п. Оптопреобразователь	Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или несколькими переходами, работающими в режиме передачи и (или) приема оптического излучения
127р. Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов	Совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, расположенных с заданным шагом на одной линии
127с. Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов	Совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, сгруппированных по строкам и столбцам
127а-127с. (Введены дополнительно, Изм 4).
ЭЛЕМЕНТЫ КОНСТРУКЦИИ
128. Вывод полупроводникового прибора Вывод D. Anschluss eines Halbleiterbauelementes E. Terminal (of a semiconductor device) F. Borne	Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью
129. Основной вывод полупроводникового прибора D. Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes E. Main terminal F. Borne principale	Вывод полупроводникового прибора, через который протекает основной ток
130. Катодный вывод полупроводникового прибора D. Katodenschluss eines Halbleiterbauelementes E. Cathode terminal (of a semiconductor device) F. Cathode	Вывод полупроводникового прибора, от которого прямой ток течет во внешнюю электрическую цепь
131. Анодный вывод полупроводникового прибора D. Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes E. Anode terminal (of a semiconductor device) F. Anode	Вывод полупроводникового прибора, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи
132. Управляющий вывод полупроводникового прибора E. Gate terminal (of a semiconductor device) F. Grille	Вывод полупроводникового прибора, через который течет только ток управления
133. Корпус полупроводникового прибора Корпус D. eines Halbleiterbauelementes E. Package (case) (of a semiconductor device) F. Capsule	Часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов
134. Бескорпусный полупроводниковый прибор Ндп. Полупроводниковая структура D. Halbleiterbauelement E. Beam lead semiconductor device F. Dispositif semiconducteur sans boitier	Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре
135. Полупроводниковый излучающий элемент	Часть полупроводникового прибора отображения информации, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме
135а. Электрод полупроводникового прибора Е. Electrode (of a semiconductor device)	Часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический контакт между определенной областью полупроводникового прибора и выводом

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2, 3, 4).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 2


Термин	Номер термина
База	26
Блок выпрямительный	71
Блок полупроводниковый	64
Блок полупроводниковый выпрямительный	71
Варикап	89
Вентиль полупроводниковый	66
Включение тиристора	60
Волстрон	127о
Восстановление полупроводникового диода обратное	55
Восстановление полупроводникового диода прямое	54
Вывод	128
Вывод полупроводникового прибора	128
Вывод полупроводникового прибора анодный	131
Вывод полупроводникового прибора катодный	130
Вывод полупроводникового прибора основной	129
Вывод полупроводникового прибора управляющий	132
Выключение тиристора	61
Гетеропереход	16
Гомопереход	17
Диак	109
Динистор	106
Диод	66
Диод выпрямительный	69
Диод выпрямительный лавинный	69а
Диод Ганна	81
Диод детекторный	84
Диод Зенеровский	91
Диод излучающий инфракрасный	127
Диод импульсный	72
Диод инжекционно-пролетный	78
Диод коммутационный	82
Диод лавинно-пролетный	77
Диод модуляторный	87
Диод обращенный	75
Диод ограничительный	85
Диод параметрический	90
Диод переключательный	79
Диод плоскостной	68
Диод полупроводниковый	66
Диод полупроводниковый выпрямительный	69
Диод полупроводниковый детекторный	84
Диод полупроводниковый импульсный	72
Диод полупроводниковый коммутационный	82
Диод полупроводниковый ограничительный	85
Диод полупроводниковый параметрический	90
Диод полупроводниковый сверхвысокочастотный	76
Диод резистивный регулируемый	83
Диод светоизлучающий	122
Диод смесительный	80
Диод с накоплением заряда	73
Диод с контролируемым лавинным пробоем полупроводниковый выпрямительный	69б
Диод точечно-контактный	67
Диод точечный	67
Диод туннельный	74
Диод умножительный	86
Диод Шоттки	88
Диод шумовой полупроводниковый	93
Затвор	33
Излучатель	120
Излучатель полупроводниковый	120
Излучатель, работающий с физическим приемником, полупроводниковый	121е
И-К диод	127
Индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый	120а
Исток	32
Канал проводящий	31
Коллектор	28
Коммутатор аналогового сигнала оптоэлектронный	127д
Коммутатор нагрузки оптоэлектронный	127е
Коммутатор переменного тока оптоэлектронный	127з
Коммутатор постоянного тока оптоэлектронный	127ж
Контакт линейный	20
Корпус	133
Корпус полупроводникового прибора	133
Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов	127р
Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов	127с
МДП-транзистор	102
Мезаструктура	38
Модуляция толщины базы	50
МОП-транзистор	103
Набор полупроводниковых приборов	65
Накопление заряда в базе	52
Накопление неравновесных носителей заряда в базе	52
Направление для перехода обратное	44
Направление для перехода прямое	43
Область базовая	26
Область дырочная	23
Область коллекторная	28
Область собственной электропроводности	25
Область собственная	25
Область электронная	24
Область эмиттерная	27
Область	25
Область	24
Область	23
Октрон	127л
Октрон отражательный	127м
Октрон щелевой	127н
Оптопара	121
Оптопара диодная	121
Оптопара диодная дифференциальная	121ж
Оптопара резисторная	121а
Оптопара с симметричным выходом тиристорная	121з
Оптопара тиристорная	121б
Оптопара транзисторная	121в
Оптопреобразователь	127п
Переключение тиристора	59
Переключатель логических сигналов оптоэлектронный	127и
Переход	1
Переход вплавной	12
Переход выпрямляющий	19
Переход выращенный	14
Переход гетерогенный	16
Переход гомогенный	17
Переход диффузионный	9
Переход дырочно-дырочный	4
Переход коллекторный	22
Переход конверсионный	11
Переход микровплавной	13
Переход микросплавной	13
Переход омический	20
Переход плавный	6
Переход планарный	10
Переход плоскостной	7
Переход резкий	5
Переход сплавной	12
Переход точечный	8
Переход тянутый	14
Переход Шоттки	18
Переход электрический	1
Переход электронно-дырочный	2
Переход электронно-электронный	3
Переход эмиттерный	21
Переход эпитаксиальный	15
Переход	3
Переход	2
Переход	4
Прибор полупроводниковый (ПП)	62
Прибор полупроводниковый бескорпусный	134
Прибор полупроводниковый оптоэлектронный	119
Прибор полупроводниковый оптоэлектронный линейный	127к
Прибор полупроводниковый силовой (СПП)	63
Приемник излучения	120б
Приемник излучения оптоэлектронного прибора полупроводниковый	120б
Пробой перехода	45
Пробой перехода лавинный	47
Пробой перехода тепловой	49
Пробой перехода туннельный	48
Пробой перехода электрический	46
Прокол базы	51
Рассасывание заряда в базе	53
Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе	53
СВЧ-диод	76
СИД	122
Слой запирающий	40
Слой запорный	40
Слой инверсный	42
Слой обедненный	39
Слой обогащенный	41
Состояние тиристора в обратном направлении непроводящее	58
Состояние тиристора закрытое	56
Состояние тиристора открытое	57
Стабилитрон	91
Стабилитрон полупроводниковый	91
Столб выпрямительный	70
Столб полупроводниковый выпрямительный	70
Сток	33
Структура	35
Структура МДП	36
Структура металл-диэлектрик-полупроводник	36
Структура металл-окисел-полупроводник	37
Структура МОП	37
Структура полупроводниковая	134
Структура полупроводникового прибора	35
Тиристор	105
Тиристор диодный	106
Тиристор диодный симметричный	109
Тиристор запираемый	114
Тиристор импульсный	118
Тиристор комбинированно-выключаемый	117б
Тиристор лавинный	117а
Тиристор, непроводящий в обратном направлении, диодный	107
Тиристор, непроводящий в обратном направлении, триодный	111
Тиристор, проводящий в обратном направлении, диодный	108
Тиристор, проводящий в обратном направлении, триодный	112
Тиристор, непроводящий в обратном направлении, триодный лавинный	117а
Тиристор с инжектирующим управляющим электродом -типа	116
Тиристор с инжектирующим управляющим электродом -типа	117
Тиристор триодный	110
Тиристор триодный симметричный	113
Транзистор	94
Транзистор бездрейфовый	95
Транзистор биполярный	94
Транзистор диффузионный	95
Транзистор дрейфовый	96
Транзистор канальный	100
Транзистор лавинный	99
Транзистор типа металл-окисел-полупроводник полевой	103
Транзистор плоскостной	98
Транзистор полевой	100
Транзистор с изолированным затвором полевой	101
Транзистор симметричный	104
Транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник полевой	102
Триод точечно-контактный	97
Транзистор точечный	97
Триак	113
Тринистор	110
Фотодиод	127а
Фоторезистор	127d
Фототиристор	127г
Фототранзистор	127б
Часть базовой области активная	29
Часть базовой области пассивная	30
Элемент излучающий полупроводниковый	135
Элемент полупроводникового прибора	135а
Эмиттер	27
Эффект смыкания	51

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2, 4).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 3


Термин	Номер термина
Abbau von in der Basis	53
Abschaltbarer Thyristor	114
Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors	29
Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes	131
Anodenseitig gesteuerter Thyristor	117
Anreicherungsschicht	41
Auschluss eines Halbleiterbauelementes	128
Ausschalten eines Thyristors	61
Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes	129
Basisgebiet	26
Bidirektionaltransistor	104
Bipolarer Transistor	94
Blockierzustand eines Thyristors	56
Defektelektronengebiet	23
Diffundierter	9
Diffusionstransistor	95
Drain (Senke)	33
Drifttransistor	96
Durchbruch des	45
Durchgreifeffekt	51
Durchlassrichtung des	43
Durchlasszusfand eines Thyristors	57
Eigenleitungsgebiet	25
Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halbleiterdiode	54
Elektrischer Durchbruch des	46
Elektrischer (Sperrschicht)	1
Elektronengebiet	24
Emittergebiet	27
	21
	15
Gate (Tor)	34
eines Halbleiterbauelementes	133
Halbleiterbauelement	134
Gezogener	14
	19
Gunn-Element	81
Feldeffekttransistor (FET)	100
Feldetffekttransistor mit isoliertem Gate	101
	98
	7
Fotodiode	127а
Fotothyristor	127г
Fototransistor	127б
Fotowiderstand	127в
Halbleiterbauelement	62
Halbleiterbegrenzerdiode	85
Halbleiterdemodulatordiode	84
Halbleiterdiode	66
	68
Halbleitergleichrichterdiode	69
Halbleiter-HF-Schaltdiode	82
Halbleiterimpulsdiode	72
Halbleiterinjektionslaufzeitdiode	78
Halbleiterlawinenlaufzeitdiode	77
	63
Halbleitermischdiode	80
Halbleitermodulatoridiode	87
Halbleiterrauschdiode	93
Halbleiterschaltdiode	79
Halbleiterspitzendiode	67
Halbleiterstrahler	120
Halbleitertunneidiode	74
Halbleiterunitunneldiode	75
Halbleitervaraktordiode	90
Halbleitervervielfacherdiode	86
Halbleiter-Z-Diode	91
	16
Homogener	17
Infrarotemitterdiode (IRED)	127
Inversionsschicht	42
Kanal	31
	89
Katodenanschluss eines Halbleiterbauelements	130
Katodenseitig gesteuerter Thyristor	116
Kollektorgebiet	28
	22
	11
Ladungsspeicherdiode	73
Lawinendurchbruch des	47
Lawinentransistor	99
Legierter	12
Lichtemitterdiode (LED)	122
Mesastruktur	38
Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MIS-Struktur)	36
Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (MOS-Struktur)	37
Mikrolegierter	13
MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET)	102
Modulation der Basisbreite	50
MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)	103
	3
Ohmischer	20
Optoelektronischer Koppler	121
Optoelektronischer Halbleiterbauelement	119
Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors	30
PIN-Diode	83
	10
	2
	4
	8
leitende Thyristordiode	108
Ieitende Thyristordiode	112
sperrende Thyristordiode	107
sperrende Thyristordiode	111
Schottky-Diode	88
	18
Source (Quelle)	32
Speicherung von in der Basis	52
Sperrichtung des	44
Sperrschicht	40
Sperrzustand eines Thyristors	58
Spitzentransistor	97
Steiler	5
Stetiger	6
Steuerelektrode eines Halbleiterbauelementes	132
Struktur eines Halbleiterbauelementes	35
Thermischer Durchbruch des	49
Thyristor	105
Thyristordiode	106
Thyristordiode	110
Tunneldurchbruch des	48
UHF-Halbleiterdiode	76
Umschalten eines Thyristors	59
Verarmungsschicht	39
Wiederherstellung des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode	55
eines Thyristors	60
Zweirichtungsthyristordiode	109
Zweirichtungsthyristortriode	113

(Введен дополнительно, Изм. N 2).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 4


Термин	Номер термина
Abrupt junction	5
Active part of base region	29
Alloyed junction	12
Anode terminal (of a semiconductor device)	131
Avalanche rectifier diode	69a
Avalanche reverse blocking thyristor	117a
Avalanche transistor	99
Barrier region (layer)	40
Base region	26
Base thickness modulation	50
Beam lead semiconductor device	134
Bi-directional diode thyristor	109
Bi-directional transistor	104
Bi-directional triode thyristor	113
Bipolar transistor	94
Breakdown of a P-N junction	45
Cathode terminal (of a semiconductor device)	130
Channel	31
Collector junction	22
Collector region	28
Controlled-avalanche rectifier diode	69б
Conversion junction	11
Depletion layer	39
Detector diode	84
Diffused junction	9
Diffusion transistor	95
Diode thyristor	106
Drain	33
Drift (diffused) transistor	96
Electrode (of a semiconductor device)	135а
Emitter junction	21
Emitter region	27
Enriched layer	41
Epitaxial junction	15
Excess carrier resorption (in the base)	53
Field-effect transistor	100
Forward direction (of a P-N junction)	43
Forward recovery	54
Gate	34
Gate terminal (of a semiconductor device)	132
Gate triggering of a thyristor	60
Gate turning-off of a thyristor	61
Graded junction	6
Grown junction	14
Gunn diode	81
Heterogenous junction	16
Homogenous junction	17
Impact avalanche-(and-) transit time diode	77
Infra-red-emitting diode	127
Injection-(and-) transit time diode	78
Insulated-gate FET	101
Intrinsic region	25
Inversion layer	42
Junction	1
Junction diode	68
Junction transistor	98
Light-emitting diode (LED)	122
Main terminal	129
Mesa-structure	38
Micro-alloy junction	13
Microwave diode	76
Microwave limiting diode	85
Minority carrier storage (in the base)	52
MIS-structure	36
MIS-transistor	102
MOS-structure	37
MOS-transistor	103
N-gate thyristor	117
N-N+ junction	3
N-region	24
Off-state of a thyristor	56
Ommic junction	20
On-state of a thyristor	57
Optocoupler	121
Package (case) (of a semiconductor device)	133
Passive part of base region	30
P-gate thyristor	116
Photocoupler	121
Photoconductive cell	127в
Photodiode	127а
Photothyristor	127г
Phototransistor	127б
PIN diode	83
Planar junction	10
P-N junction	2
(P-N junction) avalanche breakdown	47
P-N junction electrical breakdown	46
(P-N junction) thermal breakdown	49
Point-contact diode	67
Point-contact junction	8
Point-contact transistor	97
P-P junction	4
P-region	23
Pulse thyristor	118
Punch-through	51
Rectifying junction	19
Reverse blocking diode thyristor	107
Reverse blocking state of a thyristor	58
Reverse blocking triode thyristor	111
Reverse conducting diode thyristor	108
Reverse conducting triode thyristor	112
Reverse direction (of a P-N junction)	44
Reverse recovery	55
Schottky (-barrier) diode	88
Schottky junction	18
Semiconductor analog indicator	126
Semiconductor assembly	64
Semiconductor assembly set	65
Semiconductor character display	120а
Semiconductor device	62
Semiconductor diode	66
Semiconductor frequency multiplication diode	86
Semiconductor mixer diode	80
Semiconductor modulator diode	87
Semiconductor noise diode	93
Semiconductor optoelectronic device	119
Semiconductor optoelectronic display	126
Semiconductor parametric (amplifier) diode	90
Semiconductor photoemitter	120
Semiconductor power device	63
Semiconductor rectifier assembly	71
Semiconductor rectifier diode	69
Semiconductor rectifier stack	70
Signal diode	72
Snap-off (stec-recovery) diode	73
Source	32
Structure	35
Surface junction	7
Switching diode	79
Switching of a thyristor	59
Terminal (of a semiconductor device)	128
Thyristor	105
Triac	113
Triode thyristor	110
Tunnel diode	74
Turn-off thyristor	114
Unitunnel (backward) diode	75
Variable capacitance diode	89
Voltage reference diode	91
Zenner (tunnel) breakdown	48

(Измененная редакция, Изм. N 2, 4).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 5


Термин	Номер термина
Accumulation de porteurs dans la base	52
Amorcage de thyristor	60
Anode	131
Assemblage semiconducteurs	64
Assemblage de redressement ( semiconducteurs)	71
Bloc de redressement ( semiconducteurs)	70
Borne	128
Borne principale	129
Canal	31
Capsule	133
Cathode	130
Cellule photoinductive	127в
Claquage (d’une jonction P-N)	45
Claquage (d’une jonction P-N)	46
Claquage par avalanche (d’une jonction P-N)	47
Claquage par effet thermique (d’une jonction P-N)	49
Claquage par effet Zenner (tunnel)	48
Commutation de thyristor	59
Couche de	39
Couche d’inversion	42
Couche enrichie	41
de thyristor	61
Diode temps de transit	77
Diode variable (varicape)	89
Diode temps de transit	78
Diode jonction	68
Diode pointe	67
Diode semiconducteurs	66
Diode semiconducteurs pour forte puissance	63
Diode de bruit	93
Diode de commutation	79
Diode de limitation de	85
Diode de redressement	69
Diode de Schottky	88
Diode semiconducteurs	84
Diode de tension de	91
Diode d’impulsion	72
Diode en infrarouge	127
Diode in	76
Diode Gunn	81
Diode	75
Diode	80
Diode modulatrice ( semiconducteurs)	87
Diode ( semiconducteurs)	90
Diode PIN	83
Diode pour multiplication de	86
Diode tunnel	74
Dispositif semiconducteur	119
Dispositif semiconducteurs	62
Dispositif semiconducteur sans boitier	134
Drain	33
Etat dans le sens inverse de thyristor	58
Etat de thyristor	56
Etat passant de thyristor	57
Grille	34, 132
Jonction	1
Jonction abrupte	5
Jonction diffusion	9
Jonction	12
Jonction pointe	8
Jonction collecteur	22
Jonction de conversion	11
Jonction de croissance	14
Jonction de par surface	7
Jonction	21
Jonction	15
Jonction graduelle	6
Jonction	16
Jonction	17
Jonction	13
Jonction N-N	3
Jonction ohmique	20
Jonction planar	10
Jonction P-N	2
Jonction P-P	4
Jonction redresseuse	19
Jonction Schottky	18
Modulation de base	50
	51
Photocoupleur	121
Photodiode	127а
semiconducteurs	120
Photothyristor	127г
Phototransistor	127б
Recouvrement direct	54
Recouvrement inverse	55
active de base	29
de	40
de base	26
de collecteur	28
d’emetteur	27
	25
N	24
Р	23
passive de base	30
de porteurs dans la base	53
Sens direct (d’une jonction P-N)	43
Sens inverse (d’une jonction PN)	44
Source	32
Structure	35
	38
Structure-MIS	36
Structure-MOS	37
Thyristor	105
Thyristor blocable	114
Thyristor diode	106
Thyristor diode bi-directionnel	109
Thyristor diode en inverse	107
Thyristor diode passant en inverse	108
Thyristor N	117
Thyristor Р	116
Thyristor signal	118
Thyristor triode	110
Thyristor triode bi-directionnel	113
Thyristor triode en inverse	111
Thyristor triode passant en inverse	112
Transistor avalanche	99
Transistor diffusion	95
Transistor effet de champ	100
Transistor effet de champ grille	101
Transistor jonction	98
Transistor pointe	97
Transistor bi-directionnel	104
Transistor bipolaire	94
Transistor en	96
Transistor-MIS	102
Transistor-MOS	103

(Измененная редакция, Изм. N 2, 3, 4).

ПРИЛОЖЕНИЕ

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 15133-77 СТ СЭВ 2767-85


Номер пункта ГОСТ 15133-77	Номер пункта СТ СЭВ 2767-85
-	2.6
-	4.61
-	4.62

ПРИЛОЖЕНИЕ. (Измененная редакция, Изм. N 4).